書馨卡幫你省薪 2024個人購書報告 2024中圖網年度報告
歡迎光臨中圖網 請 | 注冊
> >>
半導體技術基礎(杜中一)

半導體技術基礎(杜中一)

作者：杜中一
出版社：化學工業(yè)出版社出版時間：2011-01-01
開本： 16開 頁數： 204
本類榜單：教材銷量榜
中 圖 價:¥32.3(8.5折) 定價  ¥38.0 登錄后可看到會員價
加入購物車 收藏
運費6元，滿39元免運費
?新疆、西藏除外
本類五星書更多>

半導體技術基礎(杜中一) 版權信息

半導體技術基礎(杜中一) 內容簡介

本書針對高職教學及學生的特點，根據微電子、電子制造、光電子以及光伏等專業(yè)人才培養(yǎng)方案的需要，系統(tǒng)地介紹了半導體技術相關的基礎知識。本書主要包括半導體物理基礎、硅半導體材料基礎、化合物半導體材料基礎、PN結、雙極型晶體管、MOS場效應晶體管、其他常用半導體器件、半導體工藝化學、半導體集成電路設計原理、半導體集成電路設計方法與制造工藝等內容。 本書“以應用為目的，以實用為主，理論以必需、夠用為度”作為編寫原則，突出理論的實用性，語言通俗易懂，內容全面,重點突出,層次清楚,結構新穎,實用性強。 本書可作為微電子、電子制造、光電子以及光伏等相關專業(yè)的高職高專學生的教材或學習參考用書。

半導體技術基礎(杜中一) 目錄

第1章半導體技術概述111半導體技術1111半導體集成電路發(fā)展史1112半導體技術的發(fā)展趨勢312半導體與電子制造4121電子制造基本概念4122電子制造業(yè)的技術核心5習題16第2章半導體物理基礎721半導體能帶7211電子的共有化7212能帶7213雜質能級922半導體的載流子運動12221載流子濃度與費米能級12222載流子的運動13習題214第3章硅半導體材料基礎1531半導體材料概述15311半導體材料的發(fā)展15312半導體材料的分類1632硅材料的主要性質18321硅材料的化學性質18322硅材料的晶體結構19323硅材料的電學性質21324硅材料的熱學性質22325硅材料的機械性質2233硅單晶的制備技術22331高純硅的制備22332硅的提純技術23333硅的晶體生長24334晶體中雜質與缺陷2834集成電路硅襯底加工技術37341硅單晶拋光片的制備38342硅單晶拋光片的質量檢測4135硅的外延生長技術43351外延生長概述44352硅氣相外延生長技術45習題350第4章化合物半導體材料基礎5141化合物半導體材料概述5142化合物半導體單晶的制備52421ⅢⅤ族化合物半導體單晶的制備52422ⅡⅥ族化合物半導體單晶的制備5443化合物半導體外延生長技術55431氣相外延生長55432液相外延生長57433其他外延生長技術6144化合物半導體的應用65441發(fā)光二極管的顯示和照明方面的應用65442集成電路方面的應用68443太陽能電池方面的應用70習題472第5章PN結7351PN結及能帶圖73511PN結的制造及雜質分布73512平衡PN結7452PN結的直流特性76521PN結的正向特性76522PN結的反向特性76523PN結的伏安特性7653PN結電容77531勢壘電容77532擴散電容7754PN結擊穿77541雪崩擊穿78542隧道擊穿7855PN結的開關特性與反向恢復時間78551PN結的開關特性78552PN結的反向恢復時間78習題579第6章雙極型晶體管8061晶體管概述80611晶體管基本結構80612晶體管的制造工藝及雜質分布8162晶體管電流放大原理82621晶體管載流子濃度分布及傳輸82622晶體管直流電流放大系數84623晶體管的特性曲線8563晶體管的反向電流與擊穿電壓87631晶體管的反向電流87632晶體管的擊穿電壓8864晶體管的頻率特性與功率特性88641晶體管的頻率特性88642晶體管的功率特性8965晶體管的開關特性90習題691第7章MOS場效應晶體管9271MOS場效應晶體管概述92711MOS場效應晶體管結構92712MOS場效應晶體管工作原理94713MOS場效應晶體管的分類9572MOS場效應晶體管特性98721MOS場效應晶體管輸出特性98722MOS場效應晶體管轉移特性100723MOS場效應晶體管閾值電壓102724MOS場效應晶體管電容電壓特性109725MOS場效應晶體管頻率特性111726MOS場效應晶體管開關特性114習題7117第8章其他常用半導體器件11881結型場效應晶體管118811結型場效應晶體管基本結構及工作原理119812結型場效應晶體管特性12282MOS功率場效應晶體管126821MOS功率場效應晶體管基本結構127822MOS功率場效應晶體管特性12883光電二極管132831PN結光伏特性132832光電二極管結構及工作原理13484發(fā)光二極管137841發(fā)光二極管結構及工作原理138842發(fā)光二極管的制備140習題8143第9章半導體工藝化學基礎14491化學清洗144911硅片表面污染雜質類型144912清洗步驟145913有機雜質清洗145914無機雜質的清洗145915清洗工藝安全操作15092硅表面拋光化學原理151921鉻離子化學機械拋光151922銅離子化學機械拋光151923二氧化硅膠體化學機械拋光15293純水制備152931純水在半導體生產中的應用152932離子交換制備純水153933水純度的測量15594制備鈍化膜155941二氧化硅鈍化膜的制備155942其他類型鈍化膜15695擴散工藝化學原理159951擴散工藝概述159952硼擴散的化學原理159953磷擴散的化學原理160954銻擴散的化學原理161955砷擴散的化學原理16196光刻工藝的化學原理162961光刻工藝概述162962光刻工藝中的化學應用16397化學腐蝕166971化學腐蝕的原理166972影響化學腐蝕的因素168習題9169第10章半導體集成電路設計原理170101CMOS集成電路中的無源元件1701011互連線1701012電阻器1721013電容器175102CMOS反相器1771021CMOS反相器的結構1781022CMOS反相器的特性179103基本單元電路1811031CMOS邏輯門電路1811032MOS傳輸門邏輯電路1841033動態(tài)CMOS邏輯電路1861034鎖存器和觸發(fā)器1871035簡單數字集成系統(tǒng)設計介紹187習題10188第11章半導體集成電路設計方法與制造工藝189111半導體集成電路設計方法1891111半導體集成電路設計發(fā)展的各個階段1891112當前集成電路設計的原則191112CMOS集成電路制造工藝簡介1921121雙阱CMOS工藝的主要流程1921122隔離技術198113CMOS版圖設計2011131版圖設計方法2011132版圖設計技巧2011133版圖設計舉例202習題11203參考文獻204
展開全部
商品評論(0條)
暫無評論……
書友推薦
本類暢銷
編輯推薦
返回頂部
中圖網
在線客服