半導(dǎo)體熱點領(lǐng)域發(fā)明專利申請撰寫及檢索 版權(quán)信息
- ISBN:9787513089487
- 條形碼:9787513089487 ; 978-7-5130-8948-7
- 裝幀:平裝-膠訂
- 冊數(shù):暫無
- 重量:暫無
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半導(dǎo)體熱點領(lǐng)域發(fā)明專利申請撰寫及檢索 內(nèi)容簡介
本書以半導(dǎo)體熱點領(lǐng)域的存儲器件、功率器件、新型封裝、新型顯示、高效率太陽能電池作為研究對象,介紹各領(lǐng)域的專利技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r、專利申請現(xiàn)狀、檢索策略和申請文件撰寫特點,以期為該領(lǐng)域研發(fā)人員及專利工作者做好專利挖掘和布局,提升專利申請撰寫質(zhì)量提供借鑒。
半導(dǎo)體熱點領(lǐng)域發(fā)明專利申請撰寫及檢索 目錄
**章 存儲器件
**節(jié) 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM)
一、專利技術(shù)綜述
二、檢索策略及案例解析
第二節(jié) 三維 NAND閃存
一、專利技術(shù)綜述
二、檢索策略及案例解析
第三節(jié) 新型隨機(jī)存儲器
一、RRAM專利技術(shù)綜述
二、MRAM專利技術(shù)綜述
三、檢索策略及案例解析
第四節(jié) 專利申請文件撰寫
一、撰寫特點
二、常見問題分析
三、典型案例
第二章 功率器件
**節(jié) 絕緣柵雙極型場效應(yīng)晶體管 (IGBT)
一、專利技術(shù)綜述
二、檢索策略及案例解析
第二節(jié) 雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管 (DMOS)
一、專利技術(shù)綜述
二、檢索策略及案例解析
第三節(jié) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
一、專利技術(shù)綜述
二、檢索策略及案例解析
第四節(jié) 專利申請文件撰寫
一、撰寫特點
二、常見問題分析
三、典型案例
第三章 新型封裝
**節(jié) 系統(tǒng)級封裝 (SiP)
一、專利技術(shù)綜述
二、檢索策略及案例解析
第二節(jié) 晶圓級封裝 (WLP)
一、專利技術(shù)綜述
二、檢索策略及案例解析
第三節(jié) 三維 (D)封裝
一、專利技術(shù)綜述
二、檢索策略及案例解析
第四節(jié) 專利申請文件撰寫
一、撰寫特點
二、常見問題分析
三、典型案例
第四章 新型顯示
**節(jié) 有機(jī)發(fā)光二極管 (OLED)顯示
一、專利技術(shù)綜述
二、檢索策略及案例解析
第二節(jié) 微型發(fā)光二極管 (MicroLED)顯示
一、專利技術(shù)綜述
二、檢索策略及案例解析
第三節(jié) 量子點顯示
一、專利技術(shù)綜述
二、檢索策略及案例解析
第四節(jié) 專利申請文件撰寫
一、撰寫特點
二、常見問題分析
三、典型案例
第五章 高效率太陽能電池
**節(jié) 鈣鈦礦 (PSC)太陽能電池
一、專利技術(shù)綜述
二、檢索策略及案例解析
第二節(jié) 本征薄膜異質(zhì)結(jié) (HIT)太陽能電池
一、專利技術(shù)綜述
二、檢索策略及案例解析
第三節(jié) 隧穿氧化層鈍化接觸 (TOPCon)太陽能電池
一、專利技術(shù)綜述
二、檢索策略及案例解析
第四節(jié) 專利申請文件撰寫
一、撰寫特點
二、常見問題分析
三、典型案例
**節(jié) 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM)
一、專利技術(shù)綜述
二、檢索策略及案例解析
第二節(jié) 三維 NAND閃存
一、專利技術(shù)綜述
二、檢索策略及案例解析
第三節(jié) 新型隨機(jī)存儲器
一、RRAM專利技術(shù)綜述
二、MRAM專利技術(shù)綜述
三、檢索策略及案例解析
第四節(jié) 專利申請文件撰寫
一、撰寫特點
二、常見問題分析
三、典型案例
第二章 功率器件
**節(jié) 絕緣柵雙極型場效應(yīng)晶體管 (IGBT)
一、專利技術(shù)綜述
二、檢索策略及案例解析
第二節(jié) 雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管 (DMOS)
一、專利技術(shù)綜述
二、檢索策略及案例解析
第三節(jié) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
一、專利技術(shù)綜述
二、檢索策略及案例解析
第四節(jié) 專利申請文件撰寫
一、撰寫特點
二、常見問題分析
三、典型案例
第三章 新型封裝
**節(jié) 系統(tǒng)級封裝 (SiP)
一、專利技術(shù)綜述
二、檢索策略及案例解析
第二節(jié) 晶圓級封裝 (WLP)
一、專利技術(shù)綜述
二、檢索策略及案例解析
第三節(jié) 三維 (D)封裝
一、專利技術(shù)綜述
二、檢索策略及案例解析
第四節(jié) 專利申請文件撰寫
一、撰寫特點
二、常見問題分析
三、典型案例
第四章 新型顯示
**節(jié) 有機(jī)發(fā)光二極管 (OLED)顯示
一、專利技術(shù)綜述
二、檢索策略及案例解析
第二節(jié) 微型發(fā)光二極管 (MicroLED)顯示
一、專利技術(shù)綜述
二、檢索策略及案例解析
第三節(jié) 量子點顯示
一、專利技術(shù)綜述
二、檢索策略及案例解析
第四節(jié) 專利申請文件撰寫
一、撰寫特點
二、常見問題分析
三、典型案例
第五章 高效率太陽能電池
**節(jié) 鈣鈦礦 (PSC)太陽能電池
一、專利技術(shù)綜述
二、檢索策略及案例解析
第二節(jié) 本征薄膜異質(zhì)結(jié) (HIT)太陽能電池
一、專利技術(shù)綜述
二、檢索策略及案例解析
第三節(jié) 隧穿氧化層鈍化接觸 (TOPCon)太陽能電池
一、專利技術(shù)綜述
二、檢索策略及案例解析
第四節(jié) 專利申請文件撰寫
一、撰寫特點
二、常見問題分析
三、典型案例
展開全部
半導(dǎo)體熱點領(lǐng)域發(fā)明專利申請撰寫及檢索 作者簡介
王興妍,國家知識產(chǎn)權(quán)局專利局電學(xué)發(fā)明審查部半導(dǎo)體一處處長,二級審查員,國家知識產(chǎn)權(quán)局高層次人才,首批知識產(chǎn)權(quán)行政保護(hù)技術(shù)調(diào)查官,全國專利信息師資人才。長期從事半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)明專利審查以及相關(guān)研究工作,作為課題組負(fù)責(zé)人、組長、主要研究人員、指導(dǎo)專家參與國家知識產(chǎn)權(quán)局局級課題十余項,并多次獲得優(yōu)秀專利調(diào)查研究報告或被評為國家知識產(chǎn)權(quán)局優(yōu)秀課題。
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