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半導(dǎo)體材料與器件表征 版權(quán)信息
- ISBN：9787569302189
- 條形碼：9787569302189 ; 978-7-5693-0218-9
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
半導(dǎo)體材料與器件表征 內(nèi)容簡介
本書第3版完全囊括了該領(lǐng)域的新發(fā)展現(xiàn)狀，并包括了新的教學(xué)手段，以幫助讀者能更好地理解。第3版不僅闡述了所有新的測量技術(shù)，而且檢驗(yàn)了現(xiàn)有技術(shù)的新解釋和新應(yīng)用！ ”緯匀皇菍ｉT用于半導(dǎo)體材料與器件測量表征技術(shù)的教科書。覆蓋范圍包括全方位的電氣和光學(xué)表征方法，包括更專業(yè)化的化學(xué)和物理技術(shù)。熟悉前兩個(gè)版本的讀者會(huì)發(fā)現(xiàn)一個(gè)徹底修訂和更新的第3版，包括： 反映新數(shù)據(jù)和信息的更新及訂正圖表和實(shí)例 260個(gè)新的參考文獻(xiàn)有關(guān)新的研究和討論的專題 每章結(jié)尾增加用來測試讀者對內(nèi)容理解的新習(xí)題和復(fù)習(xí)題 讀者將在每章中找到完全更新和修訂的節(jié)！ ×硗膺增加了兩個(gè)新章節(jié)： 基于電荷和探針的表征方法引入電荷測量和開爾文探針。本章還研究了基于探針的測量，包括掃描電容、掃描開爾文探針、掃描擴(kuò)散電阻和彈道電子發(fā)射顯微鏡！ 】煽啃院褪Х治鲅芯苛耸r(shí)間和分布函數(shù)，討論了電遷移、熱載流子、柵氧化層完整性、負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性、應(yīng)力誘導(dǎo)漏電流和靜電放電。 該教科書由本領(lǐng)域國際公認(rèn)的撰寫！栋雽(dǎo)體材料與器件表征》對研究生以及半導(dǎo)體器件和材料領(lǐng)域的專業(yè)人員來說仍然是必不可少的閱讀材料。
半導(dǎo)體材料與器件表征 目錄
譯者序
第3版序言
第1章 電阻率
1．1 引言
1．2 兩探針與四探針法
1．2．1 修正因子
1．2．2 任意形狀樣品的電阻率
1．2．3 測量電路
1．2．4 測量誤差和注意事項(xiàng)
1．3 晶片圖
1．3．1 雙注入
1．3．2 調(diào)制光反射
1．3．3 載流子光照（CI）
1．3．4 光學(xué)密度測定（光密度計(jì)）
1．4 電阻壓型
1．4．1 微分霍爾效應(yīng)（DHE）
1．4．2 擴(kuò)散電阻壓型（SRP）
1．5 非接觸測試方法
1．5．1 渦旋電流
1．6 導(dǎo)電類型
1．7 優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)
附錄1．1 電阻率隨摻雜濃度的變化
附錄1．2 本征載流子濃度
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
復(fù)習(xí)題
第2章 載流子與摻雜濃度
2．1 引言
2．2 電容-電壓特性（C-V）
2．2．1 微分電容
2．2．2 能帶偏移
2．2．3 *大-*小MOS-C電容
2．2．4 積分電容
2．2．5 汞探針接觸
2．2．6 電化學(xué)C-V測試儀（ECV）
2．3 電容-電壓（I-V）
2．3．1 MOSFET襯底電壓-柵極電壓
2．3．2 MOSFET閾值電壓
2．3．3 擴(kuò)散電阻
2．4 測量誤差及注意事項(xiàng)
2．4．1 德拜長度和電壓擊穿
2．4．2 串聯(lián)電阻
2．4．3 少數(shù)載流子和界面陷阱
2．4．4 二極管邊緣電容和雜散電容
2．4．5 過剩漏電流
2．4．6 深能級雜質(zhì)／陷阱
2．4．7 半絕緣襯底
2．4．8 儀器限制
2．5 霍爾效應(yīng)
2．6 光學(xué)技術(shù)
2．6．1 等離子體共振
2．6．2 自由載流子吸收
2．6．3 紅外光譜學(xué)
2．6．4 光致發(fā)光
2．7 二次離子質(zhì)譜分析法（SIMS）
2．8 盧瑟福背散射（RBS）
2．9 橫向分布
2．10 優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)
附錄2．1 并聯(lián)或串聯(lián)連接
附錄2．2 電路轉(zhuǎn)換
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
復(fù)習(xí)題
第3章 接觸電阻和肖特基勢壘
第4章 串聯(lián)電阻，溝道長度與寬度，閾值電壓
第5章 缺陷
第6章 柵氧電荷、界面陷阱電荷和柵氧厚度
第7章 載流子壽命
第8章 遷移率
第9章 基于電荷和探針的表征技術(shù)
第10章 光學(xué)表征
第11章 化學(xué)和物理表征
第12章 可靠性和失效分析
附錄1 符號(hào)表
附錄2 術(shù)語與縮寫
索引
第3版序言
第1章 電阻率
1．1 引言
1．2 兩探針與四探針法
1．2．1 修正因子
1．2．2 任意形狀樣品的電阻率
1．2．3 測量電路
1．2．4 測量誤差和注意事項(xiàng)
1．3 晶片圖
1．3．1 雙注入
1．3．2 調(diào)制光反射
1．3．3 載流子光照（CI）
1．3．4 光學(xué)密度測定（光密度計(jì)）
1．4 電阻壓型
1．4．1 微分霍爾效應(yīng)（DHE）
1．4．2 擴(kuò)散電阻壓型（SRP）
1．5 非接觸測試方法
1．5．1 渦旋電流
1．6 導(dǎo)電類型
1．7 優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)
附錄1．1 電阻率隨摻雜濃度的變化
附錄1．2 本征載流子濃度
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
復(fù)習(xí)題
第2章 載流子與摻雜濃度
2．1 引言
2．2 電容-電壓特性（C-V）
2．2．1 微分電容
2．2．2 能帶偏移
2．2．3 *大-*小MOS-C電容
2．2．4 積分電容
2．2．5 汞探針接觸
2．2．6 電化學(xué)C-V測試儀（ECV）
2．3 電容-電壓（I-V）
2．3．1 MOSFET襯底電壓-柵極電壓
2．3．2 MOSFET閾值電壓
2．3．3 擴(kuò)散電阻
2．4 測量誤差及注意事項(xiàng)
2．4．1 德拜長度和電壓擊穿
2．4．2 串聯(lián)電阻
2．4．3 少數(shù)載流子和界面陷阱
2．4．4 二極管邊緣電容和雜散電容
2．4．5 過剩漏電流
2．4．6 深能級雜質(zhì)／陷阱
2．4．7 半絕緣襯底
2．4．8 儀器限制
2．5 霍爾效應(yīng)
2．6 光學(xué)技術(shù)
2．6．1 等離子體共振
2．6．2 自由載流子吸收
2．6．3 紅外光譜學(xué)
2．6．4 光致發(fā)光
2．7 二次離子質(zhì)譜分析法（SIMS）
2．8 盧瑟福背散射（RBS）
2．9 橫向分布
2．10 優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)
附錄2．1 并聯(lián)或串聯(lián)連接
附錄2．2 電路轉(zhuǎn)換
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
復(fù)習(xí)題
第3章 接觸電阻和肖特基勢壘
第4章 串聯(lián)電阻，溝道長度與寬度，閾值電壓
第5章 缺陷
第6章 柵氧電荷、界面陷阱電荷和柵氧厚度
第7章 載流子壽命
第8章 遷移率
第9章 基于電荷和探針的表征技術(shù)
第10章 光學(xué)表征
第11章 化學(xué)和物理表征
第12章 可靠性和失效分析
附錄1 符號(hào)表
附錄2 術(shù)語與縮寫
索引
展開全部
半導(dǎo)體材料與器件表征 作者簡介
迪特爾·K·施羅德，（DIETER K.SCHRODER）博士，美國亞利桑那州立大學(xué)電氣工程系教授。他是亞利桑那州立大學(xué)工學(xué)院教學(xué)優(yōu)秀獎(jiǎng)和幾個(gè)其它教學(xué)獎(jiǎng)獲得者。除了《半導(dǎo)體材料與器件表征》這本書外，施羅德博士也是《先進(jìn)MOS器件》的作者。
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