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SOI——納米技術(shù)時(shí)代的高端硅基材料

SOI——納米技術(shù)時(shí)代的高端硅基材料

出版社：中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)出版社出版時(shí)間：2009-06-01
開本： 16開 頁(yè)數(shù)： 468
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SOI——納米技術(shù)時(shí)代的高端硅基材料 版權(quán)信息

SOI——納米技術(shù)時(shí)代的高端硅基材料 內(nèi)容簡(jiǎn)介

本書收集的納米技術(shù)時(shí)代的高端硅基SOI材料方面的研究論文40篇，主要內(nèi)容包括：SOI——納米技術(shù)時(shí)代的高端硅基材料進(jìn)展，SOI新材料的制備科學(xué)，SOI材料與器件特有的物理效應(yīng)，絕緣體上鍺硅(silicon germanium on insulator，SGOI)新結(jié)構(gòu)和應(yīng)變硅的制備科學(xué)，SOI技術(shù)的若干應(yīng)

SOI——納米技術(shù)時(shí)代的高端硅基材料 目錄

soi——納米技術(shù)時(shí)代的高端硅基材料進(jìn)展
納米技術(shù)時(shí)代的高端硅基材料——soi、ssoi和goi
soi技術(shù)的發(fā)展動(dòng)態(tài)
硅基光電子材料和器件的進(jìn)展和發(fā)展趨勢(shì)
fabrication of sige-on-insulator and applications for strained si
overview of soi materials technology in china
soi新材料的制備科學(xué)
以注氧隔離(simox)技術(shù)制備高阻soi材料
硅中注h+引起的缺陷和應(yīng)力以及剝離的機(jī)制
以aln為絕緣埋層的新結(jié)構(gòu)soan材料
多孔硅外延層轉(zhuǎn)移技術(shù)制備soi材料
eltran技術(shù)制備雙埋層soim新結(jié)構(gòu)
soi新結(jié)構(gòu)——soi研究的新動(dòng)向
fabrication of silicon．on．a(chǎn)ln novel structure and its residual strain characterization·
buried tungsten silicide layer in silicon on insulator substrate by smart-cut
void—free low-temperature silicon direct—bonding technique using plasma activation
microstructure and crystallinity of porous silicon and epitaxial silicon layers fabricated on p+porous silicon
formation of silicon-on-diamond by direct bonding of plasma-synthesized diamond-like carbon to silicon
thermal stability of diamondlike carbon buried layer fabricated by plasma immersion ion implantation and deposition in silicon on insulator
study of soi substrates incorporated with buried mosiz layer
soi材料與器件特有的物理效應(yīng)
s0i mosfet浮體效應(yīng)研究
soi mosfet的自加熱效應(yīng)研究
s0i器件的輻射效應(yīng)及其在抗輻射電子學(xué)方面的應(yīng)用進(jìn)展
evolution of hydrogen and helium co-implanted single-crystal silicon during annealing
……
sgoi新結(jié)構(gòu)和應(yīng)變硅的制備科學(xué)
soi技術(shù)的若干應(yīng)用研究
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SOI——納米技術(shù)時(shí)代的高端硅基材料 作者簡(jiǎn)介

林成魯，1965年畢業(yè)于中國(guó)科技大學(xué)近代化學(xué)系，現(xiàn)為中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員、博士生導(dǎo)師，上海新傲科技有限公司總工程師。長(zhǎng)期從事高端硅基半導(dǎo)體新材料SOI(silicon on insulator)的研究。20世紀(jì)80年代，在國(guó)內(nèi)率先開展SOI技術(shù)基礎(chǔ)研究；90年代，作為SOI創(chuàng)新項(xiàng)目總設(shè)計(jì)師，組織領(lǐng)導(dǎo)突破SOI材料工程化的關(guān)鍵技術(shù)；2001年開始，作為新傲公司總工程師，為成功實(shí)現(xiàn)SOI研究成果轉(zhuǎn)化，打破國(guó)外的技術(shù)封鎖，為建成國(guó)內(nèi)唯一的SOI材料工業(yè)化生產(chǎn)線做出了重要貢獻(xiàn)，實(shí)現(xiàn)了我國(guó)微電子材料的跨越式發(fā)展，取得了重大的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益。先后承擔(dān)國(guó)家攻關(guān)、“973”、“863”等多項(xiàng)國(guó)家重大項(xiàng)目。在國(guó)內(nèi)外刊物上發(fā)表論文300余篇，被SCI收錄的論文240余篇。申請(qǐng)的國(guó)家發(fā)明專利19項(xiàng)，其中已授權(quán)12項(xiàng)。前后已為國(guó)家培養(yǎng)數(shù)十名研究生，所培養(yǎng)的研究生中獲全國(guó)百篇優(yōu)秀博士論文2名。曾獲得國(guó)家科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)、中科院杰出科技成就獎(jiǎng)等十一項(xiàng)獎(jiǎng)勵(lì)。

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