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嵌入式存儲器架構、電路與應用

嵌入式存儲器架構、電路與應用

出版社：科學出版社出版時間：2020-03-01
開本： 16開 頁數(shù)： 184
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嵌入式存儲器架構、電路與應用 版權信息

  • ISBN：9787508857107
  • 條形碼：9787508857107 ; 978-7-5088-5710-7
  • 裝幀：暫無
  • 冊數(shù)：暫無
  • 重量：暫無
  • 所屬分類：>

嵌入式存儲器架構、電路與應用 內(nèi)容簡介

隨著集成電路技術的發(fā)展，嵌入式存儲器在片上系統(tǒng)上所占的比重越來越大，嵌入式存儲器對于系統(tǒng)性能的提升和功耗的優(yōu)化作用越來越關鍵。本書系統(tǒng)介紹當前主流的嵌入式存儲器和近年興起的新型嵌入式存儲器，前者包括SRAM、 eDRAM和 eFlash，后者包括 ReRAM、PRAM、MRAM和FeAM等。在內(nèi)容安排上，本書側重介紹各類嵌入式存儲器的單元結構、陣列、電路技術以及應用。本書可以作為電子信息類專業(yè)高年級本科生和研究生的教材，也可以作為電路設計工程師的參考書。

嵌入式存儲器架構、電路與應用 目錄

目錄序前言第1章 緒論 11.1 什么是嵌入式存儲器 11.2 存儲器的組織架構 31.3 本書內(nèi)容的章節(jié)安排 41.4 小結 5參考文獻 5第2章 靜態(tài)隨機存儲器 72.1 SRAM介紹 72.1.1 嵌入式SRAM 72.1.2 低電壓SRAM 82.2 SRAM組織架構 102.3 6T存儲單元 112.3.1 電路結構 112.3.2 Thin-cell版圖 122.3.3 讀操作 122.3.4 寫操作 142.4 外圍電路 152.4.1 譯碼器 152.4.2 靈敏放大器 172.5 傳統(tǒng)SRAM遇到的挑戰(zhàn) 212.5.1 穩(wěn)定性挑戰(zhàn) 212.5.2 SRAM的*小工作電壓 222.5.3 讀破壞 232.5.4 半選擇破壞 242.5.5 讀電流波動 252.5.6 NBTI和PBTI效應 262.6 低電壓SRAM遇到的挑戰(zhàn) 262.6.1 概述 262.6.2 *小功耗和*佳能耗操作 272.6.3 讀電流衰減 292.6.4 開關電流比 302.6.5 位線漏電流 312.7 新型低電壓存儲單元 322.7.1 5T存儲單元 332.7.2 單端6T存儲單元 342.7.3 單端7T存儲單元 342.7.4 8T存儲單元 362.7.5 9T存儲單元 402.7.6 10T存儲單元 412.7.7 12T存儲單元 422.8 外圍輔助電路技術 432.8.1 存儲陣列電源技術 432.8.2 地電平抬升技術 442.8.3 雙軌電源技術 462.8.4 動態(tài)字線電壓技術 472.8.5 負位線電壓技術 482.8.6 腳踏管技術 492.8.7 單端靈敏放大電路 512.8.8 基準差分靈敏放大器 532.9 SRAM技術的其他應用 552.9.1 視頻圖像處理SRAM 552.9.2 寄存器文件 572.9.3 PUF技術 582.9.4 抗輻射加固SRAM 592.10 小結 61參考文獻 61第3章 嵌入式動態(tài)隨機存儲器 693.1 1T1C eDRAM 693.1.1 單元結構 693.1.2 基本模塊及相應操作 703.1.3 1T1C存儲單元設計中的挑戰(zhàn) 733.1.4 IBM在處理器中有關eDRAM的設計 793.2 Gain Cell eDRAM 813.2.1 2T GC eDRAM 823.2.2 3T GC eDRAM 833.2.3 4T GC eDRAM 843.2.4 基于OSFETs的GC eDRAM 853.3 HMC 863.4 小結 91參考文獻 91第4章 嵌入式閃存 954.1 Flash的發(fā)展背景 954.2 eFlash的單元結構 974.2.1 浮柵結構的eFlash單元 974.2.2 電荷捕獲型的eFlash單元 1034.3 嵌入式Flash的電路設計 1064.3.1 eFlash單元電路設計 1074.3.2 eFlash外圍電路 1094.3.3 字線驅動溫度自適應技術 1104.3.4 靈敏放大電路設計技術 1114.3.5 階梯脈沖擦除技術 1164.4 小結 118參考文獻 118第5章 新型嵌入式存儲器 1215.1 新型存儲器原理介紹 1215.1.1 ReRAM 1215.1.2 PRAM 1235.1.3 MRAM 1245.1.4 FeRAM 1265.2 選通器件及陣列設計 1275.2.1 場效應晶體管（NMOS或PMOS）選通器件 1275.2.2 雙極型晶體管選通器件 1295.2.3 二極管或非線性選通器件 1315.3 新型嵌入式存儲器的電路技術 1345.3.1 提高讀寫速度及帶寬的電路技術 1355.3.2 提高讀良率的電路技術 1435.3.3 提高寫良率及可靠性的電路技術 1545.4 新型存儲器的應用實例 1615.4.1 ReRAM應用實例 1615.4.2 PRAM應用實例 1625.4.3 MRAM應用實例 1635.4.4 FeRAM應用實例 1645.5 新型嵌入式存儲器在計算方面的應用 1645.5.1 存儲計算 1645.5.2 機器學習加速 1675.6 小結 169參考文獻 169
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