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不同形貌GaN納米線制備技術(shù)

不同形貌GaN納米線制備技術(shù)

出版社：冶金工業(yè)出版社出版時(shí)間：2023-08-01
開本： 24cm 頁數(shù)： 161頁
中 圖 價(jià):¥43.2(6.0折) 定價(jià)  ¥72.0 登錄后可看到會(huì)員價(jià)
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不同形貌GaN納米線制備技術(shù) 版權(quán)信息

不同形貌GaN納米線制備技術(shù) 內(nèi)容簡(jiǎn)介

本書以西安理工大學(xué)光電材料制備與器件設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)近20年所開展的GaN基材料制備與場(chǎng)發(fā)射特性研究為依托，通過化學(xué)氣相沉積法可控制備出塔形、鉛筆形、針尖狀、繩形、竹葉形、螺旋形及三維分支結(jié)構(gòu)的GaN納米線，闡明了這些不同形貌GaN納米線的合成機(jī)理，發(fā)現(xiàn)它們因具有特殊的結(jié)構(gòu)和大的場(chǎng)增強(qiáng)因子而具有優(yōu)異的光電和場(chǎng)發(fā)射特性。

不同形貌GaN納米線制備技術(shù) 目錄

目錄1緒論1.1引言1.2納米材料簡(jiǎn)介1.2.1納米材料概述1.2.2納米材料的特性1.3氮化鎵材料性質(zhì)1.3.1物理性質(zhì)1.3.2化學(xué)性質(zhì)1.3.3電學(xué)性質(zhì)1.3.4光學(xué)性質(zhì)1.4氮化鎵納米線的合成方法1.4.1分子束外延法1.4.2金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法1.4.3氫化物輸運(yùn)氣相外延生長(zhǎng)法1.4.4模板限制生長(zhǎng)法1.4.5激光燒蝕法1.4.6氧化物輔助生長(zhǎng)法1.4.7化學(xué)氣相沉積法1.4.8溶膠-凝膠法1.5納米線的生長(zhǎng)機(jī)制1.5.1 VLS機(jī)制1.5.2 VS機(jī)制1.6場(chǎng)發(fā)射簡(jiǎn)介1.6.1功函數(shù)1.6.2場(chǎng)增強(qiáng)因子1.6.3場(chǎng)發(fā)射陰極材料研究進(jìn)展1.7 GaN納米材料研究進(jìn)展1.7.1 GaN材料實(shí)驗(yàn)研究進(jìn)展1.7.2 GaN材料理論研究進(jìn)展1.7.3 GaN納米材料場(chǎng)發(fā)射研究進(jìn)展2特殊形貌GaN納米線制備及場(chǎng)發(fā)射性能研究2.1塔形GaN納米線制備2.1.1工藝條件對(duì)制備塔形GaN納米線的影響2.1.2塔形GaN納米線XRD表征2.1.3塔形GaN納米線SEM表征2.1.4塔形GaN納米線TEM表征2.1.5塔形GaN納米線生長(zhǎng)機(jī)理分析2.2塔形GaN納米線性能測(cè)試2.2.1塔形GaN納米線光致發(fā)光譜分析2.2.2塔形GaN納米線拉曼光譜分析2.2.3塔形GaN納米線場(chǎng)發(fā)射性能分析2.3鉛筆形GaN納米線制備2.3.1工藝條件對(duì)制備鉛筆形GaN納米線的影響2.3.2鉛筆形GaN納米線XRD表征2.3.3鉛筆形GaN納米線SEM表征2.3.4鉛筆形GaN納米線生長(zhǎng)機(jī)理分析2.4鉛筆形GaN納米線場(chǎng)發(fā)射性能分析2.5總結(jié)3三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線制備及場(chǎng)發(fā)射性能研究3.1引言3.2三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線制備3.3三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線表征3.3.1三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線XRD表征3.3.2三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線SEM表征3.3.3三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線TEM表征3.4三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線生長(zhǎng)機(jī)理分析3.5三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線性能測(cè)試3.5.1三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線光致發(fā)光譜分析3.5.2三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線場(chǎng)發(fā)射性能分析3.6總結(jié)4 Se摻雜GaN納米線場(chǎng)發(fā)射性能研究4.1**性原理研究Se摻雜GaN納米線4.1.1密度泛函理論4.1.2計(jì)算模型和方法4.1.3形成能4.1.4模型優(yōu)化4.1.5能帶結(jié)構(gòu)4.1.6態(tài)密度4.1.7功函數(shù)4.2
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