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氧化鋅和硫化銦薄膜的制備及光電應(yīng)用

氧化鋅和硫化銦薄膜的制備及光電應(yīng)用

出版社：冶金工業(yè)出版社出版時(shí)間：2017-06-01
開本： 32開 頁(yè)數(shù)： 158
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氧化鋅和硫化銦薄膜的制備及光電應(yīng)用 版權(quán)信息

氧化鋅和硫化銦薄膜的制備及光電應(yīng)用 本書特色

　　《氧化鋅和硫化銦薄膜的制備及光電應(yīng)用》介紹了結(jié)構(gòu)新穎的ZnO和In2S3薄膜的制備方法，及基于這兩種材料的太陽(yáng)能電池的基本原理、分類、制備工藝及過程。第1章介紹了太陽(yáng)能電池的研究背景，第2章介紹了敏化太陽(yáng)能電池的研究現(xiàn)狀，第3章介紹了ZnO和In2S3在太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用形態(tài)和進(jìn)展，第4章介紹了CdSe敏化Al摻雜ZnO納米棒陣列復(fù)合薄膜的制備及其光電化學(xué)性能，第5章介紹了大面積高能面裸露的ZnO納米片陣列薄膜的制備及其光電化學(xué)性能，第6章介紹了Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體／ZnO納米片陣列復(fù)合薄膜的制備及其光電化學(xué)性能，第7章介紹了片狀I(lǐng)n2S3薄膜的制備及其光電化學(xué)性能，第8章介紹了楔形In2S3薄膜的制備及其光電化學(xué)性能。
　　《氧化鋅和硫化銦薄膜的制備及光電應(yīng)用》可作為從事太陽(yáng)能電池行業(yè)研究人員的入門讀物，同時(shí)也可以作為本科生和碩士研究生學(xué)習(xí)化合物薄膜太陽(yáng)能電池的入門課程用書。

氧化鋅和硫化銦薄膜的制備及光電應(yīng)用 內(nèi)容簡(jiǎn)介

本書介紹了結(jié)構(gòu)新穎的ZnO和In2S3薄膜的制備方法，及基于這兩種材料的太陽(yáng)能電池的基本原理、分類、制備工藝及過程。第1章介紹了太陽(yáng)能電池的研究背景；第2章介紹了敏化太陽(yáng)能電池的研究現(xiàn)狀；第3章介紹了ZnO和In2S3在太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用形態(tài)和進(jìn)展；第4章介紹了CdSe敏化Al摻雜ZnO納米棒陣列復(fù)合薄膜的制備及其光電化學(xué)性能；第5章介紹了大面積高能面裸露的ZnO納米片陣列薄膜的制備及其光電化學(xué)性能；第6章介紹了Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體/ZnO納米片陣列復(fù)合薄膜的制備及其光電化學(xué)性能研究；第7章介紹了片狀I(lǐng)n2S3薄。

氧化鋅和硫化銦薄膜的制備及光電應(yīng)用 目錄

1 太陽(yáng)能電池介紹
1．1 引言
1．2 太陽(yáng)能電池的基本原理
1．2．1 太陽(yáng)能電池的工作原理
1．2．2 太陽(yáng)能電池的輸出特性
1．3 太陽(yáng)能電池的發(fā)展歷史及趨勢(shì)
1．4 太陽(yáng)能電池的種類
1．4．1 硅基太陽(yáng)能電池
1．4．2 無機(jī)化合物薄膜太陽(yáng)能電池
1．4．3 光電化學(xué)太陽(yáng)能電池
1．4．4 有機(jī)太陽(yáng)能電池
參考文獻(xiàn)

2 量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池的研究
2．1 量子點(diǎn)敏化劑的特性
2．1．1 量子限域效應(yīng)
2．1．2 量子尺寸效應(yīng)
2．1．3 多激子效應(yīng)
2．2 量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)和組成
2．2．1 導(dǎo)電基底
2．2．2 寬禁帶納米半導(dǎo)體薄膜
2．2．3 量子點(diǎn)敏化劑
2．2．4 電解質(zhì)
2．2．5 對(duì)電極
2．3 量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池的工作機(jī)理
2．4 提高量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池效率的方法
2．4．1 光陽(yáng)極材料和結(jié)構(gòu)改進(jìn)
2．4．2 共敏化
2．4．3 界面處理
2．4．4 離子摻雜
參考文獻(xiàn)

3 ZnO和In2S3在太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用
3．1 ZnO的性質(zhì)及其在太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用
3．1．1 ZnO的基本性質(zhì)
3．1．2 ZnO在太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用
3．2 In2S3在太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用
3．2．1 In2S3的基本性質(zhì)
3．2．2 In2S3在太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用
3．2．3 β-In2S3薄膜的制備方法
3．2．4 β-In2S3粉體的制備方法
參考文獻(xiàn)

4 CdSe敏化AI摻雜ZnO納米棒陣列復(fù)合薄膜的制備及其光電化學(xué)性能
4．1 引言
4．2 實(shí)驗(yàn)試劑和儀器設(shè)備
4．2．1 實(shí)驗(yàn)試劑
4．2．2 儀器設(shè)備
4．3 Al摻雜ZnO納米棒陣列薄膜的制備與表征
4．3．1 實(shí)驗(yàn)過程
4．3．2 Al摻雜ZnO納米棒陣列薄膜的表征
4．4 CdSe敏化Al摻雜ZnO納米棒陣列薄膜的制備及其光電化學(xué)性能研究
4．4．1 CdSe敏化Al摻雜ZnO納米棒陣列薄膜的制備
4．4．2 CdSe敏化Al摻雜ZnO納米棒陣列薄膜的表征
4．4．3 CdSe敏化A1摻雜ZnO納米棒陣列薄膜性質(zhì)研究
4．5 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)

5 大面積高能面裸露的ZnO納米片陣列薄膜的制備及其光電化學(xué)性能
5．1 引言
5．2 ZnO納米片陣列薄膜的制備
5．3 ZnO納米片陣列薄膜的表征
5．3．1 ZnO納米片陣列薄膜的結(jié)構(gòu)分析
5．3．2 ZnO納米片陣列薄膜的形貌特征
5．4 反應(yīng)條件對(duì)形貌演變的影響
5．4．1 檸檬酸鈉濃度對(duì)ZnO納米片陣列薄膜形貌的影響
5．4．2 反應(yīng)時(shí)間對(duì)ZnO納米片陣列薄膜厚度的影響
5．4．3 ZnO納米片陣列薄膜生長(zhǎng)機(jī)理
5．5．ZnO納米片陣列薄膜的性質(zhì)研究
5．5．1 紫外一可見光光吸收特性分析
5．5．2 光電化學(xué)性能研究
5．6 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)

6 Ⅱ．Ⅵ族半導(dǎo)體／ZnO納米片陣列復(fù)合薄膜的制備及其光電化學(xué)性能研究
6．1 引言
6．2 CdS敏化ZnO納米片陣列薄膜的制備及其光電化學(xué)性能研究
6．2．1 CdS敏化ZnO納米片陣列薄膜的制備
6．2．2 CdS敏化ZnO納米片陣列薄膜的表征
6．2．3 CdS敏化ZnO納米片陣列薄膜的性質(zhì)研究
6．3 CdSe敏化ZnO納米片陣列薄膜的制備及其光電化學(xué)性能研究
6．3．1 CdSe敏化ZnO納米片陣列薄膜的制備
6．3．2 CdSe敏化ZnO納米片陣列薄膜的性質(zhì)研究
6．4 CdS／CdSe共敏化ZnO納米片陣列薄膜的制備及其光電化學(xué)性能研究
6．4．1 CdS／CdSe共敏化ZnO納米片陣列薄膜的制備
6．4．2 CdS／CdSe共敏化ZnO納米片陣列薄膜的表征
6．4．3 CdS／CdSe共敏化ZnO納米片陣列薄膜的性質(zhì)研究
6．5 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)

7 片狀I(lǐng)n2S3薄膜的制備及其光電化學(xué)性質(zhì)
7．1 引言
7．2 實(shí)驗(yàn)過程
7．2．1 實(shí)驗(yàn)試劑
7．2．2 片狀I(lǐng)n2S3薄膜的制備
7．3 結(jié)果與討論
7．3．1 XRD和EDX譜分析
7．3．2 FESEM分析
7．3．3 In2S3薄膜的光學(xué)特性分析
7．3．4 In2S3薄膜的光電化學(xué)性質(zhì)分析
7．4 In2S3薄膜向In2S3薄膜的轉(zhuǎn)化
7．5 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)

8 楔形In2S3薄膜的制備及其光電化學(xué)性質(zhì)
8．1 引言
8．2 實(shí)驗(yàn)過程
8．3 結(jié)果與討論
8．3．1 XRD與EDX分析
8．3．2 FESEM和TEM分析
8．3．3 薄膜的形成機(jī)理分析
8．3．4 In2S3薄膜的光吸收特性分析
8．3．5 In2S3薄膜的光電化學(xué)性質(zhì)分析
8．4 本章小結(jié)
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氧化鋅和硫化銦薄膜的制備及光電應(yīng)用 作者簡(jiǎn)介

渤海大學(xué)教師，碩士，專業(yè)方向凝聚態(tài)物理，主要從事太陽(yáng)能電池方面的科研工作及物理方面教學(xué)工作，近年來在相關(guān)國(guó)內(nèi)外期刊發(fā)表若干篇文章。

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