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多相流旋轉(zhuǎn)耦合場(chǎng)制備Si3N4顆粒霧化過程流場(chǎng)分析

多相流旋轉(zhuǎn)耦合場(chǎng)制備Si3N4顆粒霧化過程流場(chǎng)分析

出版社：北京工業(yè)大學(xué)出版社出版時(shí)間：2021-10-01
開本： 16開 頁(yè)數(shù)： 126
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多相流旋轉(zhuǎn)耦合場(chǎng)制備Si3N4顆粒霧化過程流場(chǎng)分析 版權(quán)信息

多相流旋轉(zhuǎn)耦合場(chǎng)制備Si3N4顆粒霧化過程流場(chǎng)分析 內(nèi)容簡(jiǎn)介

本書深人地闡述了多相流旋轉(zhuǎn)耦合場(chǎng)制備Si3N4顆粒的霧化過程，同時(shí)重點(diǎn)對(duì)霧化噴嘴結(jié)構(gòu)與多相流旋轉(zhuǎn)耦合場(chǎng)制備Si3N4顆粒的霧化效果進(jìn)行了詳細(xì)、系統(tǒng)的論述。

多相流旋轉(zhuǎn)耦合場(chǎng)制備Si3N4顆粒霧化過程流場(chǎng)分析 目錄

第pan style="font-family: 宋體;">章緒論·1.pan style="font-family: 宋體;">研究背景1.2SigN：顆粒制備研究現(xiàn)狀1.3黏結(jié)液霧化效果對(duì)SigN。顆粒質(zhì)量的影響1.4霧化噴嘴內(nèi)部流場(chǎng)和外部噴霧特分析1.5研究?jī)?nèi)容及意義第2章多相流旋轉(zhuǎn)耦合場(chǎng)制備Si3N顆粒霧化過程數(shù)值模擬基礎(chǔ)2.pan style="font-family: 宋體;">氣液兩相流模型2.2湍流模型2.3黏結(jié)液霧化過程數(shù)學(xué)模型…2.4黏結(jié)液霧化過程物理模型及相關(guān)參數(shù)設(shè)定2.5本章小結(jié)第3章噴嘴入口結(jié)構(gòu)對(duì)多相流旋轉(zhuǎn)耦合場(chǎng)制備Si3N顆粒霧化過程的影響3.pan style="font-family: 宋體;">噴嘴切向入口數(shù)目對(duì)黏結(jié)液霧化特的影響…3.2噴嘴切向入口傾斜角度對(duì)黏結(jié)液霧化特的影響3.3本章小結(jié)第4章噴嘴旋流室結(jié)構(gòu)對(duì)多相流旋轉(zhuǎn)耦合場(chǎng)制備Si3N：顆粒霧化過程的影響4.pan style="font-family: 宋體;">噴嘴旋流室高度對(duì)黏結(jié)液霧化特的影響4.2噴嘴旋流室內(nèi)徑對(duì)黏結(jié)液霧化特的影響4.3本章小結(jié)第5章噴嘴出口結(jié)構(gòu)對(duì)多相流旋轉(zhuǎn)耦合場(chǎng)制備Si3N顆粒霧化過程的影響5.pan style="font-family: 宋體;">噴嘴出口形狀對(duì)黏結(jié)液霧化特的影響…5.2噴嘴出口內(nèi)徑對(duì)黏結(jié)液霧化特的影響…5.3本章小結(jié)第6章多相流旋轉(zhuǎn)耦合場(chǎng)制備Si3N：顆粒霧化過程數(shù)值模擬實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證6.pan style="font-family: 宋體;">實(shí)臺(tái)6.2實(shí)驗(yàn)原料及制備方法6.3實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析6.4本章小結(jié)第7章結(jié)論與展望7.pan style="font-family: 宋體;">結(jié)論7.2展望參考文獻(xiàn)附錄
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