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薄膜生長(zhǎng)-(第二版)

出版社:科學(xué)出版社出版時(shí)間:2013-03-01
開(kāi)本: 32開(kāi) 頁(yè)數(shù): 355
中 圖 價(jià):¥70.6(7.2折) 定價(jià)  ¥98.0 登錄后可看到會(huì)員價(jià)
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薄膜生長(zhǎng)-(第二版) 版權(quán)信息

薄膜生長(zhǎng)-(第二版) 內(nèi)容簡(jiǎn)介

本書(shū)從薄膜的角度介紹相平衡和晶體表面原子結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)知識(shí),講解了薄膜中的缺陷和擴(kuò)散、薄膜生長(zhǎng)的三種模式和成核長(zhǎng)大動(dòng)理學(xué),介紹了金屬薄膜、半導(dǎo)體薄膜、氧化物薄膜的生長(zhǎng)和生長(zhǎng)中出現(xiàn)的分形現(xiàn)象,*后介紹了薄膜制備和研究的各種方法。

薄膜生長(zhǎng)-(第二版) 目錄

第二版前言**版前言**章 相平衡和界面相 1.1 相平衡 1.2 元素和合金的相圖 1.3 固溶體的能量 1.4 固溶體的組態(tài)熵 1.5 界面相 1.6 界面曲率半徑對(duì)壓強(qiáng)的影響 1.7 晶體表面能、界面能和黏附能 1.8 固體表面張力的測(cè)定方法 1.9 表面能對(duì)薄膜穩(wěn)定性的影響 參考文獻(xiàn) 2.1 晶體的對(duì)稱性 2.1.1 晶體的平移對(duì)稱性(平移群) 2.1.2 14種布拉維點(diǎn)陣和7種晶系 2.1.3 32種點(diǎn)群 2.1.4 230種空間群 2.1.5 群的基本概念 2.2 晶體表面的對(duì)稱性 2.2.1 晶體表面的平移對(duì)稱性 2.2.2 5種二維布拉維點(diǎn)陣和4種二維晶系 2.2.3 10種二維點(diǎn)群 2.2.4 17種二維空間群 2.3 晶面間距和晶列間距公式 2.3.1 晶面間距公式 2.3.2 晶列間距公式 2.4 倒易點(diǎn)陣 2.4.1 三維倒易點(diǎn)陣 2.4.2 二維倒易點(diǎn)陣 2.4.3 倒易點(diǎn)陣矢量和晶列、晶面的關(guān)系 參考文獻(xiàn)第三章 晶體表面原子結(jié)構(gòu) 3.1 一些晶體表面的原子結(jié)構(gòu) 3.2 表面原子的配位數(shù) 3.3 表面的臺(tái)面-臺(tái)階-扭折(TLK)結(jié)構(gòu) 3.4 鄰晶面上原子的近鄰數(shù) 3.5 晶體表面能的各向異性 3.6 臺(tái)階和臺(tái)面的粗糙化 參考文獻(xiàn)第四章 再構(gòu)表面和吸附表面 4.1 再構(gòu)表面和吸附表面結(jié)構(gòu)的標(biāo)記 4.2 半導(dǎo)體再構(gòu)表面結(jié)構(gòu) 4.2.1 Si(111) 4.2.2 Si(001) 4.2.3 Si(110) 4.2.4 Ge(111) 4.2.5 Ge(001) 4.2.6 GeSi(111) 4.2.7 GaAs(110) 4.2.8 GaAs(001) 4.2.9 GaAs(111) 4.3 金屬再構(gòu)表面結(jié)構(gòu) 4.4 吸附表面結(jié)構(gòu) 4.4.1 物理吸附和化學(xué)吸附 4.4.2 Si吸附表面 4.4.3 Ge吸附表面 4.4.4 GaAs吸附表面 4.4.5 金屬的吸附表面 4.5 表面相變…… 第五章 薄膜中的晶體缺陷第六章 外延薄膜中缺陷的形成過(guò)程第七章 薄膜中的擴(kuò)散第八章 薄膜的成核長(zhǎng)大熱力學(xué)第九章 薄膜的成核長(zhǎng)大動(dòng)理學(xué)第十章 金屬薄膜的生長(zhǎng)第十一章 半導(dǎo)體薄膜的生長(zhǎng)第十二章 氧化物薄膜的生長(zhǎng)第十三章 薄膜中的分形第十四章 薄膜的制備方法第十五章 薄膜研究方法索引
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