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MEMS/NEMS諧振器技術(shù)

出版社：科學(xué)出版社出版時(shí)間：2023-08-01
開(kāi)本： B5 頁(yè)數(shù)： 488
中 圖 價(jià):¥211.6(7.1折) 定價(jià)  ¥298.0 登錄后可看到會(huì)員價(jià)
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MEMS/NEMS諧振器技術(shù) 版權(quán)信息

MEMS/NEMS諧振器技術(shù) 內(nèi)容簡(jiǎn)介

本書(shū)主要介紹微/納機(jī)電系統(tǒng)(MEMS/NEMS)諧振器動(dòng)力學(xué)設(shè)計(jì)理論、分析方法及應(yīng)用技術(shù)。全書(shū)共9章，主要內(nèi)容包括：MEMS/NEMS技術(shù)基礎(chǔ)和MEMS/NEMS諧振器技術(shù)的發(fā)展歷程與發(fā)展趨勢(shì)；諧振器的工作原理、諧振結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)理論及分析技術(shù)；諧振器件制備涉及的材料、微納加工工藝及技術(shù)；諧振器中存在的豐富非線性現(xiàn)象和復(fù)雜動(dòng)力學(xué)行為；微納尺度下的能量耗散理論、阻尼特性、作用機(jī)制及測(cè)試方法；諧振器中應(yīng)用的各種振動(dòng)激勵(lì)與檢測(cè)原理及技術(shù)；通道式MEMS/NEMS諧振器檢測(cè)原理、動(dòng)力學(xué)設(shè)計(jì)與分析技術(shù)；微納尺度下諧振器件的模態(tài)弱耦合作用機(jī)制、諧振器設(shè)計(jì)及傳感技術(shù)；諧振器中存在的典型失效模式與失效機(jī)理，以及多種可靠性評(píng)估方法和測(cè)試技術(shù)。

MEMS/NEMS諧振器技術(shù) 目錄

目錄 前言 第1章 緒論 1 1.1 諧振器概況 1 1.1.1 諧振現(xiàn)象 1 1.1.2 基本特征與分類 2 1.2 MEMS/NEMS技術(shù)概述 3 1.2.1 MEMS技術(shù) 4 1.2.2 NEMS技術(shù) 8 1.3 MEMS/NEMS諧振器技術(shù)發(fā)展歷程 10 1.3.1 MEMS諧振器技術(shù) 11 1.3.2 NEMS諧振器技術(shù) 13 1.3.3 NEMS諧振器的量子極限 15 1.4 MEMS/NEMS諧振器技術(shù)基礎(chǔ) 16 1.4.1 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)技術(shù) 16 1.4.2 微納加工技術(shù) 18 1.4.3 非線性現(xiàn)象與效應(yīng) 18 1.4.4 耗散與阻尼機(jī)制 19 1.4.5 激勵(lì)與檢測(cè)技術(shù) 20 1.5 MEMS/NEMS諧振器技術(shù)應(yīng)用及前景 20 1.5.1 智能傳感 21 1.5.2 信息通信 30 1.5.3 生物醫(yī)學(xué) 34 1.5.4 航空航天 36 1.5.5 量子技術(shù) 40 1.5.6 發(fā)展前景 41 參考文獻(xiàn) 44 第2章 諧振原理與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 52 2.1 概述 52 2.2 諧振原理 52 2.2.1 彎*振動(dòng) 52 2.2.2 扭轉(zhuǎn)振動(dòng) 55 2.2.3 縱向振動(dòng) 56 2.2.4 機(jī)電模型 58 2.3 動(dòng)力學(xué)設(shè)計(jì)與性能參數(shù) 59 2.3.1 諧振頻率 59 2.3.2 品質(zhì)因子 62 2.3.3 動(dòng)態(tài)范圍 64 2.4 諧振結(jié)構(gòu)動(dòng)力學(xué)設(shè)計(jì)與器件 69 2.4.1 梳齒結(jié)構(gòu) 70 2.4.2 梁式結(jié)構(gòu) 73 2.4.3 弦線結(jié)構(gòu) 79 2.4.4 薄板結(jié)構(gòu) 83 2.4.5 薄膜結(jié)構(gòu) 87 2.4.6 球殼結(jié)構(gòu) 92 2.4.7 扭轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu) 96 2.4.8 通道式諧振結(jié)構(gòu) 97 參考文獻(xiàn) 101 第3章 諧振器件材料與加工工藝 107 3.1 概述 107 3.2 硅基材料 107 3.2.1 單晶硅 108 3.2.2 多晶硅 108 3.2.3 無(wú)定形硅 109 3.3 硅化合物 110 3.3.1 二氧化硅 110 3.3.2 氮化硅 111 3.3.3 碳化硅 112 3.4 低維材料 113 3.4.1 碳納米管 113 3.4.2 納米線 117 3.4.3 石墨烯 118 3.4.4 二硫化鉬 121 3.5 壓電材料 124 3.5.1 機(jī)電耦合系數(shù) 125 3.5.2 氮化鋁薄膜 126 3.5.3 PZT壓電薄膜 127 3.5.4 氮化鎵 130 3.5.5 鈮酸鋰 132 3.6 聚合物材料 134 3.6.1 工藝材料 134 3.6.2 結(jié)構(gòu)材料 135 3.7 金剛石材料 137 參考文獻(xiàn) 139 第4章 非線性現(xiàn)象與動(dòng)力學(xué)效應(yīng) 144 4.1 概述 144 4.2 非線性因素 145 4.2.1 材料非線性 145 4.2.2 幾何非線性 146 4.2.3 驅(qū)動(dòng)非線性 147 4.2.4 阻尼非線性 148 4.3 剛度硬化與軟化效應(yīng) 148 4.4 雙穩(wěn)態(tài)現(xiàn)象 151 4.5 吸合現(xiàn)象 152 4.5.1 靜電吸合效應(yīng) 153 4.5.2 靜態(tài)吸合失穩(wěn) 155 4.5.3 動(dòng)態(tài)吸合失穩(wěn) 156 4.6 對(duì)稱破缺現(xiàn)象 158 4.6.1 對(duì)稱破缺的力學(xué)模型 158 4.6.2 對(duì)稱破缺的作用機(jī)制 159 4.7 同步現(xiàn)象 160 4.7.1 耦合系統(tǒng)中的同步現(xiàn)象 161 4.7.2 同步效應(yīng)的作用機(jī)制 162 4.8 隨機(jī)共振現(xiàn)象 164 4.8.1 隨機(jī)共振實(shí)驗(yàn)觀測(cè) 164 4.8.2 隨機(jī)共振機(jī)理 165 4.9 非線性模態(tài)耦合效應(yīng) 167 4.9.1 模態(tài)耦合形式 168 4.9.2 模態(tài)耦合形成的力學(xué)機(jī)理 171 4.9.3 振幅飽和現(xiàn)象 178 4.9.4 內(nèi)稟局域模 179 4.9.5 頻率梳 183 4.10 頻率穩(wěn)定性 187 4.10.1 頻率波動(dòng)的原因 187 4.10.2 頻率穩(wěn)定性的作用機(jī)制 189 參考文獻(xiàn) 193 第5章 能量耗散機(jī)理與阻尼技術(shù) 199 5.1 概述 199 5.2 能量耗散的基本定義與表征 200 5.3 熱彈性阻尼 201 5.3.1 滯彈性的基本概念與Zener耗散模型 202 5.3.2 LR熱彈性阻尼模型 203 5.3.3 微尺度薄板熱彈性阻尼特性 209 5.4 聲波-熱聲子相互作用 220 5.4.1 Akhiezer阻尼 221 5.4.2 Landau-Rumer阻尼 223 5.5 聲子-電子相互作用 224 5.5.1 谷內(nèi)聲子-電子散射 224 5.5.2 谷間聲子-電子散射 224 5.6 耗散稀釋效應(yīng) 225 5.6.1 弦的耗散稀釋 226 5.6.2 薄膜的耗散稀釋 228 5.7 空氣阻尼 230 5.7.1 滑膜氣體阻尼 231 5.7.2 壓膜氣體阻尼 236 5.7.3 稀薄空氣阻尼 244 5.8 液體黏滯阻尼 246 5.8.1 彎*振動(dòng) 246 5.8.2 扭轉(zhuǎn)振動(dòng) 248 5.9 錨點(diǎn)損耗機(jī)制與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 250 5.9.1 完美匹配層方法 251 5.9.2 彎*模態(tài)諧振器支撐損耗 253 5.9.3 體模態(tài)諧振器支撐損耗 261 5.10 聲子隧道效應(yīng) 269 5.11 表面耗散 270 5.11.1 表面層 271 5.11.2 表面化學(xué)效應(yīng) 273 5.11.3 界面耗散物理機(jī)制 276 5.11.4 連續(xù)介質(zhì)力學(xué)中的界面耗散 277 5.11.5 材料科學(xué)中的界面耗散 278 5.11.6 多層壓電體諧振器的能量損耗 279 5.12 兩能級(jí)系統(tǒng)引起的能量耗散 281 5.12.1 兩能級(jí)系統(tǒng)隧穿模型 281 5.12.2 兩能級(jí)系統(tǒng)引起的諧振器能量耗散 283 5.12.3 品質(zhì)因子測(cè)量 286 參考文獻(xiàn) 287 第6章 振動(dòng)激勵(lì)與檢測(cè)原理及技術(shù) 294 6.1 概述 294 6.2 振動(dòng)激勵(lì)原理與技術(shù) 294 6.2.1 靜電激勵(lì) 295 6.2.2 電磁激勵(lì) 299 6.2.3 壓電激勵(lì) 302 6.2.4 介電激勵(lì) 303 6.2.5 熱激勵(lì) 307 6.2.6 光梯度力激勵(lì) 313 6.3 振動(dòng)檢測(cè)原理與技術(shù) 315 6.3.1 電容檢測(cè) 315 6.3.2 壓電檢測(cè) 317 6.3.3 壓阻檢測(cè) 318 6.3.4 磁勢(shì)檢測(cè) 321 6.3.5 激光干涉檢測(cè) 322 6.3.6 單電子器件檢測(cè) 323 6.3.7 耦合諧振子檢測(cè) 324 6.4 振動(dòng)激勵(lì)-檢測(cè)組合技術(shù) 326 6.4.1 靜電激勵(lì)-電容檢測(cè) 327 6.4.2 靜電激勵(lì)-壓阻檢測(cè) 329 6.4.3 電磁激勵(lì)-壓阻檢測(cè) 330 6.4.4 電熱激勵(lì)-壓阻檢測(cè) 331 6.4.5 光熱激勵(lì)-光學(xué)檢測(cè) 333 6.5 外圍接口電路系統(tǒng) 333 6.5.1 開(kāi)環(huán)檢測(cè)系統(tǒng) 334 6.5.2 閉環(huán)自激系統(tǒng) 335 參考文獻(xiàn) 336 第7章 通道式MEMS/NEMS諧振器動(dòng)力學(xué)設(shè)計(jì)與檢測(cè)技術(shù) 340 7.1 概述 340 7.2 通道式MEMS/NEMS諧振器檢測(cè)原理 341 7.2.1 顆粒性質(zhì)檢測(cè) 341 7.2.2 流體性質(zhì)檢測(cè) 345 7.3 流固耦合動(dòng)力學(xué)設(shè)計(jì) 348 7.3.1 流固耦合動(dòng)力學(xué)模型 348 7.3.2 諧振頻率 356 7.3.3 能量耗散 358 7.4 動(dòng)力學(xué)響應(yīng)及穩(wěn)定性 360 7.4.1 動(dòng)力學(xué)建模與求解 360 7.4.2 穩(wěn)定性分析 365 7.4.3 諧振頻率分析 368 7.4.4 動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性 370 7.5 測(cè)量誤差產(chǎn)生機(jī)制與校正方法 372 7.5.1 質(zhì)量測(cè)量諧振器動(dòng)力學(xué)模型 373 7.5.2 顆粒振動(dòng)特性分析 375 7.5.3 測(cè)量誤差分析與校正 378 參考文獻(xiàn) 382 第8章 弱耦合諧振器設(shè)計(jì)及傳感技術(shù) 386 8.1 概述 386 8.2 模態(tài)局部化機(jī)理 386 8.3 弱耦合諧振器動(dòng)力學(xué)設(shè)計(jì) 388 8.3.1 弱耦合諧振器動(dòng)力學(xué)模型 388 8.3.2 多自由度弱耦合諧振器件 396 8.4 諧振傳感器動(dòng)力學(xué)設(shè)計(jì) 401 8.4.1 傳感機(jī)理 401 8.4.2 參數(shù)設(shè)計(jì)與性能分析 403 8.4.3 靈敏度調(diào)節(jié) 406 8.5 諧振傳感器加工工藝與模態(tài)特性 408 8.5.1 器件加工工藝 408 8.5.2 器件模態(tài)特性 411 8.6 諧振傳感器性能 417 8.6.1 幅頻響應(yīng)特性 418 8.6.2 傳感器靈敏度 420 8.6.3 傳感器分辨率 423 參考文獻(xiàn) 423 第9章 失效分析與可靠性技術(shù) 426 9.1 概述 426 9.2 失效模式與失效機(jī)理 426 9.2.1 斷裂失效 427 9.2.2 疲勞失效 429 9.2.3 黏附失效 432 9.2.4 分層失效 442 9.2.5 吸合損傷 444 9.2.6 輻射效應(yīng) 444 9.3 測(cè)試結(jié)構(gòu)與壽命評(píng)估技術(shù) 446 9.3.1 疲勞測(cè)試技術(shù) 447 9.3.2 斷裂測(cè)試技術(shù) 451 9.4 環(huán)境載荷下器件可靠性 456 9.4.1 振動(dòng)可靠性 457 9.4.2 沖擊可靠性 461 9.4.3 溫度可靠性 465 9.4.4 濕度可靠性 468 參考文獻(xiàn) 470
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