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蒸發(fā)及外延法晶體生長(zhǎng)技術(shù)-晶體生長(zhǎng)手冊(cè)-第4冊(cè)-(影印版)

蒸發(fā)及外延法晶體生長(zhǎng)技術(shù)-晶體生長(zhǎng)手冊(cè)-第4冊(cè)-(影印版)

出版社：哈爾濱工業(yè)大學(xué)出版社出版時(shí)間：2013-01-01
開(kāi)本： 16開(kāi) 頁(yè)數(shù)： 417
中 圖 價(jià):¥67.8(7.7折) 定價(jià)  ¥88.0 登錄后可看到會(huì)員價(jià)
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蒸發(fā)及外延法晶體生長(zhǎng)技術(shù)-晶體生長(zhǎng)手冊(cè)-第4冊(cè)-(影印版) 版權(quán)信息

蒸發(fā)及外延法晶體生長(zhǎng)技術(shù)-晶體生長(zhǎng)手冊(cè)-第4冊(cè)-(影印版) 本書(shū)特色

　　《springer手冊(cè)精選系列·晶體生長(zhǎng)手冊(cè)（第4冊(cè)）：蒸發(fā)及外延法晶體生長(zhǎng)技術(shù)（影印版）》的主題是氣相生長(zhǎng)。這一部分提供了碳化硅、氮化鎵、氮化鋁和有機(jī)半導(dǎo)體的氣相生長(zhǎng)的內(nèi)容。隨后的parte是關(guān)于外延生長(zhǎng)和薄膜的，主要包括從液相的化學(xué)氣相淀積到脈沖激光和脈沖電子淀積。

蒸發(fā)及外延法晶體生長(zhǎng)技術(shù)-晶體生長(zhǎng)手冊(cè)-第4冊(cè)-(影印版) 內(nèi)容簡(jiǎn)介

《Springer手冊(cè)精選系列·晶體生長(zhǎng)手冊(cè)（第4冊(cè)）：蒸發(fā)及外延法晶體生長(zhǎng)技術(shù)（影印版）》的主題是氣相生長(zhǎng)。這一部分提供了碳化硅、氮化鎵、氮化鋁和有機(jī)半導(dǎo)體的氣相生長(zhǎng)的內(nèi)容。隨后的PartE是關(guān)于外延生長(zhǎng)和薄膜的，主要包括從液相的化學(xué)氣相淀積到脈沖激光和脈沖電子淀積。

蒸發(fā)及外延法晶體生長(zhǎng)技術(shù)-晶體生長(zhǎng)手冊(cè)-第4冊(cè)-(影印版) 目錄

縮略語(yǔ)
partd 晶體的氣相生長(zhǎng)
23 sic晶體的生長(zhǎng)與表征
　23.1 sic-背景與歷史
　23.2 氣相生長(zhǎng)
　23.3 高溫溶液生長(zhǎng)
　23.4 籽晶升華的產(chǎn)業(yè)化體材料生長(zhǎng)
　23.5 結(jié)構(gòu)缺陷及其構(gòu)造
　23.6 結(jié)語(yǔ)
　參考文獻(xiàn)
24 物理氣相傳輸法生長(zhǎng)體材料ain晶體
　24.1 物理氣相傳輸法晶體生長(zhǎng)
　24.2 高溫材料兼容
　24.3 ain體材料晶體的自籽晶生長(zhǎng)
　24.4 ain體材料晶體的籽晶生長(zhǎng)
　24.5 高質(zhì)量晶體表征
　24.6 結(jié)論與展望
　參考文獻(xiàn)
25 單晶有機(jī)半導(dǎo)體的生長(zhǎng)
　25.1 基礎(chǔ)
　25.2 成核與晶體生長(zhǎng)理論
　25.3 對(duì)半導(dǎo)體單晶有機(jī)材料的興趣
　25.4 提純預(yù)生長(zhǎng)
　25.5 晶體生長(zhǎng)
　25.6 有機(jī)半導(dǎo)體單晶的質(zhì)量
　25.7 有機(jī)單晶場(chǎng)效應(yīng)晶體管
　25.8 結(jié)論
　參考文獻(xiàn)
26 鹵化物氣相外延生長(zhǎng)ⅲ族氮化物
　26.1 生長(zhǎng)化學(xué)和熱力學(xué)
　26.2 hvpe生長(zhǎng)設(shè)備
　26.3 體材料gan的生長(zhǎng)襯底和模版
　26.4 襯底除去技術(shù)
　26.5 hvpe中g(shù)an的摻雜方法
　26.6 缺陷密度、位錯(cuò)和殘留雜質(zhì)
　26.7 hvpe生長(zhǎng)的體材料gan的一些重要性能
　26.8 通過(guò)hvpe生長(zhǎng)ain:一些初步的結(jié)論
　26.9 通過(guò)hvpe生長(zhǎng)inn:一些初步的結(jié)論
　參考文獻(xiàn)
27 半導(dǎo)體單晶的氣相生長(zhǎng)
　27.1 氣相生長(zhǎng)分類
　27.2 化學(xué)氣相傳輸——傳輸動(dòng)力學(xué)
　27.3 熱力學(xué)討論
　27.4 cvt法ⅱ-ⅵ化合物半導(dǎo)體的生長(zhǎng)
　27.5 納米材料的氣相生長(zhǎng)
　27.6ⅰ-ⅲ-ⅵ，化合物生長(zhǎng)
　27.7 vpe法生長(zhǎng)氮化鎵
　27.8 結(jié)論
　參考文獻(xiàn)
parte 外延生長(zhǎng)和薄膜
28化學(xué)氣相沉積的碳化硅外延生長(zhǎng)
　28.1 碳化硅極化類型
　28.2 碳化硅的缺陷
　28.3 碳化硅外延生長(zhǎng)
　28.4 圖形襯底上的外延生長(zhǎng)
　28.5 結(jié)論
　參考文獻(xiàn)
29 半導(dǎo)體的液相電外延
　29.1 背景
　29.2 早期理論和模型的研究
　……
30 半導(dǎo)體的外延橫向增生
31 新材料的液相外延
32 分子束外延的hgcdte生長(zhǎng)
33 稀釋氮化物的金屬有機(jī)物氣相外延和砷化物量子點(diǎn)
34 鍺硅異質(zhì)結(jié)的形成及其特性
35 脈沖激光的等離子能量和脈沖電子淀積

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蒸發(fā)及外延法晶體生長(zhǎng)技術(shù)-晶體生長(zhǎng)手冊(cè)-第4冊(cè)-(影印版) 相關(guān)資料

　　施普林格的手冊(cè)，一貫全面闡述基礎(chǔ)理論，提供可靠的研究方法和關(guān)鍵知識(shí)皮及大量的參考文獻(xiàn)，介紹最新的應(yīng)用實(shí)例，前瞻學(xué)科的發(fā)展方向。手冊(cè)作者多為世界首席專家或知名學(xué)者。手冊(cè)具有極大的實(shí)用性，其表格、圖標(biāo)、索引等更增加了它的使用價(jià)值。 　　——《springer手冊(cè)精選系列》推薦委員會(huì)

蒸發(fā)及外延法晶體生長(zhǎng)技術(shù)-晶體生長(zhǎng)手冊(cè)-第4冊(cè)-(影印版) 作者簡(jiǎn)介

　　Govindhan Dhanaraj is the Manager of Crystal Growth Technologies at Advanced Renewable Energy Company （ARC Energy） at Nashua， New Hampshire （USA） focusing on the growth of large size sapphire crystals for LED lighting applications， characterization and related crystal growth furnace development. He received his PhD from the Indian Institute of Science， Bangalore and his Master of Science from Anna University （India）. Immediately after his doctoral degree， Dr. Dhanaraj joined a National Laboratory， presently known as Rajaramanna Center for Advanced Technology in India， where he established an advanced Crystal Growth Laboratory for the growth of optical and laser crystals. Prior to joining ARC Energy， Dr. Dhanaraj served as a Research Professor at the Department of Materials Science and Engineering， Stony Brook University， NY， and also held a position of Research Assistant Professor at Hampton University， VA. During his 25 years of focused expertise in crystal growth research， he has developed optical， laser and semiconductor bulk crystals and SiC epitaxial films using solution， flux， Czochralski， Bridgeman， gel and vapor methods， and characterized them using x-ray topography， synchrotron topography， chemical etching and optical and atomic force microscopic techniques. He co-organized a symposium on Industrial Crystal Growth under the 17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy in conjunction with the 14th US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy held at Lake Geneva， WIin 2009. Dr. Dhanaraj has delivered invited lectures and also served as session chairman in many crystal growth and materials science meetings. He has published over 100 papers and his research articles have attracted over 250 rich citations.

暫無(wú)評(píng)論……
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