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機械工業(yè)出版社集成電路制造工藝與工程應用

機械工業(yè)出版社集成電路制造工藝與工程應用

作者：溫德通
出版社：機械工業(yè)出版社出版時間：2018-08-01
開本： 16開 頁數(shù)： 241
中 圖 價:¥57.4(5.8折) 定價  ¥99.0 登錄后可看到會員價
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機械工業(yè)出版社集成電路制造工藝與工程應用 版權(quán)信息

機械工業(yè)出版社集成電路制造工藝與工程應用 本書特色

本書以實際應用為出發(fā)點，對集成電路制造的主流工藝技術進行了逐一介紹，例如應變硅技術、HKMG技術、SOI技術和FinFET技術，然后從工藝整合的角度，通過圖文對照的形式對典型工藝進行介紹，例如隔離技術的發(fā)展、硬掩膜版工藝技術、LDD工藝技術、Salicide工藝技術、ESD IMP工藝技術、AL和Cu金屬互連。然后把這些工藝技術應用于實際工藝流程中，通過實例讓讀者能快速的掌握具體工藝技術的實際應用。 本書旨在向從事半導體行業(yè)的朋友介紹半導體工藝技術，給業(yè)內(nèi)人士提供簡單易懂并且與實際應用相結(jié)合的參考書。本書也可供微電子學與集成電路專業(yè)的學生和教師閱讀參考。

機械工業(yè)出版社集成電路制造工藝與工程應用 內(nèi)容簡介

溫德通老師這本《集成電路制造工藝與工程應用》，從幾年前開始編寫時就與我進行了溝通，在看過初稿后，我對于他親自繪制的數(shù)百幅工藝流程圖印象深刻，并且深感佩服，這些圖片在目前講述集成電路工藝的教材中是看不到的，這也是我決定這本書一定要采用彩色印刷的原因。而且教材往往囿于知識體系的完整，不可能將具體的工藝流程如此詳細地講解，而我們在學習的時候，對于教材中所敘述的工藝流程總是限制在名詞術語之間，而溫老師得益于他十多年在企業(yè)中的工作經(jīng)驗，彌補了這些不足，為讀者奉上了這本佳作。 作為同是微電子學專業(yè)的我，深知這樣的書在編寫上的難度，以及找尋愿意去寫這樣的書的作者有多難。本書的出現(xiàn)，相信一定會為集成電路領域做出很大的貢獻！這個領域雖然小眾，但是對于和傳統(tǒng)教科書有所區(qū)別，具有鮮明特點和針對性的圖書的需求，我一直相信是有的，而且很大。 在編寫時，溫老師數(shù)易其稿，并且力求簡明和清晰，這不是一本大而全的教科書，但卻是工藝方面難能可貴的參考資料，希望能收到各位半導體集成電路從業(yè)者的喜愛。正如溫老師在扉頁中所寫的那句話一樣：謹以此書，獻給所有熱愛半導體行業(yè)的朋友！

機械工業(yè)出版社集成電路制造工藝與工程應用 目錄

專家推薦 寫作緣由與編寫過程 致謝 第1章 引言 1.1崛起的CMOS工藝制程技術 1.1.1 雙極型工藝制程技術簡介 1.1.2 PMOS工藝制程技術簡介 1.1.3 NMOS工藝制程技術簡介 1.1.4 CMOS工藝制程技術簡介 1.2 特殊工藝制程技術 1.2.1 BiCMOS工藝制程技術簡介 1.2.2 BCD工藝制程技術簡介 1.2.3 HV- CMOS工藝制程技術簡介 1.3 MOS集成電路的發(fā)展歷史 1.4 MOS器件的發(fā)展和面臨的挑戰(zhàn) 參考文獻 第2章 先進工藝制程技術 2.1 應變硅工藝技術 2.1.1 應變硅技術的概況 2.1.2 應變硅技術的物理機理 2.1.3 源漏嵌入SiC應變技術 2.1.4 源漏嵌入SiGe應變技術 2.1.5 應力記憶技術  2.1.6 接觸刻蝕阻擋層應變技術 2.2 HKMG工藝技術 2.2.1 柵介質(zhì)層的發(fā)展和面臨的挑戰(zhàn) 2.2.2 襯底量子效應 2.2.3 多晶硅柵耗盡效應 2.2.4 等效柵氧化層厚度 2.2.5 柵直接隧穿漏電流 2.2.6 高介電常數(shù)介質(zhì)層 2.2.7 HKMG工藝技術 2.2.8 金屬嵌入多晶硅柵工藝技術 2.2.9 金屬替代柵極工藝技術 2.3 SOI工藝技術 2.3.1 SOS技術 2.3.2 SOI技術 2.3.3 PD- SOI 2.3.4 FD- SOI 2.4 FinFET和UTB-SOI工藝技術 2.4.1 FinFET的發(fā)展概況 2.4.2 FinFET和UTB- SOI的原理 2.4.3 FinFET工藝技術 參考文獻 第3章 工藝集成 3.1 隔離技術 3.1.1 pn結(jié)隔離技術 3.1.2 LOCOS（硅局部氧化）隔離技術 3.1.3 STI（淺溝槽）隔離技術 3.1.4 LOD效應 3.2 硬掩膜版工藝技術 3.2.1 硬掩膜版工藝技術簡介 3.2.2 硬掩膜版工藝技術的工程應用 3.3 漏致勢壘降低效應和溝道離子注入 3.3.1 漏致勢壘降低效應 3.3.2 暈環(huán)離子注入 3.3.3 淺源漏結(jié)深 3.3.4 倒摻雜阱 3.3.5 阱鄰近效應 3.3.6 反短溝道效應 3.4 熱載流子注入效應和輕摻雜漏（LDD）工藝技術 3.4.1 熱載流子注入效應簡介 3.4.2 雙擴散漏（DDD）和輕摻雜漏（LDD）工藝技術 3.4.3 側(cè)墻（Spacer Sidewall）工藝技術 3.4.4 輕摻雜漏離子注入和側(cè)墻工藝技術的工程應用 3.5 金屬硅化物技術 3.5.1 Polycide工藝技術 3.5.2 Salicide工藝技術 3.5.3 SAB工藝技術 3.5.4 SAB和Salicide工藝技術的工程應用 3.6 靜電放電離子注入技術 3.6.1 靜電放電離子注入技術 3.6.2 靜電放電離子注入技術的工程應用 3.7 金屬互連技術 3.7.1 接觸孔和通孔金屬填充 3.7.2 鋁金屬互連 3.7.3 銅金屬互連 3.7.4 阻擋層金屬 參考文獻 第4章 工藝制程整合 4.1 亞微米CMOS前段工藝制程技術流程 4.1.1 襯底制備 4.1.2 雙阱工藝 4.1.3 有源區(qū)工藝 4.1.4 LOCOS隔離工藝 4.1.5 閾值電壓離子注入工藝 4.1.6 柵氧化層工藝 4.1.7 多晶硅柵工藝 4.1.8 輕摻雜漏（LDD）離子注入工藝 4.1.9 側(cè)墻工藝 4.1.10 源漏離子注入工藝 4.2 亞微米CMOS后段工藝制程技術流程 4.2.1 ILD工藝 4.2.2 接觸孔工藝 4.2.3 金屬層1工藝 4.2.4 IMD1工藝 4.2.5 通孔1工藝 4.2.6 金屬電容（MIM）工藝 4.2.7 金屬2工藝 4.2.8 IMD2工藝 4.2.9 通孔2工藝 4.2.10 頂層金屬工藝 4.2.11 鈍化層工藝 4.3 深亞微米CMOS前段工藝技術流程 4.3.1 襯底制備 4.3.2 有源區(qū)工藝 4.3.3 STI隔離工藝 4.3.4 雙阱工藝 4.3.5 柵氧化層工藝 4.3.6 多晶硅柵工藝 4.3.7 輕摻雜漏（LDD）離子注入工藝 4.3.8 側(cè)墻工藝 4.3.9 源漏離子注入工藝 4.3.10 HRP工藝 4.3.11 Salicide工藝 4.4 深亞微米CMOS后段工藝技術 4.5 納米CMOS前段工藝技術流程 4.6 納米CMOS后段工藝技術流程 4.6.1 ILD工藝 4.6.2 接觸孔工藝 4.6.3 IMD1工藝 4.6.4 金屬層1工藝 4.6.5 IMD2工藝 1 4.6.6 通孔1和金屬層2工藝 4.6.7 IMD3工藝 4.6.8 通孔2和金屬層3工藝  4.6.9 IMD4工藝 4.6.10 頂層金屬Al工藝 4.6.11 鈍化層工藝、 參考文獻 第5章 晶圓接受測試（WAT） 5.1 WAT概述 5.1.1 WAT簡介 5.1.2 WAT測試類型 5.2 MOS參數(shù)的測試條件 5.2.1 閾值電壓 V t 的測試條件 5.2.2 飽和電流 I dsat 的測試條件 5.2.3 漏電流 I off 的測試條件 5.2.4 源漏擊穿電壓 BVD的測試條件 5.2.5 襯底電流 I sub 的測試條件 5.3 柵氧化層參數(shù)的測試條件 5.3.1 電容 C gox 的測試條件 5.3.2 電性厚度 T gox 的測試條件 5.3.3 擊穿電壓 BV gox 的測試條件 5.4 寄生MOS參數(shù)測試條件 5.5 pn結(jié)參數(shù)的測試條件 5.5.1 電容 C jun 的測試條件 5.5.2 擊穿電壓 BV jun 的測試條件 5.6 方塊電阻的測試條件 5.6.1 NW方塊電阻的測試條件 5.6.2 PW方塊電阻的測試條件 5.6.3 Poly方塊電阻的測試條件 5.6.4 AA方塊電阻的測試條件 5.6.5 金屬方塊電阻的測試條件 5.7 接觸電阻的測試條件 5.7.1 AA接觸電阻的測試條件 5.7.2 Poly接觸電阻的測試條件 5.7.3 金屬通孔接觸電阻的測試條件 5.8 隔離的測試條件 5.8.1 AA隔離的測試條件 5.8.2 Poly隔離的測試條件 5.8.3 金屬隔離的測試條件 5.9 電容的測試條件 5.9.1 電容的測試條件 5.9.2 電容擊穿電壓的測試條件 后記 縮略語
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機械工業(yè)出版社集成電路制造工藝與工程應用 相關資料

溫德通先生的《集成電路制造工藝與工程應用》讓我大開眼界，也是我這幾年看到的半導體先進工藝制造技術教科書里的出類拔萃之作。書中采用了大量示意圖來描述工藝制造過程，讓讀者直觀地理解每一步工藝流程。同時，書中也詳盡地講解了*的FD-SOI工藝技術和FinFET技術和制造過程。我相信這本書將對半導體專業(yè)的大學生、研究生、教師，以及工程技術人員學習和了解半導體芯片制造技術起到重要的作用。希望溫德通先生能夠不斷更新這本書，使其成為半導體產(chǎn)業(yè)的經(jīng)典教科書。 —— 謝志峰 艾新工商學院 院長/創(chuàng)始人 近十幾年，我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，集成電路工藝技術層出不窮，產(chǎn)業(yè)界急需一部對新工藝現(xiàn)狀進行全面闡述的書籍，溫德通先生結(jié)合十余年工作經(jīng)驗的積累，花大量的時間研究分析半導體*工藝，寫出了一部基本上覆蓋所有半導體*工藝技術，并兼具科普性與專業(yè)性的書籍。《集成電路制造工藝與工程應用》一書內(nèi)容充實豐富，章節(jié)合理有序，通過3D彩圖等形式將工藝細節(jié)直觀、形象地展示出來，不管是半導體入門者還是具有一定工作經(jīng)驗的從業(yè)者，通過此書都能更宏觀地理解微觀的半導體工藝和器件。溫先生利用工作之余將其編著成書，這種十年磨一劍的工匠精神非常值得學習和鼓勵。 －－陳智勇 寧波達新半導體有限公司 創(chuàng)始人兼董事長（國家千人計劃專家） 《集成電路制造工藝與工程應用》是作者依據(jù)多年的產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗編寫而成的，也是他職業(yè)生涯的寶貴經(jīng)驗總結(jié)。作者采用了有別于傳統(tǒng)的半導體工藝教材的編寫方法，并沒有對各個傳統(tǒng)的工藝概念進行大量的解釋，而是從工藝實際應用的角度出發(fā)去介紹目前應用廣泛的各個工藝技術和一些先進的納米級工藝技術，還用了大量篇幅去介紹各個工藝技術的物理機理。另外本書大的特點是作者采用了大量的立體圖和剖面深入淺出地介紹各個工藝技術出現(xiàn)的緣由和發(fā)展過程，以及這些工藝技術的實際工程應用，使晦澀難懂的工藝知識變得通俗易懂。 ——畢杰 ET創(chuàng)芯網(wǎng)（EETOP）創(chuàng)始人兼CEO 集成電路制造工藝是整個半導體產(chǎn)業(yè)的基石，芯片設計創(chuàng)新離不開對物理世界的理解和知識運用！都呻娐分圃旃に嚺c工程應用》的獨到之處在于，作者溫德通先生既有在半導體工藝制程一線工作的豐富經(jīng)驗，又曾在芯片設計公司負責和管理多家FAB工藝平臺，因此能夠以跨界的視角來提煉制造工藝技術全貌，既注重理論體系又強調(diào)實際運用。全書中用大量彩色剖面圖，幫助讀者理解晶圓制造的關鍵步驟和器件知識，簡明易懂，足見作者的功力和匠心。希望本書能給予讀者啟發(fā)和幫助，幫助培養(yǎng)出更多的集成電路人才。 ——張競揚 摩爾精英創(chuàng)始人兼CEO 本書*的特色是使用了600余幅3D彩圖將抽象的半導體工藝和器件的知識進行了具體化和形象化的講解，是一本非常貼合實際應用的不可多得的作品，推薦給半導體行業(yè)的學生和初入行的同仁。 ——鞠韶復 長江存儲科技有限責任公司 技術基礎處副總裁 半導體工藝技術涉及面很寬，包括半導體材料、工藝方案、半導體物理及器件理論，甚至還有量子力學理論等。因此要對半導體工藝技術的發(fā)展和特點作全面的介紹和比較，有著巨大的挑戰(zhàn)性。在《集成電路制造工藝與工程應用》這本書中，作者以其扎實的知識儲備和難得的跨領域工作經(jīng)歷為基礎，采用獨特的視角——從經(jīng)典的TTL、PMOS、NMOS、CMOS、BiCMOS、BCD等，一直到*的FD-SOI、FinFET等；從亞微米、到深亞微米，一直到*的納米——來講解集成電路工藝技術，循序漸進，深入淺出，很好地銓釋了半個多世紀來半導體工藝技術的發(fā)展軌跡。在工藝步驟方面配以彩圖講解，也增加了學習的趣味性，增強理解與記憶。正所謂一圖勝過千字。除了比較各種工藝技術方案的優(yōu)劣，作者還總結(jié)了各種新的工藝方案所帶來的新問題，比如HKMG工藝所增加的SiON層對等效柵極電容的不良影響。這對讀者了解今后工藝技術的發(fā)展方向很有幫助。 ——吾立峰 北京華大九天軟件有限公司 高級副總經(jīng)理 晶圓制造及測試工藝細節(jié)繁復，溫德通先生的這本《集成電路制造工藝與工程應用》將晶圓制造的關鍵步驟提綱挈領地概括提煉出來，并輔以剖面圖詳細說明，簡明易懂，一目了然。縱觀國內(nèi)的半導體工藝書籍，少有如此全面概括晶圓工藝歷史及步驟的。此書不但概念全面，實用性也很強，能夠全面幫助芯片設計、版圖設計、工藝流程管控的人員對于晶圓制造和測試過程中引入的問題加深理解，對于芯片設計到制造整體鏈條都有很大的參考意義。在國家大力扶持集成電路產(chǎn)業(yè)的時代，相信此書的面市將給整個芯片產(chǎn)業(yè)及其從業(yè)人員帶來很好的示范作用和促進作用！ －－林峰 深圳信煒科技有限公司 研發(fā)部副總經(jīng)理 《集成電路制造工藝與工程應用》是一本多元化且在實際應用層面有諸多探討的半導體制程的參考書籍。簡潔的文字配以精細的圖片，令讀者容易明白，期望這本書能引發(fā)更多學生和年輕人的興趣從而投身微電子半導體，造福整個行業(yè)。 －－Alex Ng 晶門科技有限公司 高級設計經(jīng)理 從事集成電路設計23年，看過無數(shù)講工藝的書。從沒有一本像《集成電路制造工藝與工程應用》這樣對工藝流程講解得這么詳細。書中彩色插圖多，敘述深入淺出，容易理解，可以說是集成電路工藝書中的的經(jīng)典。更難能可貴的是對初學者或?qū)呻娐饭に囉信d趣者也是一個不錯的選擇。 －－許尊杰 英麥科（廈門）微電子科技有限公司 模擬IC高級設計工程師 剛打開這本《集成電路制造工藝與工程應用》時眼前突然一亮，發(fā)現(xiàn)該書完全不同于國內(nèi)已出版的關于集成電路制造工藝的眾多教材和著作，具有兩大鮮明特點。 (1)該書針對目前集成電路生產(chǎn)中的先進納米級工藝，從工藝整合角度，詳細介紹集成電路的制造流程和實現(xiàn)方法，同時包括*的納米級技術（如FinFET），在解釋機理的基礎上突出介紹實際應用，填補了目前已出版的同類教材和著作的短缺。閱讀本書將大大縮短剛畢業(yè)的本科生和研究生從介入到勝任芯片設計、版圖設計、工藝流程管控等相關工作的過渡期，對已從事集成電路研制的人員也具有很大的實用參考作用。 (2)該書另一個特色是為了幫助對工藝流程的理解，包括有大量的立體圖和剖面圖。由于采用彩色印刷，不但美觀，而且使得對工藝流程的理解從抽象變得直觀明了。 在目前我國正大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的時代，此書的作用就更加不言而喻了。 ——賈新章 西安電子科技大學微電子學院 教授

機械工業(yè)出版社集成電路制造工藝與工程應用 作者簡介

溫德通，IC高級設計工程師。畢業(yè)于西安電子科技大學微電子學院，曾供職于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司，負責工藝制程整合方面的工作；后加入晶門科技（深圳）有限公司工作至今，負責集成電路工藝制程、器件、閂鎖效應和ESD電路設計等方面的工作。

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