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太赫茲光電導(dǎo)天線

作者：施衛(wèi)
出版社：華東理工大學(xué)出版社出版時間：2024-03-01
開本： 其他 頁數(shù)： 284
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太赫茲光電導(dǎo)天線 版權(quán)信息

太赫茲光電導(dǎo)天線 內(nèi)容簡介

基于LT-GaAs的太赫茲天線與普通半絕緣SI-GaAs材料相比，在同樣激勵條件下太赫茲頻譜帶寬增加近兩倍。本書主要系統(tǒng)介紹太赫茲光導(dǎo)天線理論與技術(shù)。太赫茲光電導(dǎo)天線包括低溫生長砷化鎵、砷化膜覆蓋著金屬接觸可以作為光學(xué)興奮寬帶太赫茲時域測量或光混頻器發(fā)射。同類書籍描述過的大同小異的內(nèi)容，本書不再涉及。本書可供物理學(xué)相關(guān)專業(yè)本科高年級和研究生參考學(xué)習(xí)，同時可供從事太赫茲領(lǐng)域研究的相關(guān)科研人員參考和借鑒。同類書籍描述過的大同小異的內(nèi)容，本書不再涉及。本書可供物理學(xué)相關(guān)專業(yè)本科高年級和研究生參考學(xué)習(xí)，同時可供從事太赫茲領(lǐng)域研究的相關(guān)科研人員參考和借鑒。

太赫茲光電導(dǎo)天線 目錄

1太赫茲波的產(chǎn)生 和探測技術(shù)001\n1.1 太赫茲波簡介003\n1.1.1 太赫茲波的特性及應(yīng)用003\n1.1.2 太赫茲波的特性004\n1.1.3太赫茲波的應(yīng)用005\n1.1.4 制約太赫茲技術(shù)發(fā)展的因素008\n1.2 太赫茲時域光譜技術(shù)009\n1.2.1 基于光電導(dǎo)天線的太赫茲時域光譜系統(tǒng)012\n1.2.2 光電導(dǎo)天線013\n1.3 太赫茲光電導(dǎo)天線的研究歷史與現(xiàn)狀014\n1.4 光電導(dǎo)天線研究中存在的問題018\n參考文獻(xiàn)021\n2 光電導(dǎo)天線產(chǎn)生和探測太赫茲波的機(jī)理025\n2.1 德魯?shù)?洛倫茲模型027\n2.1.1載流 子密度的變化027\n2.1.2漂移速 度的變化027\n2.1.3電 場的屏蔽效應(yīng)028\n2.1.4電場的輻射028\n2.2電流瞬沖模型029\n2.3等離 子體模型030\n2.3.1激光誘導(dǎo) 等離子體輻射太赫茲波的理論模型031\n2.3.2GaAs光電導(dǎo)天線輻射太赫茲波頻譜寬度的實(shí)驗(yàn)與理論計算034\n2.3.3GaAs光電導(dǎo)天線輻射太赫茲波峰值頻率的實(shí)驗(yàn)與理論計算036\n2.4光電導(dǎo)天線檢測太赫茲波的機(jī)理042\n參考文獻(xiàn)047\n3 光電導(dǎo)天線材料051\n3.1 GaAs 材料的性質(zhì)053\n3.1.1 SI- GaAs 054\n3.1.2 LT- GaAs055\n3.2其他種類的 光電導(dǎo)材料055\n3.2.1藍(lán)寶石外延硅(SOS)055\n3.2.21030nm激光器泵浦的材料056\n3.2.3 1 100~1 300 nm激光器泵浦的材料056\n3.2.41550nm(通信波長)激光器泵浦的材料057\n3.2.5寬禁帶半導(dǎo)體材料060\n3.3天線芯片材料對天線輻射太赫茲波功率的影響066\n3.4天線的噪聲069\n3.4.1天線的噪聲模型069\n3.4.2 LT- GaAs天線和SI - GaAs天線的信噪比實(shí)驗(yàn)074\n3.5天線輻射 太赫茲波的穩(wěn)定性076\n3.5.1溫度 對天線芯片材料性能的影響076\n3.5.2 LT- GaAs天線和SI - GaAs天線的穩(wěn)定性實(shí)驗(yàn)079\n3.6 GaAs:O 080\n3.6.1離子注人條件的選擇081\n3.6.2退火過程081\n3.6.3 GaAs:O天線和SI - GaAs天線性能的對比082\n參考文獻(xiàn)084\n4 光電導(dǎo)太赫茲天線結(jié)構(gòu)087\n4.1天線電極結(jié)構(gòu)對GaAs光電導(dǎo)天線輻射特性的影響089\n4.1.1天線電極長度L對GaAs光電導(dǎo)天線輻射特性的影響092\n4.1.2天線線寬W對GaAs光電導(dǎo)天線輻射特性的影響092\n4.1.3 天線間隙g對GaAs光電導(dǎo)天線輻射特性的影響093.\n4.2 大孔徑光電導(dǎo)天線.094\n4.2.1電極間隙094\n4.2.2電極寬度對天線穩(wěn)定性的影響096\n4.2.3熱沉對 天線穩(wěn)定性的影響097\n4.2.4刻蝕對天線 擊穿場強(qiáng)的影響098\n4.2.5絕緣保護(hù)對天線擊穿場強(qiáng)的影響099\n參考文獻(xiàn)100\n5光電導(dǎo)天線制備工藝105\n5.1掩模版的制作107\n5.2 天線的制備工藝108\n5.3天線的安裝111\n5.4電極材料對天線性能的影響111\n5.4.1 金屬電極和SI - GaAs的接觸理論111\n5.4.2n型GaAs天線電極材料的研究117\n5.4.3光電導(dǎo)天線電極性能的測試119\n參考文獻(xiàn)127\n6相干合成光電導(dǎo)天線陣列129\n6.1光電導(dǎo)天線陣列的發(fā)展歷史131\n6.2相干疊加的基本原理133\n6.3天線陣列的結(jié)構(gòu)136\n6.4 分立光電導(dǎo)天線陣列138\n6.4.11X2光電導(dǎo)天線陣列的太赫茲波輻射138\n6.4.22X2光電導(dǎo)天線陣列的太赫茲波輻射141\n6.5集 成光電導(dǎo)天線陣列143\n6.5.1太赫茲波功率探測的基本原理143\n6.5.2集成光電導(dǎo)天線陣列輻射太赫茲波的功率探測144\n6.5.3集成光電導(dǎo)天線陣列相干合成功率密度146\n參考文獻(xiàn)147\n7非線性光電導(dǎo)天線149\n7.1 線性工作模式151\n7.1.1 線性工作模式的特性151\n7.1.2線性工作模式GaAs光電導(dǎo)天線的太赫茲輻射特性152\n7.2 非線性工作模式156\n7.2.1雪崩倍增工作模式的特性157\n7.2.2雪崩倍增工作模式GaAs光電導(dǎo)天線的缺陷158\n7.2.3高倍增猝滅工作模式159\n7.2.4高倍增猝滅工作模式的特性159\n7.2.5高倍增猝滅工作模式GaAs光電導(dǎo)天線的實(shí)現(xiàn)160\n7.2.6高倍增猝滅工作模式GaAs光電導(dǎo)天線的弱光觸發(fā)161\n7.2.7高倍增猝滅 工作模式GaAs光電導(dǎo)天線的重頻特性166\n7.2.8高倍增猝滅工作模式GaAs光電導(dǎo)天線的太赫茲輻射特性170\n參考文獻(xiàn)177\n8光電導(dǎo)天線對太赫茲波的全信息探測技術(shù)179\n8.1脈沖太赫茲波偏振檢測概述181\n8.2Fe 注人InP的偏振敏感探測器182\n8.3偏振敏感的 四接觸電極探測器184\n8.4多接觸光電導(dǎo)天線的結(jié)構(gòu)性評估190\n8.5脈沖太赫茲全信息探測天線陣列198\n參考文獻(xiàn)209\n9光電導(dǎo)天線的應(yīng)用211\n9.1檢測交聯(lián)聚乙烯絕緣電纜材料的老化特性213\n9.2研究太赫茲波在非均勻等離子體中的傳輸特性215\n9.3應(yīng)用于生物檢測領(lǐng)域220\n9.3.1基于PCA輻射源的微流控芯片檢測含水生物樣品221\n9.3.2基于PCA輻射源的THz-ATR技術(shù)檢測含水生物樣品229\n9.3.3基于PCA輻射源的超材料太赫茲技術(shù)檢測含水生物樣品236\n9.3.4基于PCA輻射源的波導(dǎo)太赫茲技術(shù)檢測含水生物樣品.245\n9.4 脈沖太赫茲全信息探測天線陣列的應(yīng)用247\n9.4.1手性特征介質(zhì)概述247\n9.4.2谷氨酸-5-甲酯的太赫茲波光學(xué)特性249\n9.4.3谷氨酸-5-甲酯的旋光性255\n參考文獻(xiàn)262\n索引264
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太赫茲光電導(dǎo)天線 作者簡介

施衛(wèi)，教授，博士生導(dǎo)師，西安理工大學(xué)理學(xué)院應(yīng)用物理系主任。國家自然科學(xué)基金重點(diǎn)1項(xiàng)、面上項(xiàng)目5項(xiàng)；中國博士點(diǎn)基金1項(xiàng)；國家重大基礎(chǔ)前期研究專項(xiàng)1項(xiàng)；國家863計劃子題1項(xiàng)；國家973計劃（子題）2項(xiàng)；國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室基金3項(xiàng)。研究領(lǐng)域：超快光電技術(shù)及器件、太赫茲科學(xué)與技術(shù)。

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