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模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(第3版)/王振宇

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(第3版)/王振宇

出版社：東南大學(xué)出版社出版時(shí)間：2018-07-01
開(kāi)本： 其他 頁(yè)數(shù)： 358
本類(lèi)榜單：教材銷(xiāo)量榜
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模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(第3版)/王振宇 版權(quán)信息

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(第3版)/王振宇 本書(shū)特色

《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（第3版）》內(nèi)容以模擬集成電路為主，但保留了作為分立元件電路和集成電路共同基礎(chǔ)的內(nèi)容，重點(diǎn)放在講授各種基本放大電路的組成及其分析方法、放大電路中的反饋和集成運(yùn)算放大器及其應(yīng)用電路等方面。全書(shū)共分為9章，每章均有適量的例題和習(xí)題，書(shū)末還給出了部分習(xí)題答案。

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(第3版)/王振宇 內(nèi)容簡(jiǎn)介

本書(shū)第3版的修訂者參考了國(guó)家教育部高等學(xué)校電子信息科學(xué)與電氣信息類(lèi)基礎(chǔ)課程教學(xué)指導(dǎo)分委員會(huì)2。04年制定的“模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)課程教學(xué)基本要求（修訂稿）”，結(jié)合長(zhǎng)期執(zhí)教電子技術(shù)課程的教學(xué)經(jīng)驗(yàn)，根據(jù)、2版教材的使用情況，對(duì)全書(shū)進(jìn)行了認(rèn)真的修改和補(bǔ)充。書(shū)中內(nèi)容仍以模擬集成電路為主，但保留了作為分立元件電路和集成電路共同基礎(chǔ)的重要內(nèi)容。本書(shū)在編寫(xiě)過(guò)程中，采取了突出重點(diǎn)、分散難點(diǎn)、適宜制作PPT課件的做法。全書(shū)共分為9章，～8章配備有適量的例題和習(xí)題，另外還配套編寫(xiě)了學(xué)習(xí)指導(dǎo)及習(xí)題解答書(shū)。
本書(shū)適用于理工科高校相關(guān)專(zhuān)業(yè)（包括自動(dòng)化、電氣工程及其自動(dòng)化、電子信息工程、電子信息科學(xué)與技術(shù)、生物醫(yī)學(xué)工程、通信工程、計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)工程、測(cè)控技術(shù)與儀器、機(jī)械電子工程、光信息技術(shù)等）“模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)”課程的教學(xué)，也可供有關(guān)工程技術(shù)人員自學(xué)及參考。

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(第3版)/王振宇 目錄

主要符號(hào)表 1 半導(dǎo)體器件 1.1 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí) 1.1.1 本征半導(dǎo)體 1.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體 1.1.3 PN結(jié)及其特性 1.2 半導(dǎo)體二極管 1.2.1 二極管的結(jié)構(gòu)和類(lèi)型 1.2.2 二極管的伏安特性 1.2.3 二極管的參數(shù) 1.2.4 二極管的型號(hào)及其選擇 1.2.5 二極管應(yīng)用電路及其分析方法 1.2.6 硅穩(wěn)壓管 1.2.7 其他類(lèi)型的二極管 1.3 雙極型晶體三極管（BJT） 1.3.1 BJT的結(jié)構(gòu) 1.3.2 BJT的電流分配與放大作用 1.3.3 共射接法BJT的特性曲線 1.3.4 BJT的主要參數(shù)及其安全工作區(qū) 1.3.5 BJT的類(lèi)型、型號(hào)和選用原則 1.4 光電晶體管 1.5 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET） 1.5.1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 1.5.2 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 1.5.3 FET的主要參數(shù) 1.5.4 FET與BJT的比較 1.6 集成電路（IC） 1.6.1 IC制造工藝 1.6.2 IC的特點(diǎn) 習(xí)題1 2 基本放大電路 2.1 晶體管放大電路的組成及其工作原理 2.1.1 放大的概念與放大電路的組成 2.1.2 放大電路的三種組態(tài) 2.1.3 共射基本放大電路組成及其工作原理 2.1.4 直流通路和交流通路 2.2 圖解分析法 2.2.1 靜態(tài)工作情況分析 2.2.2 動(dòng)態(tài)工作情況分析 2.2.3 靜態(tài)工作點(diǎn)的選擇 2.3 微變等效電路分析法 2.3.1 BJT的低頻小信號(hào)模型及其參數(shù) 2.3.2 用BJT的微變等效電路法分析共射基本放大電路 2.3.3 兩種分析方法的比較 2.4 其他基本放大電路 2.4.1 分壓式偏置穩(wěn)定的共射放大電路 2.4.2 BJT共集放大電路（射極輸出器） 2.4.3 BJT共基放大電路 2.4.4 三種組態(tài)的BJT基本放大電路的比較 2.5 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 2.5.1 FET放大電路的直流偏置及靜態(tài)分析 2.5.2 用微變等效電路法分析FET放大電路 2.5.3 三種組態(tài)場(chǎng)效應(yīng)管（FET）基本放大電路比較 2.6 組合放大單元電路 2.6.1 共集一共射放大電路 2.6.2 共集一共集放大電路 2.6.3 共射一共基放大電路 2.7 放大電路的頻率響應(yīng) 2.7.1 頻率響應(yīng)的基本概念 2.7.2 單時(shí)間常數(shù)RC電路的頻率響應(yīng) 2.7.3 BJT的高頻小信號(hào)模型及頻率參數(shù) 2.7.4 基本共射放大電路的頻率響應(yīng) 2.7.5 放大電路的增益一帶寬積 2.7.6 多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng) 習(xí)題2 3 多級(jí)放大電路和集成運(yùn)算放大器 3.1 多級(jí)放大電路 3.1.1 級(jí)間耦合方式 3.1.2 直接耦合多級(jí)放大電路的Q點(diǎn)配置和零點(diǎn)漂移問(wèn)題 3.1.3 多級(jí)放大電路的分析 3.2 電流源電路 3.2.1 BJT電流源電路 3.2.2 FET電流源電路 3.2.3 電流源作放大電路有源負(fù)載的應(yīng)用舉例 3.3 差動(dòng)放大電路 3.3.1 差動(dòng)放大電路的一般結(jié)構(gòu) 3.3.2 射極耦合差動(dòng)放大電路 3.3.3 源極耦合差動(dòng)放大電路 3.4 集成運(yùn)算放大器 3.4.1 集成運(yùn)放的組成 3.4.2 集成運(yùn)放的主要性能指標(biāo) 3.4.3 典型的集成運(yùn)算放大器 習(xí)題3 4 反饋放大電路 4.1 反饋的基本概念和類(lèi)型 4.1.1 反饋的基本概念 4.1.2 交流負(fù)反饋的組態(tài)及其判別方法 4.2 反饋放大電路的框圖表示法 4.2.1 反饋放大電路的框圖 4.2.2 框圖中各信號(hào)量的含義及其量綱 4.2.3 閉環(huán)增益Af的一般表達(dá)式 4.2.4 反饋深度∣1+AF∣ 4.3 負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響 4.3.1 提高閉環(huán)增益Af的穩(wěn)定性 4.3.2 展寬通頻帶 4.3.3 減小非線性失真，抑制干擾和噪聲 4.3.4 負(fù)反饋對(duì)輸入電阻和輸出電阻的影響 4.4 負(fù)反饋的正確引入 4.5 負(fù)反饋放大電路的分析計(jì)算 4.5.1 深度負(fù)反饋放大電路的本質(zhì)特點(diǎn) 4.5.2 深度負(fù)反饋放大電路的分析估算舉例 4.6 負(fù)反饋放大電路中的自激振蕩及其消除 4.6.1 產(chǎn)生自激的原因及其條件 4.6.2 負(fù)反饋放大電路的穩(wěn)定性及自激振蕩的消除 習(xí)題4 5 集成運(yùn)算放大器的線性應(yīng)用電路 5.1 集成運(yùn)放的應(yīng)用分類(lèi)與分析方法 5.1.1 集成運(yùn)放的應(yīng)用分類(lèi) 5.1.2 集成運(yùn)放的電壓傳輸特性 5.1.3 集成運(yùn)放應(yīng)用電路的分析方法 5.1.4 運(yùn)算電路中集成運(yùn)放的輸入方式 5.2 基本運(yùn)算電路 5.2.1 比例運(yùn)算電路 5.2.2 加法和減法運(yùn)算電路 5.2.3 積分和微分運(yùn)算電路 5.2.4 對(duì)數(shù)和指數(shù)運(yùn)算電路 5.2.5 乘法和除法運(yùn)算電路 5.3 集成運(yùn)放組合電路分析舉例 5.4 有源濾波電路 5.4.1 濾波電路的功能、分類(lèi)和主要參數(shù) 5.4.2 有源濾波電路的分析方法 5.4.3 有源濾波電路舉例 5.5 開(kāi)關(guān)電容濾波電路 5.5.1 基本原理 5.5.2 開(kāi)關(guān)電容濾波電路的非理想效應(yīng) 習(xí)題5 6 信號(hào)產(chǎn)生電路 6.1 正弦波振蕩器的自激條件及其一般問(wèn)題 6.1.1 正弦波振蕩器產(chǎn)生振蕩的條件 6.1.2 正弦波振蕩器的組成及分析方法 6.2 RC橋式正弦波振蕩器 6.2.1 RC串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的選頻特性 6.2.2 RC橋式正弦波振蕩器的分析 6.3 LC正弦波振蕩器 6.3.1 LC諧振回路的選頻特性 6.3.2 變壓器耦合式LC正弦波振蕩器 6.3.3 LC三點(diǎn)式正弦波振蕩器 6.3.4 石英晶體振蕩器 6.4 電壓比較器及非正弦波發(fā)生電路 6.4.1 電壓比較器 6.4.2 非正弦波發(fā)生電路 6.5 壓控振蕩器 習(xí)題6 7 功率放大電路 7.1 概述 7.2 單管甲類(lèi)功率放大電路 7.3 互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功率放大電路 7.3.1 乙類(lèi)互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功放電路 7.3.2 甲乙類(lèi)互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功放電路 7.3.3 D類(lèi)功率放大電路 7.4 實(shí)際的功率放大電路 7.4.1 OCL準(zhǔn)互補(bǔ)功放電路 7.4.2 采用集成運(yùn)放的OCL準(zhǔn)互補(bǔ)功放電路 7.4.3 單電源供電的OTL功放電路 7.4.4 集成功率放大器 7.5 功率器件 7.5.1 功率BJT 7.5.2 功率MOSFET 7.5.3 功率模塊 習(xí)題7 8 直流穩(wěn)壓電源 8.1 概述 8.2 整流電路 8.2.1 整流電路的技術(shù)指標(biāo) 8.2.2 單相半波整流電路 8.2.3 單相橋式整流電路 8.3 濾波電路 8.3.1 電容濾波電路 8.3.2 電感電容濾波電路 8.3.3 π形濾波電路 8.4 穩(wěn)壓電路 8.4.1 穩(wěn)壓電路的功能和性能指標(biāo) 8.4.2 硅穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路 8.4.3 線性串聯(lián)型穩(wěn)壓電源 8.4.4 穩(wěn)壓電路的保護(hù)措施 8.4.5 集成穩(wěn)壓器及其應(yīng)用電路 8.4.6 開(kāi)關(guān)型穩(wěn)壓電源 8.5 直流變換型電源 習(xí)題8 9 Multisiml3.0軟件工具及其仿真應(yīng)用 9.1 Multisiml3.0概述 9.2 Multisiml3.0主界面及其工具欄 9.2.1 主界面 9.2.2 工具欄簡(jiǎn)介 9.2.3 Multisiml3.0常用儀器儀表使用 9.3 Multisiml3.0基本操作 9.3.1 原理圖的建立步驟 9.3.2 放置元器件 9.3.3 連線操作 9.3.4 文件存盤(pán) 9.3.5 基本仿真分析（分壓式偏置穩(wěn)定共射放大電路） 9.4 用Multisiml3.0仿真模擬電路實(shí)例 9.4.1 多種波形信號(hào)發(fā)生器 9.4.2 簡(jiǎn)易火災(zāi)報(bào)警器電路 附錄 附錄A 半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法 附錄B 國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體集成電路型號(hào)命名方法 附錄C 常用運(yùn)算放大器國(guó)內(nèi)外型號(hào)對(duì)照表 附錄D 模擬集成乘法器電路及其主要參數(shù) 附錄E 電源專(zhuān)用集成電路 附錄F 密勒定理及其證明 附錄G 常用ADC和DAC芯片簡(jiǎn)介 附錄H 電阻器型號(hào)、名稱(chēng)和標(biāo)稱(chēng)系列 參考文獻(xiàn)
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