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植根厚土 篤行致遠(yuǎn)——鄭厚植院士文集

植根厚土 篤行致遠(yuǎn)——鄭厚植院士文集

出版社:科學(xué)出版社出版時(shí)間:2022-06-01
開(kāi)本: 27cm 頁(yè)數(shù): 639頁(yè)
中 圖 價(jià):¥435.0(7.5折) 定價(jià)  ¥580.0 登錄后可看到會(huì)員價(jià)
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植根厚土 篤行致遠(yuǎn)——鄭厚植院士文集 版權(quán)信息

  • ISBN:9787030717481
  • 條形碼:9787030717481 ; 978-7-03-071748-1
  • 裝幀:一般膠版紙
  • 冊(cè)數(shù):暫無(wú)
  • 重量:暫無(wú)
  • 所屬分類(lèi):>

植根厚土 篤行致遠(yuǎn)——鄭厚植院士文集 內(nèi)容簡(jiǎn)介

本書(shū)梳理和總結(jié)中國(guó)科學(xué)院院士、物理學(xué)家鄭厚植先生近60年從事物理學(xué)領(lǐng)域科研活動(dòng)的歷程。主要包括鄭厚植院士生活和工作的珍貴照片、有代表性的研究論文、科研評(píng)述、學(xué)術(shù)咨詢(xún)、自傳等內(nèi)容。鄭厚植院士是我國(guó)著名的物理學(xué)家,在理論及應(yīng)用方面對(duì)半導(dǎo)體低維量子結(jié)構(gòu)中的新效應(yīng)進(jìn)行了系統(tǒng)的研究,并取得多項(xiàng)重要成果,對(duì)推動(dòng)我國(guó)半導(dǎo)體物理科學(xué)領(lǐng)域的學(xué)術(shù)繁榮、學(xué)科發(fā)展、技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)振興以及人才培養(yǎng)做出了重要貢獻(xiàn)。

植根厚土 篤行致遠(yuǎn)——鄭厚植院士文集 目錄

目錄序部分 自述自述 3第二部分 論著選編Magnetoconductance studies on InP surfaces 13Electron subbands on InP 19Electron subbands on InP 23Observation of size effect in the quantum Hall regime 41Distribution of the quantized Hall potential in GaAs AlxGa1-xAs heterostructures 49Size effect in the quantum Hall regime 56Gate controlled transport in narrow GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures 61Influences of particle hole Hartree interaction on magnetoresistances in disordered two dimensional hole systems 70Influences of a parallel magnetic field on localization of disordered twodimensional electrons in GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures 86Nonresonant magnetotunneling in asymmetric GaAs/AlAs doublebarrier structures 93Γ-X-Γ magneto tunneling oscillations in GaAs/AlAs double barrier structures 100Tunneling escape time of electrons from a quantum well with Γ-X mixing effect 107Density of states of the twodimensional electron gas studied by magnetocapacitances of biased double barrier structures 114Studies on tunneling escape time of electrons from a quantum well in multilayered heterostructures 129Direct observation for the reduction of exciton binding energy induced by perpendicular electric field 136Subband separation energy dependence of intersubband relaxation time in wide quantum wells 143The enhancement of diffusion by strain of InAs quantum dots in a GaAs matrix 150Suppression of sequential tunneling current by a perpendicular magnetic field in a three barrier, two well heterostructure 157Electron transport through a double quantum dot structure with intradot and interdot Coulomb interactions 163Magnetoexciton polaritons in planar semiconductor microcavities 172Electrical manifestation of the quantum confined Stark effect by quantum capacitance response in an optically excited quantum well 180Capacitance voltage characteristic as a trace of the exciton evolvement from spatially direct to indirect in quantum wells 188ivInfluence of transverse interdot coupling on transport properties of an Aharonov Bohm structure composed by two dots and two reservoirs 195Ultrafast geometric manipulation of electron spin and detection of the geometric phase via Faraday rotation spectroscopy 206Evaluation of holonomic quantum computation:adiabatic versus nonadiabatic 214Mode splitting in photoluminescence spectra of a quantum dot embedded microcavity 222Conditions for the local manipulation of tripartite Gaussian states 229Laterally confined modes in wet etched, metal coated, quantum dot inserted pillar microcavities 237Noiseless method for checking the Peres separability criterion by local operations and classical communication 244A convenient way of determining the ferromagnetic transition temperature of metallic (Ga,Mn)As 253A new type of photoelectric response in a double barrier structure with a wide quantum well 262Spin polarized injection into a p-type GaAs layer from a Co2MnAl injector 267Measurement of the transmission magnetic circular dichroism of Ga1-x MnxAs epilayers using a built in p-i-n photodiode 275Valley Zeeman splitting of monolayer MoS2 probed by low-field magnetic circular dichroism spectroscopy at room temperature 284GaAs/P型AlxGa1-xAs 異質(zhì)結(jié)界面二維空穴的量子輸運(yùn)特性 295Photonstorage in optical memory cells based on a semiconductor quantum dot quantum well hybrid structure 304Conditions for the local manipulation of all bipartite Gaussian states 312靜壓下半導(dǎo)體微腔內(nèi)激子與光子行為的研究 320Electronic band structures and electron spins of InAs/GaAs quantum dots induced by wettinglayer fluctuation 325Electric field control of deterministic current induced magnetization switching in a hybrid ferromagnetic/ferroelectric structure 336Tuning a binary ferromagnet into a multistate synapse with spin orbit torque induced plasticity 346超導(dǎo)/低維電子氣耦合體系研究 361半導(dǎo)體微腔中的重要物理現(xiàn)象 385第三部分 科研評(píng)述鄭厚植與低維半導(dǎo)體物理 421第四部分 學(xué)術(shù)咨詢(xún)創(chuàng)新三思 43521世紀(jì)的納米技術(shù) 439我國(guó)半導(dǎo)體超晶格科學(xué)的進(jìn)展 442學(xué)習(xí)《論科學(xué)技術(shù)》培養(yǎng)青年科技人才 448迎接挑戰(zhàn),重視量子結(jié)構(gòu)、量子器件及其集成技術(shù)的基礎(chǔ)研究 450整數(shù)、分?jǐn)?shù)量子霍爾效應(yīng)簡(jiǎn)介 453中國(guó)科技如何應(yīng)對(duì)WTO 470人工物性剪裁——半導(dǎo)體超晶格物理、材料及新器件結(jié)構(gòu)的探索 472微電子、光電子與微系統(tǒng)子領(lǐng)域技術(shù)趨勢(shì)與展望 475具有變革性的光電子、光子器件技術(shù)發(fā)展路線圖 479半導(dǎo)體物理 485關(guān)于影響我國(guó)發(fā)展的重大科技問(wèn)題的思考 494關(guān)于太陽(yáng)能作為可再生能源的經(jīng)濟(jì)評(píng)價(jià) 499太陽(yáng)能發(fā)電作為可再生能源的主要科學(xué)技術(shù)問(wèn)題 503關(guān)于發(fā)展我國(guó)新固態(tài)光源(SSL)的建議 513第五部分 信件往來(lái)給常州市懷德苑小學(xué)四(1)班同學(xué)們的一封信 523給常州市懷德苑小學(xué)三(5)班同學(xué)們的一封信 524給學(xué)生的一封回信 525一段遙遠(yuǎn)的回憶——祝賀我的母校上海市曹楊第二中學(xué)建校60周年 526第六部分 行政管理中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所《知識(shí)創(chuàng)新工程》試點(diǎn)方案概要 529半導(dǎo)體超晶格國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的建立和發(fā)展 532關(guān)于國(guó)家“十五”科技計(jì)劃體系研究的一點(diǎn)看法 536關(guān)于研究所發(fā)展戰(zhàn)略的若干思考——高技術(shù)創(chuàng)新與資本運(yùn)營(yíng) 538光輝的業(yè)績(jī),永恒的師表 541深化改革、繼往開(kāi)來(lái)——紀(jì)念中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所建所40周年 543中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所改革進(jìn)程的若干情況 547所長(zhǎng)任期述職報(bào)告(1994—1998年) 566所長(zhǎng)述職報(bào)告(1999—2002年) 580攜手前進(jìn)、迎接挑戰(zhàn)——祝賀清華大學(xué)微電子學(xué)研究所成立20周年 618在第十四屆全國(guó)半導(dǎo)體物理學(xué)術(shù)會(huì)議暨半導(dǎo)體物理學(xué)術(shù)討論會(huì)開(kāi)幕式上的講話 620在中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所領(lǐng)導(dǎo)換屆大會(huì)上的講話622繼往開(kāi)來(lái),重視和加強(qiáng)低維量子結(jié)構(gòu)的物理研究——祝賀黃昆院士80華誕 624一代宗師德厚流光——紀(jì)念黃昆先生誕辰100周年 625榮譽(yù)表彰 631授權(quán)專(zhuān)利 632培養(yǎng)學(xué)生名單 635
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