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納米器件空間輻射效應(yīng)

納米器件空間輻射效應(yīng)

作者：陳偉
出版社：科學出版社出版時間：2024-06-01
開本： B5 頁數(shù)： 294
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納米器件空間輻射效應(yīng) 版權(quán)信息

納米器件空間輻射效應(yīng) 內(nèi)容簡介

當前，我國空間技術(shù)發(fā)展對優(yōu)選納米器件抗輻射加固技術(shù)提出了迫切需求，優(yōu)選納米器件引入了許多新的材料、工藝和結(jié)構(gòu)，給納米器件輻射效應(yīng)機理、試驗技術(shù)和加固技術(shù)研究帶來了新的挑戰(zhàn)。本書以優(yōu)選的納米工藝器件為研究載體，重點闡述納米材料輻射損傷微觀機制、納米器件輻射效應(yīng)新機理、納米器件可靠性、納米電路輻射效應(yīng)及加固設(shè)計新方法、納米器件和電路敏感區(qū)域分布和薄弱環(huán)節(jié)分析的重離子微束模擬試驗方法等，為我國未來宇航用高端核心器件的抗輻射加固奠定理論和技術(shù)基礎(chǔ)，推動我國抗輻射加固技術(shù)自主創(chuàng)新發(fā)展。

納米器件空間輻射效應(yīng) 目錄

叢書序 前言 第1章 緒論 1.1 引言 1.2 空間輻射環(huán)境與效應(yīng) 1.2.1 空間輻射環(huán)境 1.2.2 空間輻射效應(yīng) 1.3 納米器件與工藝 1.3.1 新材料 1.3.2 新結(jié)構(gòu) 1.3.3 新工藝 1.4 納米工藝材料、器件和電路空間輻射效應(yīng)研究現(xiàn)狀 1.4.1 納米工藝材料空間輻射效應(yīng) 1.4.2 納米器件空間輻射效應(yīng) 1.4.3 納米電路空間輻射效應(yīng) 1.5 本章小結(jié) 參考文獻 第2章 半導體材料的輻射效應(yīng) 2.1 引言 2.2 荷能離子在固體中主要的能量損失方式 2.3 材料輻射損傷類型、形成機理及實驗表征方法 2.3.1 材料輻射損傷類型及形成機理 2.3.2 材料微觀輻射損傷實驗表征方法 2.4 典型器件材料的輻射效應(yīng) 2.4.1 硅材料輻射效應(yīng) 2.4.2 寬禁帶半導體材料輻射效應(yīng) 2.4.3 低維材料輻射效應(yīng) 2.4.4 高K材料輻射效應(yīng) 2.5 粒子在材料中能量沉積和輻射損傷的計算機模擬方法 2.5.1 粒子在材料中能量沉積的蒙特卡羅模擬方法 2.5.2 粒子在材料中輻射損傷的分子動力學模擬方法 2.6 本章小結(jié) 參考文獻 第3章 納米器件總劑量效應(yīng)與可靠性 3.1 引言 3.2 總劑量效應(yīng)概述 3.3 納米MOSFET器件總劑量效應(yīng) 3.3.1 總劑量效應(yīng)對納米MOSFET器件電學參數(shù)的影響 3.3.2 納米MOSFET器件總劑量效應(yīng)關(guān)鍵影響區(qū)域 3.3.3 多變量對納米MOSFET器件總劑量效應(yīng)的影響 3.4 納米MOSFET器件長期可靠性 3.4.1 經(jīng)時擊穿效應(yīng) 3.4.2 熱載流子注入效應(yīng) 3.4.3 偏置溫度不穩(wěn)定效應(yīng) 3.4.4 總劑量效應(yīng)與電應(yīng)力耦合作用 3.5 本章小結(jié) 參考文獻 第4章 納米器件單粒子效應(yīng) 4.1 引言 4.2 單粒子效應(yīng)概述
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納米器件空間輻射效應(yīng) 作者簡介

主持國家自然科學基金重大項目，納米器件輻射效應(yīng)機理及模擬試驗關(guān)鍵技術(shù)

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