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晶體管原理-(第2版)

作者：郭澎
出版社：國防工業(yè)出版社出版時間：2016-04-01
開本： 32開 頁數(shù)： 366
中 圖 價:¥24.9(4.3折) 定價  ¥58.0 登錄后可看到會員價
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晶體管原理-(第2版) 版權(quán)信息

晶體管原理-(第2版) 本書特色

《晶體管原理(第2版)》主要講述雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管的基本工作原理及其頻率特性、功率特性、開關(guān)特性，并描述這些特性的相關(guān)參數(shù)。講述了新型半導(dǎo)體器件包括*新發(fā)明的石墨烯場效應(yīng)晶體管和常溫單電子晶體管的結(jié)構(gòu)和特性。為適應(yīng)計算機輔助設(shè)計仿真的需求，書中介紹了半導(dǎo)體器件特別是國產(chǎn)軍品器件創(chuàng)建模型的方法。

晶體管原理-(第2版) 內(nèi)容簡介

《晶體管原理(第2版)》主要講述雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管的基本工作原理及其頻率特性、功率特性、開關(guān)特性，并描述這些特性的相關(guān)參數(shù)。講述了新型半導(dǎo)體器件包括*新發(fā)明的石墨烯場效應(yīng)晶體管和常溫單電子晶體管的結(jié)構(gòu)和特性。為適應(yīng)計算機輔助設(shè)計仿真的需求，書中介紹了半導(dǎo)體器件特別是國產(chǎn)軍品器件創(chuàng)建模型的方法。

晶體管原理-(第2版) 作者簡介

 第1章半導(dǎo)體物理與工藝概要 1.1晶體結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu) 1.1.1理想晶體的結(jié)構(gòu) 1.1.2理想晶體的能帶結(jié)構(gòu) 1.1.3晶格振動和雜質(zhì)原子對半導(dǎo)體性質(zhì)的影響 1.2半導(dǎo)體中的載流子 1.2.1平衡載流子的統(tǒng)計 1.2.2半導(dǎo)體中的非平衡載流子 1.3載流子的運動 1.3.1漂移運動 1.3.2擴散運動 1.4半導(dǎo)體中的基本控制方程組 1.4.1電流密度方程 1.4.2連續(xù)性方程 1.5PN結(jié)的電學(xué)特性 1.5.1PN繕直流伏安特性 1.5.2勢壘電容和擴散電容 1.5.3擊穿特性 1.6基本器件工藝 1.6.1襯底制備和外延生長 1.6.2氧化和光刻 1.6.3擴散與離子注入 習(xí)題 參考文獻 第2章晶體管的直流特性 2.1晶體管的基本結(jié)構(gòu)及其雜質(zhì)分布 2.1.1基本結(jié)構(gòu) 2.1.2晶體管工藝與雜質(zhì)分布 2.1.3均勻基區(qū)晶體管和緩變基區(qū)晶體管 2.2晶體管的放大機理 2.2.1晶體管的電流傳輸作用 2.2.2晶體管端電流的組成 2.2.3描述晶體管電流傳輸作用和放大性能的參數(shù) 2.2.4晶體管的放大能力 2.3晶體管的直流伏安特性 2.3.1均勻基區(qū)晶體管的伏安特性 2.3.2緩變基區(qū)晶體管有源放大區(qū)的伏安特性 2.4直流電流增益 2.4.1理想晶體管的直流增益 2.4.2影響直流增益的一些因素 2.5反向電流和擊穿電壓 2.5.1反向電流 2.5.2擊穿電壓 2.5.3穿通電壓 2.6基極電阻 2.6.1梳狀晶體管 2.6.2圓形晶體管 2.7特性曲線 2.7.1輸入特性曲線 2.7.2輸出特性曲線 2.7.3晶體管的直流小信號h參數(shù) 2.8晶體管模型 2.8.1埃伯斯一莫爾模型 2.8.2晶體管各工作區(qū)的模型 習(xí)題 參考文獻 第3章晶體管的頻率特性 3.1基本概念 3.1.1晶體管的交流小信號電流增益 3.1.2描述晶體管頻率特性的參數(shù) 3.2電流增益的頻率變化關(guān)系——截止頻率和特征頻率 3.2.1交流小信號電流的傳輸過程 3.2.2共基極電流增益和α截止頻率 3.2.3共射極電流增益、β截止頻率和特征頻率 3.3高頻功率增益和最高振蕩頻率 3.3.1晶體管的功率增益 3.3.2晶體管的高頻功率增益 3.4雙極型晶體管的噪聲特性 3.4.1晶體管的噪聲和噪聲系數(shù) 3.4.2晶體管的噪聲來源 3.4.3晶體管的噪聲頻譜特性 習(xí)題 參考文獻 第4章雙極型晶體管的功率特性 4.1基區(qū)大注入效應(yīng)對電流放大系數(shù)的影響 4.1.1大注入下基區(qū)少數(shù)載流子分布 4.1.2基區(qū)電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng) 4.1.3基區(qū)大注入對電流放大系數(shù)的影響 4.1.4大注入對基區(qū)渡越時間的影響 4.2基區(qū)擴散效應(yīng) 4.2.1注入電流對集電結(jié)空間電荷區(qū)電場分布的影響 4.2.2基區(qū)擴展效應(yīng) 4.3發(fā)射極電流集邊效應(yīng) 4.3.1發(fā)射極電流的分布 4.3.2發(fā)射極有效條寬 4.3.3發(fā)射極有效長度 4.4發(fā)射極單位周長電流容量 4.4.1集電極最大允許工作電流ICM 4.4.2線電流密度 4.5晶體管最大耗散功率PCM 4.5.1耗散功率和最高結(jié)溫 4.5.2熱阻 4.5.3晶體管的最大耗散功率 4.6二次擊穿和安全工作區(qū) 4.6.1二次擊穿現(xiàn)象 4.6.2二次擊穿機理及改進措施 4.6.3安全工作區(qū) 習(xí)題 參考文獻 第5章開關(guān)特性 5.1晶體管的開關(guān)作用 5.1.1晶體管開關(guān)作用的定性分析 5.1.2截止區(qū)和飽和區(qū)的電荷分布 5.2晶體管的開關(guān)過程和開關(guān)時間 5.2.1幾個開關(guān)時間的定義 5.2.2電荷控制理論 5.2.3延遲過程和延遲時間 5.2.4上升過程與上升時間 5.2.5電荷儲存效應(yīng)與儲存時間 5.2.6下降過程與下降時間 5.2.7提高開關(guān)速度的措施 5.3開關(guān)管正向壓降和飽和壓降 5.3.1正向壓降 5.3.2飽和壓降 習(xí)題 參考文獻 第6章結(jié)型場效應(yīng)晶體管 6.1結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）的基本工作原理 6.1.1JFET的基本結(jié)構(gòu) 6.1.2JFET的基本工作原理 6.1.3JFET的輸出特性和轉(zhuǎn)移特性 6.1.4肖特基柵場效應(yīng)晶體管（MESFET） 6.1.5器件的類型和代表符號 6.2JFET的直流參數(shù)和低頻小信號交流參數(shù) 6.2.1JFET的直流電流—電壓特性 6.2.2JFET的直流參數(shù) 6.2.3JFET交流小信號參數(shù) 6.2.4溝道雜質(zhì)任意分布時器件的伏安特性 6.2.5高場遷移率的影響 6.3結(jié)型場效應(yīng)晶體管的頻率特性 6.3.1交流小信號等效電路 6.3.2JFET的頻率參數(shù) 6.4結(jié)型場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)舉例 6.4.1MESFET 6.4.2JFET 6.4.3V形槽JFET 習(xí)題 參考文獻 …… 第7章MOS場效應(yīng)晶體管 第8章石墨烯場效應(yīng)晶體管 第9章新型半導(dǎo)體器件的仿真模型  

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