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基于氮化鎵的高頻高效功率轉(zhuǎn)換技術(shù)

基于氮化鎵的高頻高效功率轉(zhuǎn)換技術(shù)

出版社：西安電子科技大學出版社出版時間：2024-08-01
開本： 16開 頁數(shù)： 216
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基于氮化鎵的高頻高效功率轉(zhuǎn)換技術(shù) 版權(quán)信息

基于氮化鎵的高頻高效功率轉(zhuǎn)換技術(shù) 內(nèi)容簡介

本書共8章，主要內(nèi)容包括GaN體單晶襯底和Si基GaN外延、橫向GaN基HEMT器件及其結(jié)構(gòu)、垂直型GaN基電力電子晶體管、GaN基功率器件的可靠性、GaN基功率器件的魯棒性驗證、寄生效應(yīng)對GaN基功率轉(zhuǎn)換器的影響、GaN基AC/DC功率轉(zhuǎn)換器、GaN基開關(guān)模式功率放大器等。本書內(nèi)容涵蓋范圍廣，從材料生長到器件制造、從特性分析到魯棒性驗證、從電路設(shè)計到系統(tǒng)應(yīng)用，層次清晰且系統(tǒng)性較強，可讀性較高；其內(nèi)容具有一定的前瞻性與先進性，所涉及的技術(shù)領(lǐng)域與工藝水平均為目前國際主流。
本書可作為微電子、電子信息工程、電氣工程等專業(yè)的本科生以及相關(guān)專業(yè)的研究生教材，也可以供從事半導體器件設(shè)計、器件可靠性分析、電力電子系統(tǒng)開發(fā)的工程技術(shù)人員參考。

基于氮化鎵的高頻高效功率轉(zhuǎn)換技術(shù) 目錄

結(jié)論 第1章 GaN體單晶襯底和Si基GaN外延 1.1 引言 1.2 GaN體單晶生長技術(shù)和襯底技術(shù)現(xiàn)狀 1.3 GaN的同質(zhì)外延 1.4 GaN的異質(zhì)外延 1.5 Ⅲ族氮化物的異質(zhì)結(jié)構(gòu) 1.6 Ⅲ族氮化物中的壓電場 1.7 Ⅲ族氮化物外延技術(shù)——金屬有機氣相外延 1.8 Si基AlGaN／GaN外延結(jié)構(gòu)的構(gòu)建 1.8.1 成核層 1.8.2 緩沖層 1.8.3 有源層 1.8.4 帽層和表面鈍化層 1.9 結(jié)論 參考文獻 第2章 橫向GaN基HEMT器件及其結(jié)構(gòu) 2.1 引言 2.2 常規(guī)GaN基HEMT器件 2.3 具有高遷移率的結(jié)構(gòu) 2.4 抑制電流崩塌的結(jié)構(gòu) 2.5 在高壓狀態(tài)下工作的結(jié)構(gòu) 2.6 在常關(guān)型狀態(tài)下工作的結(jié)構(gòu) 參考文獻 第3章 垂直型GaN基電力電子晶體管 3.1 引言 3.2 電流孔徑垂直電子晶體管（CAVET） 3.2.1 CAVET的工作原理 3.2.2 功率開關(guān)中的CAVET 3.3 CAVET的開關(guān)特性 3.3.1 制造工藝的討論 3.3.2 凹槽型CAVET 3.4 金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)晶體管（MOSFET） 3.4.1 基于再生長的MOSFET（OGFET） 3.4.2 OGFET的開關(guān)特性 3.5 結(jié)論 參考文獻 第4章 GaN基功率器件的可靠性 4.1 關(guān)態(tài)經(jīng)時退化機制 4.2 p型柵器件的經(jīng)時失效 4.3 MIS-HEMT結(jié)構(gòu)中正負偏置下的閾值電壓不穩(wěn)定性 4.3.1 MIS-HEMT器件正偏置閾值電壓的不穩(wěn)定性 4.3.2 MIS-HEMT器件負偏置閾值電壓的不穩(wěn)定性 4.3.3 恒定源極電流引起的退化 4.4 結(jié)論 參考文獻 第5章 GaN基功率器件的魯棒性驗證 5.1 引言 5.1.1 GaN基功率晶體管特有的可靠性問題 5.1.2 GaN基功率晶體管的開關(guān)安全工作區(qū)（SSOA）
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