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半導(dǎo)體物理與器件實(shí)驗(yàn)教程

半導(dǎo)體物理與器件實(shí)驗(yàn)教程

作者：計(jì)峰
出版社：山東大學(xué)出版社出版時(shí)間：2023-11-01
開(kāi)本： 其他 頁(yè)數(shù)： 70
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半導(dǎo)體物理與器件實(shí)驗(yàn)教程 版權(quán)信息

半導(dǎo)體物理與器件實(shí)驗(yàn)教程 內(nèi)容簡(jiǎn)介

本書(shū)主要分為半導(dǎo)體物理實(shí)驗(yàn)及半導(dǎo)體器件實(shí)驗(yàn)兩部分。半導(dǎo)體物理實(shí)驗(yàn)包括單晶硅材料的激光定向、單晶硅中晶體缺陷的腐蝕顯示、半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類(lèi)型測(cè)定、四探針?lè)y(cè)試半導(dǎo)體電阻率、霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)、高頻光電導(dǎo)法測(cè)少子壽命、半導(dǎo)體材料光學(xué)特性的測(cè)量、MOS 結(jié)構(gòu) C-V 特性測(cè)量、PN 結(jié)勢(shì)壘特性及雜質(zhì)的測(cè)試分析、PN 結(jié)正向特性的研究和應(yīng)用等十個(gè)實(shí)驗(yàn)。半導(dǎo)體器件實(shí)驗(yàn)包括二極管特性參數(shù)測(cè)量、穩(wěn)壓二極管特性測(cè)量、雙極型晶體管直流參數(shù)測(cè)量、場(chǎng)效應(yīng)管直流參數(shù)測(cè)量、晶體管基極電阻測(cè)量、晶體管特征頻率測(cè)量、數(shù)字電橋測(cè)量電位器的電阻值、集成電路特性測(cè)量、太陽(yáng)能電池測(cè)量等十個(gè)實(shí)驗(yàn)。

半導(dǎo)體物理與器件實(shí)驗(yàn)教程 目錄

上篇 半導(dǎo)體物理實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)一 單晶硅的激光定向 實(shí)驗(yàn)二 單晶硅中晶體缺陷的腐蝕顯示 實(shí)驗(yàn)三 半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類(lèi)型的測(cè)定 實(shí)驗(yàn)四 四探針?lè)y(cè)量半導(dǎo)體電阻率 實(shí)驗(yàn)五 霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)六 高頻光電導(dǎo)衰減法測(cè)少子壽命 實(shí)驗(yàn)七 半導(dǎo)體材料光學(xué)特性的測(cè)量 實(shí)驗(yàn)八 MOS管的C-V特性測(cè)量 實(shí)驗(yàn)九 PN結(jié)勢(shì)壘特性及雜質(zhì)的測(cè)試分析 實(shí)驗(yàn)十 PN結(jié)正向特性的研究和應(yīng)用 下篇 半導(dǎo)體器件實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)十一 發(fā)光二極管特性參數(shù)測(cè)量 實(shí)驗(yàn)十二 穩(wěn)壓二極管特性參數(shù)測(cè)量 實(shí)驗(yàn)十三 雙極型晶體管直流參數(shù)測(cè)量(1) 實(shí)驗(yàn)十四 雙極型晶體管直流參數(shù)測(cè)量(2) 實(shí)驗(yàn)十五 場(chǎng)效應(yīng)管直流參數(shù)測(cè)量 實(shí)驗(yàn)十六 晶體管基極電阻的測(cè)量 實(shí)驗(yàn)十七 晶體管特征頻率的測(cè)量 實(shí)驗(yàn)十八 數(shù)字電橋測(cè)量電位器的電阻值 實(shí)驗(yàn)十九 集成電路特性參數(shù)測(cè)量 實(shí)驗(yàn)二十 太陽(yáng)能電池參數(shù)測(cè)量 參考文獻(xiàn) 附錄一 Excel中自動(dòng)擬合曲線(xiàn)的方法 附錄二 YB4811型半導(dǎo)體管特性圖示儀使用說(shuō)明 附錄三 YB2811LCR數(shù)字電橋簡(jiǎn)介
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