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核材料輻照位錯環(huán) 版權(quán)信息
- ISBN:9787118112405
- 條形碼:9787118112405 ; 978-7-118-11240-5
- 裝幀:一般膠版紙
- 冊數(shù):暫無
- 重量:暫無
- 所屬分類:>>
核材料輻照位錯環(huán) 本書特色
位錯環(huán)是輻照引入的一種*常見的缺陷。本書系統(tǒng)介紹了位錯環(huán)形核和長大 的過程、規(guī)律和機理,討論了位錯環(huán)的各種影響因素,闡述了位錯環(huán)與其他輻照效 應(yīng)的關(guān)系,介紹了各種常見核合金的位錯環(huán)研究進展。在理論方面,著重介紹了位 錯環(huán)形核和生長的速率理論及其應(yīng)用。在實驗技術(shù)方面,詳細(xì)介紹了位錯環(huán)的透 射電鏡觀測技術(shù)以及對位錯環(huán)的機理研究有重要意義的透射電鏡原位觀測裝置、 技術(shù)和應(yīng)用。 本書可供從事核材料輻照損傷和輻照效應(yīng)研究的科研人員參考,也可供高校 相關(guān)專業(yè)的教師和研究生參考。
核材料輻照位錯環(huán) 內(nèi)容簡介
位錯環(huán)是輻照引入的一種*常見的缺陷。郭立平、羅鳳鳳、于雁霞著的《核材料輻照位錯環(huán)》系統(tǒng)介紹了位錯環(huán)形核和長大的過程、規(guī)律和機理,討論了位錯環(huán)的各種影響因素,闡述了位錯環(huán)與其他輻照效應(yīng)的關(guān)系,介紹了各種常見核合金的位錯環(huán)研究進展。在理論方面,著重介紹了位錯環(huán)形核和生長的速率理論及其應(yīng)用。在實驗技術(shù)方面,詳細(xì)介紹了位錯環(huán)的透射電鏡觀測技術(shù)以及對位錯環(huán)的機理研究有重要意義的透射電鏡原位觀測裝置、技術(shù)和應(yīng)用。本書可供從事核材料輻照損傷和輻照效應(yīng)研究的科研人員參考,也可供高校相關(guān)專業(yè)的教師和研究生參考。
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