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超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)導(dǎo)論

超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)導(dǎo)論

作者：蔡懿慈
出版社：清華大學(xué)出版社出版時(shí)間：2005-01-01
開本： 16開 頁數(shù)： 268
中 圖 價(jià):¥32.4(6.5折) 定價(jià)  ¥49.8 登錄后可看到會(huì)員價(jià)
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超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)導(dǎo)論 版權(quán)信息

超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)導(dǎo)論 本書特色

《超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)導(dǎo)論》特色　　系統(tǒng)性：以器件電路和系統(tǒng)設(shè)計(jì)為背景，全面系統(tǒng)地介紹VLSI設(shè)計(jì)知識(shí)和方法　　實(shí)用性：配合EDA工具的上機(jī)實(shí)踐，使讀者全面了解和掌握VLSI設(shè)計(jì)的整個(gè)流程及設(shè)計(jì)方法　　基礎(chǔ)性：面向VLSI相關(guān)課程教學(xué)設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)類教材　　先進(jìn)性：緊密跟蹤VLSI工藝、設(shè)計(jì)方法的新發(fā)展動(dòng)態(tài)，跟蹤EDA領(lǐng)域的新研究成果，使讀者了解國內(nèi)外集成電路技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r

超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)導(dǎo)論 內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　《超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)導(dǎo)論》從非微電子專業(yè)讀者掌握VLSI設(shè)計(jì)知識(shí)和技能的需求出發(fā)，以器件、電路和系統(tǒng)設(shè)計(jì)為背景，系統(tǒng)全面地介紹VLSI設(shè)計(jì)的知識(shí)和方法，主要內(nèi)容包括VLSI設(shè)計(jì)概論、MOS器件設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)知識(shí)、電路設(shè)計(jì)及參數(shù)計(jì)算、基本邏輯電路設(shè)計(jì)、VLSI版圖設(shè)計(jì)、半定制全定制及片上系統(tǒng)（SOC）的設(shè)計(jì)方法以及VLSI計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)等！　　冻笠(guī)模集成電路設(shè)計(jì)導(dǎo)論》是作者十多年來在清華大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)系為本科生和研究生開設(shè)VLSI設(shè)計(jì)相關(guān)課程教學(xué)與VLSIEDA研究的經(jīng)驗(yàn)基礎(chǔ)上，結(jié)合目前集成電路設(shè)計(jì)的發(fā)展?fàn)顩r編寫而成。該書作為VLSI設(shè)計(jì)導(dǎo)論性書籍，內(nèi)容廣泛，敘述由淺入深，既可作為大專院校計(jì)算機(jī)、自動(dòng)化、電機(jī)和機(jī)電等專業(yè)本科生和研究生學(xué)習(xí)的教材或參考書，也可作為從事VLSI設(shè)計(jì)的技術(shù)人員的參考書。

超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)導(dǎo)論 目錄

第1章 集成電路設(shè)計(jì)概論
1．1 集成電路的發(fā)展
1．2 集成電路設(shè)計(jì)的發(fā)展
1．3 電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化技術(shù)的發(fā)展
1．4 深亞微米和超深亞微米工藝對(duì)EDA技術(shù)的挑戰(zhàn)
1．5 VLSI設(shè)計(jì)的要求
1．6 VLSI的設(shè)計(jì)方法學(xué)
習(xí)題

第2章 CMOS集成電路制造技術(shù)
2．1 半導(dǎo)體材料一一硅
2．2 集成電路制造技術(shù)簡(jiǎn)介
2．2．1 熱氧化工藝
2．2．2 擴(kuò)散工藝
2．2．3 淀積工藝
2．2．4 光刻工藝
2．3 CMOS集成電路制造過程
2．3．1 晶圓處理
2．3．2 CMOS集成電路工藝（前部工序）
2．3．3 后部工序
習(xí)題

第3章 器件設(shè)計(jì)技術(shù)
3．1 引言
3．2 MOS晶體管的工作原理
3．2．1 半導(dǎo)體的表面場(chǎng)效應(yīng)
3．2．2 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?br />3．2．3 MOS管的工作原理
3．3 MOS晶體管的直流特性
3．3．1 NMOS管的電流一電壓特性
3．3．2 PMOS管的電流一電壓特性
3．4 反相器直流特性
3．4．1 MOS反相器的一般問題
3．4．2 電阻負(fù)載反相器（E／R）
3．4．3 增強(qiáng)型負(fù)載反相器（E／E）
3．4．4 耗盡型負(fù)載反相器（E／D）
3．4．5 CMOS反相器
習(xí)題

第4章 電路參數(shù)及性能
4．1 MOS晶體管的參數(shù)
4．1．1 閾值（開啟）電壓
4．1．2 溝道長度調(diào)制效應(yīng)
4．1．3 漏-源截止電流
4．1．4 直流導(dǎo)通電阻
4．1．5 柵-源直流輸入電阻
4．1．6 柵-源擊穿電壓
4．1．7 漏-源擊穿電壓
4．2 信號(hào)傳輸延遲
4．2．1 CMOS門延遲
4．2．2 連線延遲
4．2．3 電路扇出延遲
4．2．4 大電容負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路
4．3 CMOS電路功耗
4．3．1 CMOS電路的靜態(tài)功耗
4．3．2 CMOS電路的動(dòng)態(tài)功耗
4．3．3 電路總功耗
4．3．4 功耗管理
4．4 CMOS電路的閘流效應(yīng)
4．4．1 閘流效應(yīng)的起因
4．4．2 閘流效應(yīng)的控制
4．5 電路模擬HSPICE簡(jiǎn)介
4．5．1 文件格式說明
4．5．2 HSPICE應(yīng)用例子
4．6 電路設(shè)計(jì)例子
習(xí)題

第5章 邏輯設(shè)計(jì)技術(shù)
5．1 MOS管的串、并聯(lián)特性
5．1．1 串聯(lián)特性
5．1．2 并聯(lián)特性
5．2 邏輯門的延遲
5．3 傳輸門
5．3．1 NMOS傳輸門
5．3．2 PMOS傳輸門
5．3．3 CMOS傳輸門
5．4 CMOS邏輯結(jié)構(gòu)
5．4．1 異或門
5．4．2 同或門
5．4．3 虛擬NMOS邏輯
5．4．4 CMOS骨牌邏輯
5．4．5 可編程邏輯陣列
5．4．6 多路選擇器
5．4．7 鎖存器和觸發(fā)器
5．5 時(shí)鐘策略
5．5．1 時(shí)鐘控制系統(tǒng)
5．5．2 單相時(shí)鐘的參數(shù)
5．5．3 系統(tǒng)時(shí)序
5．5．4 時(shí)鐘電路
習(xí)題

第6章 子系統(tǒng)設(shè)計(jì)
6．1 數(shù)據(jù)路徑運(yùn)算器
6．1．1 加法器
6．1．2 二進(jìn)制計(jì)數(shù)器
6．1．3 寄存器
6．2 存儲(chǔ)器
6．2．1 存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)
6．2．2 掩膜編程存儲(chǔ)器MROM
6．2．3 現(xiàn)場(chǎng)可編程PROM
6．2．4 可擦除可編程EPROM
6．2．5 電可擦除可編程EEPROM
6．2．6 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM
6．2．7 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM
6．3 控制電路
6．4 110電路
6．4．1 整體結(jié)構(gòu)
6．4．2 電源和地線
6．4．3 輸出壓焊塊
6．4．4 輸入壓焊塊
6．4．5 三態(tài)和雙向壓焊塊
習(xí)題

第7章 版圖設(shè)計(jì)技術(shù)
7．1 引言
7．2 版圖設(shè)計(jì)過程
7．3 版圖設(shè)計(jì)規(guī)則
7．3．1 設(shè)計(jì)規(guī)則的內(nèi)容與作用
7．3．2 設(shè)計(jì)規(guī)則的描述
7．3．3 CMOS的N阱工藝設(shè)計(jì)規(guī)則
7．3．4 設(shè)計(jì)規(guī)則的基礎(chǔ)
7．3．5 版圖設(shè)計(jì)例子
7．4 版圖描述語言CIF
7．5 版圖電學(xué)參數(shù)計(jì)算
7．5．1 電阻的估算
7．5．2 電容的估算
習(xí)題

第8章 系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法與實(shí)現(xiàn)技術(shù)
8．1 系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法
8．1．1 結(jié)構(gòu)化設(shè)計(jì)思想
8．1．2 自動(dòng)設(shè)計(jì)、半自動(dòng)設(shè)計(jì)和手工設(shè)計(jì)
8．1．3 正向設(shè)計(jì)與反向設(shè)計(jì)
8．1．4 自頂向下設(shè)計(jì)與自底向上設(shè)計(jì)
8．1．5 基于單元的設(shè)計(jì)方法與IP復(fù)用技術(shù)
8．2 系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)技術(shù)
……
第9章 數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)自動(dòng)化
參考文獻(xiàn)
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