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多層低溫共燒陶瓷技術(shù)

出版社:科學(xué)出版社出版時間:2010-01-01
開本: B5 頁數(shù): 164
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多層低溫共燒陶瓷技術(shù) 版權(quán)信息

多層低溫共燒陶瓷技術(shù) 內(nèi)容簡介

《多層低溫共燒陶瓷技術(shù)》全面介紹了低溫共燒陶瓷(LTCC)技術(shù),給出了大量20世紀80年代富士通和IBM美國公司開發(fā)的大型計算機用銅電路圖層的大面積多層陶瓷基板的工程圖表。全書共10章。章緒論,概述了低溫共燒陶瓷技術(shù)的歷史、典型材料、主要制造過程等。第2章至第9章分為兩大部分,部分為材料技術(shù),包括第2章至第4章,論述了陶瓷材料、導(dǎo)體材料及輔助材料的特性和應(yīng)用;第二部分為工藝技術(shù),包括第5章至第9章,細致地描述了各工序特點、工藝條件、控制、在制品評價、缺陷防止和產(chǎn)品可靠性等諸多問題。后,在0章,展望了低溫共燒陶瓷技術(shù)的未來發(fā)展。《多層低溫共燒陶瓷技術(shù)》適合從事電子、材料等領(lǐng)域研究、開發(fā)和生產(chǎn)的技術(shù)人員參考閱讀,也可作為高等院校相關(guān)專業(yè)的研究生、本科生教材使用。

多層低溫共燒陶瓷技術(shù) 目錄

中文版寄語
中文版序
譯者序

第1章 緒論
1.1 歷史回顧
1.2 典型材料
1.3 主要制造過程
1.4 典型產(chǎn)品類型
1.5 低溫共燒陶瓷的特性
1.5.1 高頻特性
1.5.2 熱穩(wěn)定性(低熱膨脹,良好熱阻)
1.5.3 無源元件集成
1.6 有關(guān)公司材料發(fā)展的趨勢
1.7 本書側(cè)重點
參考文獻

**部分 材料技術(shù)
第2章 陶瓷材料
2.1 導(dǎo)言
2.2 低溫燒結(jié)
2.2.1 玻璃的流動性
2.2.2 玻璃的晶化
2.2.3 玻璃的起泡
2.2.4 玻璃與氧化鋁之間的反應(yīng)
2.3 介電特性
2.3.1 介電常數(shù)
2.3.2 介電損耗
2.4 熱膨脹
2.5 機械強度
2.5.1 玻璃相的強化
2.5.2 耐熱沖擊
2.6 熱傳導(dǎo)
參考文獻
第3章 導(dǎo)體材料
3.1 引言
3.2 導(dǎo)電油墨材料
3.3 氧化鋁陶瓷的金屬化方法
3.3.1 厚膜金屬化
3.3.2 共燒金屬化
3.4 導(dǎo)電性
3.5 共燒相配性
3.6 附著
3.7 抗電徙動
3.8 膠結(jié)性
參考文獻
第4章 電阻材料和高介電材料
4.1 引言
4.2 電阻器材料
4.2.1 氧化釕/玻璃材料
4.2.2 氧化釕的熱穩(wěn)定性
4.3 高介電常數(shù)材料
參考文獻

第二部分 工藝技術(shù)
第5章 粉料準備和混合
5.1 引言
5.2 無機陶瓷材料
5.3 有機材料
5.3.1 黏結(jié)劑
5.3.2 可塑性
5.3.3 分散劑和料漿的分散性
參考文獻
第6章 流延
6.1 引言
6.2 流延設(shè)備
6.3 料漿特性
6.4 生片
6.4.1 生片的特性要求
6.4.2 生片的評價方法
6.4.3 影響生片特性的各種因素
6.4.4 生片微結(jié)構(gòu)
6.4.5 生片外形尺寸的穩(wěn)定性
6.5 沖過孔
參考文獻
第7章 印刷和疊層
7.1 印刷
7.1.1 絲網(wǎng)規(guī)格
7.1.2 印刷工藝條件
7.1.3 油墨特性
7.1.4 生片特性
7.2 填過孔
7.3 疊層
7.3.1 疊層過程技術(shù)
7.3.2 疊層過程中出現(xiàn)的缺陷
7.3.3 防止分層
參考文獻
第8章 共燒
8.1 銅的燒結(jié)
8.2 控制燒結(jié)收縮
8.2.1 陶瓷
8.2.2 銅/陶瓷
8.3 燒結(jié)行為和燒結(jié)收縮率失配
8.3.1 △T的影響
8.3.2 △S的影響
8.4 銅的抗氧化和黏結(jié)劑的排出
8.5 零收縮技術(shù)
8.6 共燒過程和未來的低溫共燒陶瓷
參考文獻
第9章 可靠性
9.1 低溫共燒陶瓷的熱沖擊
9.2 低溫共燒陶瓷的熱膨脹和剩余應(yīng)力
9.3 低溫共燒陶瓷的熱傳導(dǎo)
參考文獻
第10章 低溫共燒陶瓷的未來
10.1 引言
10.2 未來低溫共燒陶瓷技術(shù)的發(fā)展
10.2.1 材料技術(shù)開發(fā)
10.2.2 工藝技術(shù)
10.3 后-低溫共燒陶瓷技術(shù)的背景
10.3.1 后-低溫共燒陶瓷技術(shù)的氣浮沉積法
10.3.2 氣浮沉積陶瓷薄膜目前狀況和未來發(fā)展前景
參考文獻
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