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清華開發(fā)者書庫深入理解微電子電路設計——電子元器件、數(shù)字電路、模擬電路原理及應用(原書第5版)

清華開發(fā)者書庫深入理解微電子電路設計——電子元器件、數(shù)字電路、模擬電路原理及應用(原書第5版)

出版社：清華大學出版社出版時間：2020-06-01
開本： 其他 頁數(shù)： 1369
中 圖 價:¥124.7(6.3折) 定價  ¥198.0 登錄后可看到會員價
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清華開發(fā)者書庫深入理解微電子電路設計——電子元器件、數(shù)字電路、模擬電路原理及應用(原書第5版) 版權(quán)信息

清華開發(fā)者書庫深入理解微電子電路設計——電子元器件、數(shù)字電路、模擬電路原理及應用(原書第5版) 本書特色

本書系統(tǒng)論述了微電子電路的基本知識及其應用，全書共分為18章，涵蓋了固態(tài)電子學與器件、數(shù)字電路和模擬電路三部分知識體系。通過本書的學習，讀者可以全面了解現(xiàn)代電子設計的基本技術、模擬電路和數(shù)字電路及分立電路和集成電路。在本書固態(tài)電子學與器件部分，主要介紹了電子學的基本原理、固態(tài)電子學基礎、二極管的iv特性及晶體管的SPICE模型等內(nèi)容，給出了電路設計中常用的*差情況分析、蒙特卡洛分析等主要分析方法。在數(shù)字電路部分，著重講解了邏輯電路的基本概念，NMOS、CMOS、MOS存儲電路及雙極型數(shù)字邏輯電路。模擬電路部分，從放大器入手，詳細介紹了放大器相關概念、二端口模型、反饋放大器頻率響應、小信號建模、單晶體管放大器、差分放大器、反饋放大器及振蕩器等內(nèi)容。
通過本書的學習，讀者可以掌握微電子電路相關的概念和知識，學會電路分析及電路設計方法。書中給出了大量的設計實例及練習供讀者學習與實踐。本書可以作為電子信息類、電氣類專業(yè)本科生或研究生的專業(yè)教材或參考書，也可以作為從事固態(tài)電子學與器件、數(shù)字電路和模擬電路設計或開發(fā)的工程技術人員的參考書。

清華開發(fā)者書庫深入理解微電子電路設計——電子元器件、數(shù)字電路、模擬電路原理及應用(原書第5版) 內(nèi)容簡介

A broad spectrum of topics are included in Microelectronic Circuit Design which gives the professor the option to easily select and customize the material to satisfy a two-semester or three-quarter sequence in electronics. Jaeger/Blalock emphasizes design through the use of design examples and design notes.

清華開發(fā)者書庫深入理解微電子電路設計——電子元器件、數(shù)字電路、模擬電路原理及應用(原書第5版) 目錄

**部分 固態(tài)電子學與器件 第1章 電子學簡介 1.1電子學發(fā)展簡史： 從真空管到吉規(guī)模集成電路 1.2電信號的分類 1.2.1數(shù)字信號 1.2.2模擬信號 1.2.3A/D和D/A轉(zhuǎn)換器——模擬與數(shù)字 信號的橋梁 1.3符號約定 1.4問題求解的方法 1.5電路理論的主要概念 1.5.1分壓和分流 1.5.2戴維南定理和諾頓定理 1.6電信號的頻譜 1.7放大器 1.7.1理想運算放大器 1.7.2放大器頻率響應 1.8電路設計中元件參數(shù)的變化 1.8.1容差的數(shù)學模型 1.8.2*差情況分析 1.8.3蒙特卡洛分析 1.8.4溫度系數(shù) 1.9數(shù)值精度 小結(jié) 關鍵詞 參考文獻 擴展閱讀 習題 第2章 固態(tài)電子學 2.1固態(tài)電子材料 2.2共價鍵模型 2.3半導體中的漂移電流和遷移率 2.3.1漂移電流 2.3.2遷移率 2.3.3速度飽和 2.4本征硅的電阻率 2.5半導體中的雜質(zhì) 2.5.1硅中的施主雜質(zhì) 2.5.2硅中的受主雜質(zhì) 2.6摻雜半導體中的電子和空穴濃度 2.6.1n型材料(ND>NA) 2.6.2p型材料(NA>ND) 2.7摻雜半導體中的遷移率和電阻率 2.8擴散電流 2.9總電流 2.10能帶模型 2.10.1本征半導體中電子空穴對的產(chǎn)生 2.10.2摻雜半導體的能帶模型 2.10.3補償半導體 2.11集成電路制造綜述 小結(jié) 關鍵詞 參考文獻 補充閱讀 習題 第3章 固態(tài)二極管和二極管電路 3.1pn結(jié)二極管 3.1.1pn結(jié)靜電學 3.1.2二極管內(nèi)部電流 3.2二極管的iv特性 3.3二極管方程：二極管的數(shù)學模型 3.4二極管特性之反偏、零偏和正偏 3.4.1反偏 3.4.2零偏 3.4.3正偏 3.5二極管的溫度系數(shù) 3.6反偏下的二極管 3.6.1實際二極管的飽和電流 3.6.2反向擊穿 3.6.3擊穿區(qū)的二極管模型 3.7pn結(jié)電容 3.7.1反偏 3.7.2正偏 3.8肖特基勢壘二極管 3.9二極管的SPICE模型及版圖 3.9.1二極管的版圖 3.10二極管電路分析 3.10.1負載線分析法 3.10.2二極管數(shù)學模型分析法 3.10.3理想二極管模型 3.10.4恒壓降模型 3.10.5模型比較與討論 3.11多二極管電路 3.12二極管工作在擊穿區(qū)域的分析 3.12.1負載線分析 3.12.2分段線性模型分析 3.12.3穩(wěn)壓器 3.12.4包含齊納電阻的電路分析 3.12.5線性調(diào)整率和負載調(diào)整率 3.13半波整流電路 3.13.1帶負載電阻的半波整流器 3.13.2整流濾波電容 3.13.3帶RC負載的半波整流器 3.13.4紋波電壓和導通期 3.13.5二極管電流 3.13.6浪涌電流 3.13.7額定峰值反向電壓 3.13.8二極管功耗 3.13.9輸出負電壓的半波整流器 3.14全波整流電路 3.14.1輸出負電壓的全波整流器 3.15全波橋式整流 3.16整流器的比較及折中設計 3.17二極管的動態(tài)開關行為 3.18光電二極管、太陽能電池和發(fā)光二極管 3.18.1光電二極管和光探測器 3.18.2太陽能電池 3.18.3發(fā)光二極管（LED） 小結(jié) 關鍵詞 參考文獻 擴展閱讀 習題 第4章 場效應晶體管 4.1MOS電容特性 4.1.1積累區(qū) 4.1.2耗盡區(qū) 4.1.3反型區(qū) 4.2NMOS晶體管 4.2.1NMOS晶體管的iv特性的定性描述 4.2.2NMOS晶體管的線性區(qū)特性 4.2.3導通電阻 4.2.4跨導 4.2.5iv特性的飽和 4.2.6飽和（夾斷）區(qū)的數(shù)學模型 4.2.7飽和跨導 4.2.8溝道長度調(diào)制 4.2.9傳輸特性及耗盡型MOSFET 4.2.10體效應或襯底靈敏度 4.3PMOS晶體管 4.4MOSFET電路符號 4.5MOS晶體管的電容 4.5.1NMOS晶體管的線性區(qū)電容 4.5.2飽和區(qū)電容 4.5.3截止區(qū)電容 4.6SPICE中的MOSFET建模 4.7MOS晶體管的等比例縮放 4.7.1漏極電流 4.7.2柵極電容 4.7.3電流和功率密度 4.7.4功耗延遲積 4.7.5截止頻率 4.7.6大電場限制 4.7.7包含高場限制的統(tǒng)一MOS晶體管模型 4.7.8亞閾值導通 4.8MOS晶體管的制造工藝及版圖設計規(guī)則 4.8.1*小特征尺寸和對準容差 4.8.2MOS晶體管的版圖 4.9NMOS場效應管的偏置 4.9.1為什么需要偏置 4.9.2四電阻偏置 4.9.3恒定柵源電壓偏置 4.9.4Q點的圖形分析 4.9.5包含體效應的分析 4.9.6使用統(tǒng)一模型進行分析 4.10PMOS場效應晶體管的偏置 4.11結(jié)型場效應管（JFET） 4.11.1偏壓下的JFET 4.11.2漏源偏置下的JFET溝道 4.11.3n溝道JFET的iv特性 4.11.4p溝道JFET 4.11.5JFET的電路符號和模型小結(jié) 4.11.6JFET電容 4.12JFET的SPICE模型 4.13JFET和耗盡型MOSFET的偏置 小結(jié) 關鍵詞 參考文獻 習題 第5章 雙極型晶體管 5.1雙極型晶體管的物理結(jié)構(gòu) 5.2npn晶體管的傳輸模型 5.2.1正向特性 5.2.2反向特性 5.2.3任意偏置條件下晶體管傳輸模型方程 5.3pnp晶體管 5.4晶體管傳輸模型的等效電路 5.5雙極型晶體管的iv特性 5.5.1輸出特性 5.5.2傳輸特性 5.6雙極型晶體管的工作區(qū) 5.7傳輸模型的簡化 5.7.1截止區(qū)的簡化模型 5.7.2正向有源區(qū)的模型簡化 5.7.3雙極型集成電路中的二極管 5.7.4反向有源區(qū)的簡化模型 5.7.5飽和區(qū)模型 5.8雙極型晶體管的非理想特性 5.8.1結(jié)擊穿電壓 5.8.2基區(qū)的少數(shù)載流子傳輸 5.8.3基區(qū)傳輸時間 5.8.4擴散電容 5.8.5共發(fā)電流增益對頻率的依賴性 5.8.6Early效應和Early電壓 5.8.7Early效應的建模 5.8.8Early效應的產(chǎn)生原因 5.9跨導 5.10雙極型工藝與SPICE模型 5.10.1定量描述 5.10.2SPICE模型方程 5.10.3高性能雙極型晶體管 5.11BJT的實際偏置電路 5.11.1四電阻偏置網(wǎng)絡 5.11.2四電阻偏置網(wǎng)絡的設計目標 5.11.3四電阻偏置電路的迭代分析 5.12偏置電路的容差 5.12.1*差情況分析 5.12.2蒙特卡洛分析 小結(jié) 關鍵詞 參考文獻 習題 第二部分 數(shù)字電路 第6章 數(shù)字電路簡介 6.1理想邏輯門 6.2邏輯電平定義和噪聲容限 6.2.1邏輯電壓電平 6.2.2噪聲容限 6.2.3邏輯門的設計目標 6.3邏輯門的動態(tài)響應 6.3.1上升和下降時間 6.3.2傳輸延遲 6.3.3功耗延遲積 6.4布爾代數(shù)回顧 6.5NMOS邏輯設計 6.5.1帶負載電阻的NMOS反相器 6.5.2開關晶體管MS的W/L比設計 6.5.3負載電阻設計 6.5.4負載線的可視化 6.5.5開關器件的導通電阻 6.5.6噪聲容限分析 6.5.7VIL和VOH的計算 6.5.8 VIH和VOL的計算 6.5.9電阻器負載反相器噪聲容限 6.5.10負載電阻問題 6.6晶體管替代負載電阻方案 6.6.1NMOS飽和負載反相器 6.6.2帶線性負載設備的NMOS反相器 6.6.3帶耗盡型負載的NMOS反相器 6.7NMOS反相器小結(jié)與比較 6.8速度飽和對靜態(tài)設計的影響 6.8.1開關晶體管設計 6.8.2負載晶體管設計 6.8.3速度飽和影響小結(jié) 6.9NMOS與非門和或非門 6.9.1或非門 6.9.2與非門 6.9.3NMOS耗盡型工藝中的或非門及與 非門布局 6.10復雜NMOS邏輯設計 6.11功耗 6.11.1靜態(tài)功耗 6.11.2動態(tài)功耗 6.11.3MOS邏輯門的功率縮放 6.12MOS邏輯門的動態(tài)特性 6.12.1邏輯電路中的電容 6.12.2帶電阻性負載的NMOS反相器的 動態(tài)響應 6.12.3NMOS反相器延遲比較 6.12.4速度飽和對反相器延遲的影響 6.12.5基于參考電路仿真的縮放 6.12.6固有門延遲的環(huán)形振蕩器測量法 6.12.7無負載反相器的延遲 6.13PMOS邏輯 6.13.1PMOS反相器 6.13.2與非門和或非門 小結(jié) 關鍵詞 參考文獻 補充閱讀 習題 第7章 CMOS邏輯電路設計 7.1CMOS反相器 7.1.1CMOS反相器版圖 7.2CMOS反相器的靜態(tài)特性 7.2.1CMOS電壓傳輸特性 7.2.2CMOS反相器的噪聲容限 7.3CMOS反相器的動態(tài)特性 7.3.1傳播延遲估計 7.3.2上升和下降時間 7.3.3按性能等比例縮放 7.3.4速度飽和效應對CMOS反相器延遲的 影響 7.3.5級聯(lián)反相器延遲 7.4CMOS功耗及功耗延遲積 7.4.1靜態(tài)功耗 7.4.2動態(tài)功耗 7.4.3功耗延遲積 7.5CMOS或非門和與非門 7.5.1CMOS或非門 7.5.2CMOS與非門 7.6CMOS復雜門電路設計 7.7邏輯門的*小尺寸設計及性能 7.8級聯(lián)緩沖器 7.8.1級聯(lián)緩沖器延遲模型 7.8.2*優(yōu)級數(shù) 7.9CMOS傳輸門 7.10雙穩(wěn)態(tài)電路 7.10.1雙穩(wěn)態(tài)鎖存器 7.10.2RS觸發(fā)器 7.10.3采用傳輸門的D鎖存器 7.10.4主從D觸發(fā)器 7.11CMOS閂鎖效應 小結(jié) 關鍵詞 參考文獻 擴展閱讀 習題 第8章 MOS存儲器及其電路 8.1隨機存取存儲器（RAM） 8.1.1RAM存儲器架構(gòu) 8.1.2256MB存儲器芯片 8.2靜態(tài)存儲器單元電路 8.2.1內(nèi)存單元的隔離和訪問6T單元 8.2.2讀操作 8.2.3向6T單元寫數(shù)據(jù) 8.3動態(tài)存儲單元電路 8.3.11T單元電路 8.3.21T單元的數(shù)據(jù)存儲 8.3.31T單元的數(shù)據(jù)讀取 8.3.44T單元電路 8.4感測放大器 8.4.16T單元的感測放大器 8.4.21T單元的感測放大器 8.4.3升壓字線電路 8.4.4鐘控CMOS感測放大器 8.5地址譯碼器 8.5.1或非門譯碼器 8.5.2與非門譯碼器 8.5.3傳輸管列譯碼器 8.6只讀存儲器(ROM) 8.7閃存 8.7.1浮柵技術 8.7.2NOR電路實現(xiàn) 8.7.3NAND電路實現(xiàn) 小結(jié) 關鍵詞 參考文獻 習題 第9章 雙極型邏輯電路 9.1電流開關(發(fā)射極耦合對) 9.1.1電流開關靜態(tài)特性的數(shù)學模型 9.1.2對于VI>VREF的電流開關分析 9.1.3VI 9.2發(fā)射極耦合邏輯（ECL）門 9.2.1VI = VH時的ECL門 9.2.2VI=VL時的ECL門 9.2.3ECL門的輸入電流 9.2.4ECL小結(jié) 9.3ECL門的噪聲容限分析 9.3.1VIL、VOH、VIH和VOL 9.3.2噪聲容限 9.4電流源的實現(xiàn) 9.5ECL或或非門 9.6射極跟隨器 9.6.1帶有負載電阻的射極跟隨器 9.7“發(fā)射極點接”或“線或”邏輯 9.7.1射極跟隨器輸出的并聯(lián)連接 9.7.2線或邏輯函數(shù) 9.8ECL功耗延遲特性 9.8.1功耗 9.8.2門延遲 9.8.3功耗延遲積 9.9正射極耦合邏輯電平（PECL） 9.10電流模邏輯（CML） 9.10.1CML邏輯門 9.10.2CML邏輯電平 9.10.3VEE供電電壓 9.10.4高電平CML 9.10.5降低CML功耗 9.10.6源極耦合FET邏輯（SCFL） 9.11飽和雙極型反相器 9.11.1靜態(tài)反相器特性 9.11.2雙極型晶體管的飽和電壓 9.11.3負載線可視化 9.11.4飽和BJT的開關特性 9.12晶體管晶體管邏輯（TTL） 9.12.1VI =VL時的TTL反相器分析 9.12.2VI= VH時的TTL反相器分析 9.12.3功耗 9.12.4TTL傳播延遲和功率延遲積 9.12.5TTL的電壓傳輸特性和噪聲容限 9.12.6標準TTL的扇出限制 9.13TTL中的邏輯函數(shù) 9.13.1多發(fā)射極輸入晶體管 9.13.2TTL與非門 9.13.3輸入鉗位二極管 9.14肖特基鉗位TTL 9.15ECL和TTL的功耗延遲對比 9.16BiCMOS邏輯 9.16.1BiCMOS緩沖器 9.16.2BiNMOS反相器 9.16.3BiCMOS邏輯門 小結(jié) 關鍵詞 參考文獻 補充閱讀 習題 第三部分 模擬電路 第10章 模擬系統(tǒng)和理想運算放大器 10.1模擬電子系統(tǒng)示例 10.2放大作用 10.2.1電壓增益 10.2.2電流增益 10.2.3功率增益 10.2.4分貝 10.3放大器的二端口模型 10.3.1g參數(shù) 10.4源和負載電阻的失配 10.5運算放大器簡介 10.5.1差分放大器 10.5.2差分放大器的電壓傳輸特性 10.5.3電壓增益 10.6放大器的失真 10.7差分放大器模型 10.8理想差分放大器和運算放大器 10.8.1理想運算放大器分析中的假設 10.9理想運算放大器電路的分析 10.9.1反相放大器 10.9.2互阻放大器——電流/電壓轉(zhuǎn)換器 10.9.3同相放大器 10.9.4單位增益緩沖器或電壓跟隨器 10.9.5求和放大器 10.9.6差分放大器 10.10反饋放大器的頻率特性 10.10.1伯德圖 10.10.2低通放大器 10.10.3高通放大器 10.10.4帶通放大器 10.10.5有源低通濾波器 10.10.6有源高通濾波器 10.10.7積分器 10.10.8微分器 小結(jié) 關鍵詞 參考文獻 補充閱讀 習題 第11章 非線性運算放大器和反饋放大器的穩(wěn)定性 11.1經(jīng)典反饋系統(tǒng) 11.1.1閉環(huán)增益分析 11.1. 2增益誤差 11.2含有非理想運算放大器的電路分析 11.2.1有限開環(huán)增益 11.2.2非零輸出電阻 11.2.3有限輸入電阻 11.2.4非理想反相和同相放大器小結(jié) 11.3串聯(lián)反饋和并聯(lián)反饋電路 11.3.1反饋放大器類型 11.3.2電壓放大器——電壓串聯(lián)反饋 11.3.3跨阻放大器——電壓并聯(lián)反饋 11.3.4電流放大器——電流并聯(lián)反饋 11.3.5跨導放大器——電流串聯(lián)反饋 11.4反饋放大器計算的統(tǒng)一方法 11.4.1閉環(huán)增益分析 11.4.2利用Blackman理論計算電阻 11.5電壓串聯(lián)反饋放大器——電壓放大器 11.5.1閉環(huán)增益計算 11.5.2輸入電阻計算 11.5.3輸出電阻計算 11.5.4電壓串聯(lián)反饋放大器小結(jié) 11.6電壓并聯(lián)反饋放大器——跨阻放大器 11.6.1閉環(huán)增益分析 11.6.2輸入電阻計算 11.6.3輸出電阻計算 11.6.4電壓并聯(lián)反饋放大器小結(jié) 11.7電流串聯(lián)反饋放大器——跨導放大器 11.7.1閉環(huán)增益計算 11.7.2輸入電阻計算 11.7.3輸出電阻計算 11.7.4電流串聯(lián)反饋放大器小結(jié) 11.8電流并聯(lián)反饋放大器——電流放大器 11.8.1閉環(huán)增益計算 11.8.2輸入電阻計算 11.8.3輸出電阻計算 11.8.4電流并聯(lián)反饋放大器總結(jié) 11.9使用持續(xù)電壓和電流注入法計算回路增益 11.9.1簡化 11.10利用反饋減小失真 11.11直流誤差源和輸出擺幅限制 11.11.1輸入失調(diào)電壓 11.11.2失調(diào)電壓調(diào)節(jié) 11.11.3輸入偏置電流和輸入失調(diào)電流 11.11.4輸出電壓和電流限制 11.12共模抑制比和輸入電阻 11.12.1有限共模抑制比 11.12.2共模抑制比的重要性 11.12.3由CMRR產(chǎn)生的電壓跟隨器增益誤差 11.12.4共模輸入電阻 11.12.5CMRR的另一種解釋 11.12.6電源抑制比 11.13運算放大器的頻率響應和帶寬 11.13.1同相放大器的頻率響應 11.13.2反相放大器的頻率響應 11.13.3利用反饋控制頻率響應 11.13.4大信號限制——擺率和滿功率帶寬 11.13.5運算放大器頻率響應的宏模型 11.13.6運算放大器的SPICE宏模型 11.13.7通用運算放大器實例 11.14反饋放大器的穩(wěn)定性 11.14.1奈奎斯特圖 11.14.2一階系統(tǒng) 11.14.3二階系統(tǒng)和相位裕度 11.14.4階躍響應和相位裕度 11.14.5三階系統(tǒng)和增益裕度 11.14.6根據(jù)伯德圖判斷穩(wěn)定性 小結(jié) 關鍵詞 參考文獻 習題 第12章 運算放大器應用 12.1級聯(lián)放大器 12.1.1二端口表示 12.1.2放大器專有名詞回顧 12.1.3級聯(lián)放大器的頻率響應 12.2儀表放大器 12.3有源濾波器 12.3.1低通濾波器 12.3.2帶增益的高通濾波器 12.3.3帶通濾波器 12.3.4靈敏度 12.3.5幅值和頻率縮放 12.4開關電容電路 12.4.1開關電容積分器 12.4.2同相SC積分器 12.4.3開關電容濾波器 12.5數(shù)/模轉(zhuǎn)換 12.5.1數(shù)/模轉(zhuǎn)換器基礎 12.5.2數(shù)/模轉(zhuǎn)換器誤差 12.5.3數(shù)/模轉(zhuǎn)換電路 12.6模/數(shù)轉(zhuǎn)換 12.6.1模/數(shù)轉(zhuǎn)換器基礎 12.6.2模/數(shù)轉(zhuǎn)換器誤差 12.6.3基本模/數(shù)轉(zhuǎn)換技術 12.7振蕩器 12.7.1振蕩的巴克豪森準則 12.7.2帶頻率選擇RC網(wǎng)絡的振蕩器 12.8非線性電路的應用 12.8.1精密半波整流器 12.8.2非飽和的精準整流電路 12.9正反饋電路 12.9.1比較器和施密特觸發(fā)器 12.9.2非穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器 12.9.3單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器或單穩(wěn)態(tài)電路 小結(jié) 關鍵詞 參考文獻 習題 第13章 小信號建模與線性放大 13.1晶體管放大器 13.1.1BJT放大器 13.1.2MOSFET放大器 13.2耦合電容和旁路電容 13.3用直流和交流等效電路進行電路分析 13.3.1直流和交流分析步驟 13.4小信號模型簡介 13.4.1二極管小信號行為的圖形解釋 13.4.2二極管的小信號建模 13.5雙極型晶體管的小信號模型 13.5.1混合π模型 13.5.2圖解跨導 13.5.3小信號電流增益 13.5.4BJT的固有電壓增益 13.5.5小信號模型的等效形式 13.5.6簡化的混合π模型 13.5.7雙極型晶體管的小信號定義 13.5.8pnp晶體管的小信號模型 13.5.9用SPICE進行交流分析和瞬態(tài)分析的對比 13.6共射極放大器 13.6.1端電壓增益 13.6.2輸入電阻 13.6.3信號源電壓增益 13.7重要限制及模型簡化 13.7.1共射極放大器的設計指導 13.7.2共射極增益的上限 13.7.3共射極放大器的小信號限制 13.8場效應晶體管的小信號模型 13.8.1MOSFET的小信號模型 13.8.2MOSFET的本征電壓增益 13.8.3MOSFET小信號工作的定義 13.8.4四端MOSFET中的體效應 13.8.5PMOS晶體管的小信號模型 13.8.6結(jié)型場效應晶體管(JFET)的小信號 模型 13.9BJT和FET小信號模型小結(jié)與對比 13.10共源極放大器 13.10.1共源極端電壓增益 13.10.2共源極放大器的信號源電壓增益 13.10.3共源極放大器的設計指導 13.10.4共源極放大器的小信號限制 13.10.5共射極放大器和共源極放大器的 輸入電阻 13.10.6共射極和共源極的輸出電阻 13.10.7三個放大器實例的比較 13.11共射極放大器和共源極放大器小結(jié) 13.11.1可忽略晶體管輸出電阻的指南 13.12放大器功率和信號范圍 13.12.1功耗 13.12.2信號范圍 小結(jié) 關鍵詞 習題 第14章 單晶體管放大器 14.1放大器分類 14.1.1雙極型晶體管的信號注入和抽取 14.1.2場效應管的信號注入和抽取 14.1.3共發(fā)射極(CE)和共源極(CS) 放大器 14.1.4共集電極(CC)和共漏極(CD) 拓撲圖 14.1.5共基極(CB)和共柵極(CG) 放大器 14.1.6小信號模型回顧 14.2反相放大器——共射極和共源極電路 14.2.1共發(fā)射極(CE)放大器 14.2.2共發(fā)射極實例的比較 14.2.3共源極放大器 14.2.4共源極放大器的小信號范圍 14.2.5共發(fā)射極和共源極放大器特性 14.2.6CE/CS放大器小結(jié) 14.2.7通用CE/CS晶體管的等效 晶體管表示 14.3跟隨器電路——共集電極和共漏極放大器 14.3.1端電壓增益 14.3.2輸入電阻 14.3.3信號源電壓增益 14.3.4跟隨器信號范圍 14.3.5跟隨器的輸出電阻 14.3.6電流增益 14.3.7CC/CD放大器小結(jié) 14.4同相放大器——共基極和共柵極電路 14.4.1端電壓增益和輸入電阻 14.4.2信號源電壓增益 14.4.3輸入信號范圍 14.4.4集電極和漏極端的電阻 14.4.5電流增益 14.4.6同相放大器的總體輸入和輸出電阻 14.4.7CB/CG放大器小結(jié) 14.5放大器原型回顧和比較 14.5.1雙極型晶體管放大器 14.5.2FET放大器 14.6采用MOS反相器的共源極放大器 14.6.1電壓增益估算 14.6.2詳細分析 14.6.3其他可選負載 14.6.4輸入和輸出電阻 14.7耦合和旁路電容設計 14.7.1共發(fā)射極和共源極放大器 14.7.2共集電極和共漏極放大器 14.7.3共基極和共柵極放大器 14.7.4設置下限截止頻率fL 14.8放大器設計實例 14.8.1共基極放大器設計的蒙特卡洛分析 14.9多級交流耦合放大器 14.9.1三級交流耦合放大器 14.9.2電壓增益 14.9.3輸入電阻 14.9.4信號源的電壓增益 14.9.5輸出電阻 14.9.6電流和功率增益 14.9.7輸入信號范圍 14.9.8估算多級放大器的截止頻率下限 小結(jié) 關鍵詞 擴展閱讀 習題 第15章 差分放大器和運算放大器設計 15.1差分放大器 15.1.1雙極型和MOS差分放大器 15.1.2雙極型差分放大器的直流分析 15.1.3雙極型差分放大器的傳輸特性 15.1.4雙極型差分放大器的交流分析 15.1.5差模增益以及輸入和輸出電阻 15.1.6共模增益和輸入電阻 15.1.7共模抑制比（CMRR） 15.1.8差模和共模的半電路分析 15.1.9電流源的偏置 15.1.10在SPICE中為電子電流源建模 15.1.11MOSFET差分放大器的直流分析 15.1.12差模輸入信號 15.1.13MOS差分放大器的小信號傳輸特性 15.1.14共模輸入信號 15.1.15差分對模型 15.2基本運算放大器的演進 15.2.1運算放大器的兩級原型 15.2.2提高運算放大器的電壓增益 15.2.3達林頓對 15.2.4減小輸出電阻 15.2.5CMOS運算放大器原型 15.2.6BiCMOS放大器 15.2.7全晶體管實現(xiàn)電路 15.3輸出級 15.3.1源極跟隨器——A類輸出級 15.3.2A類放大器的效率 15.3.3B類推挽輸出級 15.3.4AB類放大器 15.3.5運算放大器的AB類輸出級 15.3.6短路保護 15.3.7變壓器耦合 15.4電子電流源 15.4.1單晶體管電流源 15.4.2電路源的品質(zhì)因數(shù) 15.4.3高輸出電阻電流源 15.4.4電流源設計實例 小結(jié) 關鍵詞 參考文獻 補充閱讀 習題 第16章 模擬集成電路設計技術 16.1電路元件匹配 16.2電流鏡 16.2.1MOS晶體管電流鏡的直流分析 16.2.2改變MOS鏡像比率 16.2.3雙極型晶體管電流鏡的直流分析 16.2.4改變BJT電流鏡的鏡像比率 16.2.5多級電流源 16.2.6緩沖電流鏡 16.2.7電流鏡像的輸出阻抗 16.2.8電流鏡的二端口模型 16.2.9Widlar電流源 16.2.10MOS管Widlar電流源 16.3高輸出電阻電流鏡 16.3.1Widlar電流源 16.3.2Wilson電流源的輸出電阻 16.3.3Cascode電流源 16.3.4Cascode電流源的輸出電阻 16.3.5可調(diào)Cascode電流源 16.3.6電流鏡小結(jié) 16.4參考電流的產(chǎn)生 16.5與電源電壓無關的偏置 16.5.1基于VBE的參考源 16.5.2Widlar電流源 16.5.3與電源電壓無關的偏置單元 16.5.4與電源電壓無關的MOS參考單元 16.6帶隙基準源 16.7電流鏡作為有源負載 16.7.1帶有源負載的CMOS差分放大器 16.7.2帶有源負載的雙極差分放大器 16.8運算放大器中的源負載 16.8.1CMOS運算放大器電壓增益 16.8.2直流設計注意事項 16.8.3雙極型運算放大器 16.8.4輸入級擊穿 16.9μA741運算放大器 16.9.1電路總體工作原理 16.9.2偏置電路 16.9.3μA741輸入級的直流分析 16.9.4μA741輸入級的交流分析 16.9.5整體放大器的電壓增益 16.9.6μA741的輸出級 16.9.7輸出阻抗 16.9.8短路保護電路 16.9.9μA741運算放大器特性小結(jié) 16.10Gilbert模擬乘法器 小結(jié) 關鍵詞 參考文獻 習題 第17章 放大器頻率響應 17.1放大器頻率響應 17.1.1低頻響應 17.1.2缺少主極點情況下估算ωL 17.1.3高頻響應 17.1.4缺少主極點情況下估算ωH 17.2直接確定低頻極點和零點——共源放大器 17.3用短路時間常數(shù)法估算ωL的值 17.3.1估算共發(fā)射極放大器的ωL 17.3.2估算共源極放大器的ωL 17.3.3估算共基極放大器的ωL 17.3.4估算共柵極放大器的ωL 17.3.5估算共集電極放大器的ωL 17.3.6估算共漏極放大器的ωL 17.4高頻晶體管模型 17.4.1雙極型晶體管與頻率相關的混合π模型 17.4.2在SPICE中對Cπ和Cμ建模 17.4.3單位增益頻率fT 17.4.4FET的高頻模型 17.4.5運用SPICE為CGS和CGD建模 17.4.6fT與溝道長度的關系 17.4.7高頻模型的局限性 17.5混合π模型中的基區(qū)電阻 17.5.1基區(qū)電阻對中頻放大器的影響 17.6共發(fā)射極和共源極放大器的高頻響應 17.6.1密勒效應 17.6.2共發(fā)射極和共源極放大器的高頻響應 17.6.3共發(fā)射極放大器傳輸特性的直接分析 17.6.4共發(fā)射極放大器的極點 17.6.5共源極放大器的主極點 17.6.6用開路時間常數(shù)法估算ωH 17.6.7包含源極衰減電阻的共源放大器 17.6.8包含發(fā)射極衰減電阻的共發(fā)射極放大器 的極點 17.7共基極和共柵極放大器的高頻響應 17.8共集電極和共漏極放大器的高頻響應 17.8.1互補射極跟隨器的頻率響應 17.9單級放大器高頻響應小結(jié) 17.9.1放大器的增益帶寬限制 17.10多級放大器的頻率響應 17.10.1差分放大器 17.10.2共集電極/共基極串聯(lián) 17.10.3Cascode放大器的高頻響應 17.10.4電流鏡的截止頻率 17.10.5三級放大器實例 17.11射頻電路介紹 17.11.1射頻放大器 17.11.2并聯(lián)峰化放大器 17.11.3單級調(diào)諧放大器 17.11.4抽頭電感的運用——自耦變壓器 17.11.5多級調(diào)諧電路——同步調(diào)諧和參差 調(diào)諧 17.11.6包含衰減電感的共源放大器 17.12混頻器和平衡調(diào)制器 17.12.1混頻器工作原理簡介 17.12.2單平衡混頻器 17.12.3差分對實現(xiàn)的單平衡混頻器 17.12.4雙平衡混頻器 17.12.5JONES混頻器——雙平衡混頻器/調(diào)制器 小結(jié) 關鍵詞 參考文獻 習題 第18章 晶體管反饋放大器與振蕩器 18.1基本反饋系統(tǒng)回顧 18.1.1閉環(huán)增益 18.1.2閉環(huán)阻抗 18.1.3反饋的作用 18.2反饋放大器的中頻分析 18.2.1閉環(huán)增益 18.2.2輸入電阻 18.2.3輸出電阻 18.2.4偏移電壓計算 18.3反饋放大器電路舉例 18.3.1串并反饋(電壓串聯(lián)反饋) ——電壓 放大器 18.3.2差分輸入串并電壓放大器 18.3.3并并反饋（電壓并聯(lián)反饋）—— 跨阻 放大器 18.3.4串串反饋(電流串聯(lián)反饋)——跨導 放大器 18.3.5并串反饋（電流并聯(lián)反饋）——電流 放大器 18.4反饋放大器穩(wěn)定性回顧 18.4.1未補償放大器的閉環(huán)響應 18.4.2相位裕度 18.4.3高階效應 18.4.4補償放大器響應 18.4.5小信號限制 18.5單極點運算放大器補償 18.5.1三級運放分析 18.5.2場效應管運放的傳輸零點 18.5.3雙極性放大器補償 18.5.4運算放大器的擺率 18.5.5擺率與增益帶寬積之間的關系 18.6高頻振蕩器 18.6.1Colpitts 振蕩器 18.6.2Hartley 振蕩器 18.6.3LC振蕩器的幅值穩(wěn)定 18.6.4振蕩器中的負阻 18.6.5負Gm振蕩器 18.6.6晶體振蕩器 小結(jié) 關鍵詞 參考文獻 習題 附錄 附錄A標準離散元件參數(shù) 附錄B固態(tài)器件模型及SPICE 仿真參數(shù) 附錄C二端口網(wǎng)絡回顧
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清華開發(fā)者書庫深入理解微電子電路設計——電子元器件、數(shù)字電路、模擬電路原理及應用(原書第5版) 作者簡介

[美] 理查德·C.耶格（Richard C. Jaeger） 美國佛羅里達大學電氣工程專業(yè)博士，奧本大學電氣與計算機工程系資深教授，1995年被任命為研究生院杰出導師，主要研究領域為固態(tài)電路和器件、電子封裝、壓阻應力傳感器、低溫電子設備、VLSI設計以及電子設備和電路中的噪聲等。 [美] 特拉維斯·N.布萊洛克（Travis N. Blalock）美國弗吉尼亞大學電氣與計算機工程系教授。

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