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微電子制造技術(shù)實(shí)驗(yàn)教程

微電子制造技術(shù)實(shí)驗(yàn)教程

出版社：科學(xué)出版社出版時(shí)間：2015-06-01
開本： 其它 頁數(shù)： 152
本類榜單：教材銷量榜
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微電子制造技術(shù)實(shí)驗(yàn)教程 版權(quán)信息

微電子制造技術(shù)實(shí)驗(yàn)教程 本書特色

由王姝婭、戴麗萍、鐘志親、王剛、杜江鋒編* 的《微電子制造技術(shù)實(shí)驗(yàn)教程》是面向微電子及相關(guān) 專業(yè)的實(shí)驗(yàn)教程，以微電子器件制造過程為主線，重 點(diǎn)闡述學(xué)生在微電子制造技術(shù)學(xué)習(xí)中必須掌握的基礎(chǔ) 知識(shí)和實(shí)驗(yàn)方法。第1、2章介紹清洗、氧化、擴(kuò)散、 離子注入、光刻、刻蝕、沉積等相關(guān)制造工藝的基礎(chǔ) 知識(shí)和基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)，詳細(xì)闡述各項(xiàng)單步工藝的實(shí)驗(yàn)原理 、實(shí)驗(yàn)設(shè)備、實(shí)驗(yàn)方法和步驟。第3章介紹微電子器 件制造過程中的物理性能測試實(shí)驗(yàn)和電學(xué)性能測試實(shí) 驗(yàn)。第4章介紹二極管、肖特基二極管、三極管、 cmos管、集成電阻器等器件的制造以及集成運(yùn)算放大 器的參數(shù)測試、邏輯ic功能和參數(shù)的測試兩個(gè)綜合實(shí) 驗(yàn)。全書共28個(gè)實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目，各實(shí)驗(yàn)相對獨(dú)立，不同學(xué) ？筛鶕(jù)實(shí)際實(shí)驗(yàn)條件選用。 　　本書可作為高等院校微電子及相關(guān)專業(yè)的實(shí)驗(yàn)教 材，也可作為教師和一般微電子制造工程技術(shù)人員的 參考資料。

微電子制造技術(shù)實(shí)驗(yàn)教程 內(nèi)容簡介

本教材《微電子制造技術(shù)實(shí)驗(yàn)教材》是針對微電子相關(guān)專業(yè)的本科生的實(shí)驗(yàn)動(dòng)手能力培養(yǎng)而編寫的。本書涵蓋了所有微電子制造及集成的基礎(chǔ)知識(shí)和基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)。包括硅片清洗、氧化、擴(kuò)散、離子注入、光刻、濕法及干法刻蝕、薄膜沉積、物理測試、化學(xué)測試等基礎(chǔ)知識(shí)和實(shí)驗(yàn)，同時(shí)介紹了二級(jí)管、三極管、電阻器、CMOS管等器件制造的綜合性實(shí)驗(yàn)。本書的重點(diǎn)在于培養(yǎng)學(xué)生的動(dòng)手能力，注重實(shí)驗(yàn)的操作。

微電子制造技術(shù)實(shí)驗(yàn)教程 目錄

第1章  基礎(chǔ)知識(shí)  1.1 硅片  1.2 清洗  1.3 氧化  1.4 擴(kuò)散  1.5 離子注入  1.6 光刻  1.7 刻蝕  1.8 化學(xué)氣相沉積  1.8 apcvd  1.8 lpcvd  1.8 pecvd  1.9 物理氣相沉積    1.9.1 蒸發(fā)    1.9.2 磁控濺射第2章  基礎(chǔ)工藝實(shí)驗(yàn)  2.1 清洗工藝實(shí)驗(yàn)    2.1.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;   2.1.2 實(shí)驗(yàn)原理    2.1.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容    2.1.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與器材    2.1.5 實(shí)驗(yàn)步驟    2.1.6 注意事項(xiàng)    2.1.7 思考題  2.2 氧化工藝實(shí)驗(yàn)    2.2.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;   2.2.2 實(shí)驗(yàn)原理    2.2.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容    2.2.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與器材    2.2.5 實(shí)驗(yàn)步驟    2.2.6 注意事項(xiàng)    2.2.7 思考題  2.3 擴(kuò)散工藝實(shí)驗(yàn)    2.3.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;   2.3.2 實(shí)驗(yàn)原理    2.3.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容    2.3.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與器材    2.3.5 實(shí)驗(yàn)步驟    2.3.6 注意事項(xiàng)    2.3.7 思考題  2.4 離子注入實(shí)驗(yàn)    2.4.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;   2.4.2 實(shí)驗(yàn)原理    2.4.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容    2.4.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與器材    2.4.5 實(shí)驗(yàn)步驟    2.4.6 注意事項(xiàng)    2.4.7 思考題  2.5 光刻實(shí)驗(yàn)    2.5.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;   2.5.2 實(shí)驗(yàn)原理    2.5.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容    2.5.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與器材    2.5.5 實(shí)驗(yàn)步驟    2.5.6 注意事項(xiàng)    2.5.7 思考題  2.6 濕法刻蝕工藝實(shí)驗(yàn)    2.6.1 硅刻蝕    2.6.2 濕法刻蝕實(shí)驗(yàn)    2.6.3 氮化硅的刻蝕    2.6.4 鋁刻蝕  2.7 干法刻蝕實(shí)驗(yàn)    2.7.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;   2.7.2 實(shí)驗(yàn)原理    2.7.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容    2.7.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與器材    2.7.5 實(shí)驗(yàn)步驟    2.7.6 注意事項(xiàng)    2.7.7 思考題  2.8 化學(xué)氣相沉積實(shí)驗(yàn)    2.8.1 lpcvd制備si3n4、sio2薄膜及非晶硅薄膜    2.8.2 pecvd制備si3n4、sio2薄膜及非晶硅薄膜  2.9 金屬薄膜制備實(shí)驗(yàn)    2.9.1 電子束蒸發(fā)工藝實(shí)驗(yàn)    2.9.2 磁控濺射工藝實(shí)驗(yàn)  2.10 金屬剝離工藝實(shí)驗(yàn)    2.10.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;   2.10.2 實(shí)驗(yàn)原理    2.10.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容    2.10.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與器材    2.10.5 實(shí)驗(yàn)步驟    2.10.6 注意事項(xiàng)    2.10.7 思考題第3章  基礎(chǔ)測試實(shí)驗(yàn)  3.1 物理性能測試實(shí)驗(yàn)    3.1.1 sio2厚度測試實(shí)驗(yàn)    3.1.2 方塊電阻的測量實(shí)驗(yàn)    3.1.3 結(jié)深的測量實(shí)驗(yàn)  3.2 電學(xué)性能測試    3.2.1 晶圓級(jí)二極管性能測試實(shí)驗(yàn)    3.2.2 晶圓級(jí)雙極型晶體管性能測試實(shí)驗(yàn)    3.2.3 晶圓級(jí)mos管性能測試實(shí)驗(yàn)第4章  微電子制造綜合實(shí)驗(yàn)  4.1 二極管制造實(shí)驗(yàn)    4.1.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;   4.1.2 實(shí)驗(yàn)原理    4.1.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容    4.1.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與器材    4.1.5 實(shí)驗(yàn)步驟    4.1.6 實(shí)驗(yàn)注意事項(xiàng)    4.1.7 思考題  4.2 肖特基二極管制造試驗(yàn)    4.2.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;   4.2.2 實(shí)驗(yàn)原理    4.2.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容    4.2.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與器材    4.2.5 實(shí)驗(yàn)步驟    4.2.6 實(shí)驗(yàn)注意事項(xiàng)    4.2.7 思考題  4.3 三極管制造實(shí)驗(yàn)    4.3.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;   4.3.2 實(shí)驗(yàn)原理    4.3.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容    4.3.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與器材    4.3.5 實(shí)驗(yàn)步驟    4.3.6 實(shí)驗(yàn)注意事項(xiàng)    4.3.7 思考題  4.4 cmos管制造實(shí)驗(yàn)    4.4.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;   4.4.2 實(shí)驗(yàn)原理    4.4.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容    4.4.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與器材    4.4.5 實(shí)驗(yàn)步驟    4.4.6 實(shí)驗(yàn)注意事項(xiàng)    4.4.7 思考題  4.5 集成電阻器制造實(shí)驗(yàn)    4.5.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;   4.5.2 實(shí)驗(yàn)原理    4.5.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容    4.5.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與器材    4.5.5 實(shí)驗(yàn)步驟    4.5.6 實(shí)驗(yàn)注意事項(xiàng)    4.5.7 思考題  4.6 集成運(yùn)算放大器參數(shù)測試實(shí)驗(yàn)    4.6.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;   4.6.2 實(shí)驗(yàn)原理    4.6.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容    4.6.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與器材    4.6.5 實(shí)驗(yàn)步驟    4.6.6 思考題  4.7 邏輯ic功能和參數(shù)測試實(shí)驗(yàn)    4.7.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;   4.7.2 實(shí)驗(yàn)原理    4.7.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容    4.7.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與器材    4.7.5 實(shí)驗(yàn)步驟    4.7.6 思考題主要參考文獻(xiàn)
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