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模擬電子技術(shù)

作者：賀素霞
出版社：電子工業(yè)出版社出版時(shí)間：2016-01-01
開(kāi)本： 16開(kāi) 頁(yè)數(shù)： 292
本類榜單：藝術(shù)銷量榜
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模擬電子技術(shù) 版權(quán)信息

模擬電子技術(shù) 內(nèi)容簡(jiǎn)介

本書(shū)是英文原版教材Electronic Devices and Circuit Theory,Ninth．Edition之英文改編版《模擬電子技術(shù)》的翻譯版，內(nèi)容包括半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)、二極管及其應(yīng)用電路、晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的基本原理及頻率響應(yīng)、功率放大電路、多級(jí)放大電路、差分放大電路、電流源等模擬集成電路的單元電路、反饋電路、模擬集成運(yùn)算放大器、電壓比較器和波形變換電路等。本書(shū)對(duì)原版教材進(jìn)行了改編，精簡(jiǎn)了內(nèi)容，突出了**，補(bǔ)充了必要知識(shí)點(diǎn)，內(nèi)容更加新穎和系統(tǒng)化，反映了器件和應(yīng)用的發(fā)展趨勢(shì)，強(qiáng)調(diào)了系統(tǒng)工程的概念。 本書(shū)與英文版教材配套使用，適合電子、計(jì)算機(jī)、通信等相關(guān)專業(yè)電子電路基礎(chǔ)課程40學(xué)時(shí)到68學(xué)時(shí)的中文或雙語(yǔ)教學(xué)要求，也可供相關(guān)專業(yè)工程技術(shù)人員的學(xué)習(xí)和參考。

模擬電子技術(shù) 目錄

第1章 半導(dǎo)體二極管1.1 概述1.2 半導(dǎo)體材料：鍺、硅和砷化鎵1.3 共價(jià)鍵和本征材料1.4 摻雜材料：n型材料和p型材料1.5 半導(dǎo)體二極管1.6 理想特性與實(shí)際特性1.7 電阻水平1.8 二極管等效電路1.9 勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容1.10 反向恢復(fù)時(shí)間1.11 二極管規(guī)格表1.12 半導(dǎo)體二極管符號(hào)1.13 齊納二極管1.14 小結(jié)1.15 計(jì)算機(jī)分析習(xí)題第2章 二極管應(yīng)用2.1 概述2.2 負(fù)載線分析2.3 等效模型分析2.4 與/或門2.5 JE弦波輸入、半波整流2.6 全波整流2.7 限幅電路2.8 鉗位電路2.9 齊納二極管2.10 小結(jié)習(xí)題第3章 雙極性結(jié)型晶體管3.1 概述3.2 晶體管的結(jié)構(gòu)3.3 晶體管的工作原理3.4 共基組態(tài)3.5 晶體管放大原理3.6 共射組態(tài)3.7 共集組態(tài)3.8 晶體管的工作限3.9 晶體管規(guī)格說(shuō)明書(shū)3.10 晶體管外形及引腳識(shí)別3.11 小結(jié)習(xí)題第4章 BdT電路直流偏置4.1 概述4.2 工作點(diǎn)4.3 固定偏置電路4.4 射極偏置4.5 分壓式偏置4.6 電壓反饋式直流偏置4.7 其他偏置電路4.8 晶體管開(kāi)關(guān)電路4.9 pnp型晶體管4.10 偏置的穩(wěn)定性4.11 小結(jié)習(xí)題第5章 BdT交流分析5.1 概述5.2 交流放大5.3 BJT管建模5.4 r晶體管模型5.5 混合等效模型5.6 混合丌模型5.7 晶體管參數(shù)的變化5.8 固定偏置共射放大電路5.9 分壓式偏置共射放大電路5.10 射極偏置共射放大電路5.11 射極跟隨電路5.12 共基電路5.13 集電極反饋電路5.14 集電極直流反饋電路5.15 電流放大倍數(shù)的確定5.16 Rt和Rs的影響5.17 雙端口網(wǎng)絡(luò)方法5.18 總結(jié)表5.19 級(jí)聯(lián)系統(tǒng)5.20 達(dá)林頓復(fù)合管5.21 反饋對(duì)復(fù)合管5.22 鏡像電流源電路5.23 電流源電路5.24 簡(jiǎn)化混合等效模型5.25 小結(jié)習(xí)題第6章 場(chǎng)效應(yīng)晶體管6.1 概述6.2 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的構(gòu)造和特性6.3 轉(zhuǎn)移特性6.4 規(guī)格清單(結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)6.5 重要關(guān)系6.6 耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管6.7 增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管6.8 互補(bǔ)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管6.9 總結(jié)表6.10 小結(jié)習(xí)題第7章 場(chǎng)效應(yīng)管的偏置7.1 概述7.2 固定偏置電路7.3 自偏置電路7.4 分壓偏置電路7.5 耗盡型MOSFET7.6 增強(qiáng)型MOSFET7.7 總結(jié)表7.8 組合電路7.9 p溝道場(chǎng)效應(yīng)管7.10 小結(jié)習(xí)題第8章 場(chǎng)效應(yīng)管放大器8.1 概述8.2 場(chǎng)效應(yīng)管的小信號(hào)模型8.3 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的固定偏置電路8.4 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的自偏置電路8.5 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的分壓偏置電路8.6 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的源極跟隨器(共漏極)電路8.7 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的共柵極電路8.8 耗盡型MOSFET8.9 增強(qiáng)型MOSFET8.10 增強(qiáng)型MOSFET漏極反饋電路8.11 增強(qiáng)型MOSFET分壓偏置電路8.12 總結(jié)表8.13 R和R的影響8.14 級(jí)聯(lián)電路8.15 小結(jié)習(xí)題第9章 BJT和FET的頻率響應(yīng)9.1 概述9.2 一般的頻率因素9.3 低頻分析——伯德圖9.4 低頻響應(yīng)——BJT放大器9.5 低頻響應(yīng)——FET放大器9.6 密勒效應(yīng)電容或密勒電容9.7 高頻響應(yīng)——BJT放大器9.8 高頻響應(yīng)——FET放大器9.9 多級(jí)頻率響應(yīng)9.10 小結(jié)習(xí)題第10章 運(yùn)算放大器10.1 概述10.2 差分放大電路10.3 差模和共模操作10.4 BiFET，BiMOS和CMOS構(gòu)成的差分放大電路10.5 運(yùn)算放大器基礎(chǔ)10.6 運(yùn)算放大器參數(shù)——直流補(bǔ)償參數(shù)10.7 運(yùn)算放大器參數(shù)——頻率參數(shù)10.8 運(yùn)算放大器規(guī)格說(shuō)明書(shū)10.9 小結(jié)習(xí)題第11章 運(yùn)算放大器的應(yīng)用11.1 運(yùn)算電路11.2 有源濾波器11.3 比較器應(yīng)用11.4 施密特觸發(fā)器11.5 小結(jié)習(xí)題第12章 功率放大器12.1 概述——功率放大器的定義與類型12.2 串饋型甲類功率放大器12.3 變壓器耦合甲類功率放大器12.4 乙類功率放大器的工作12.5 乙類功率放大器12.6 丙類和丁類功率放大器12.7 小結(jié)習(xí)題第13章 反饋電路13.1 反饋的概念13.2 反饋的組態(tài)類型13.3 實(shí)用反饋電路13.4 反饋放大器——相位和頻率考慮13.5 小結(jié)習(xí)題
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