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極紫外光刻

出版社：上？茖W(xué)技術(shù)出版社出版時(shí)間：2022-09-01
開(kāi)本： 16開(kāi) 頁(yè)數(shù)： 224
中 圖 價(jià):¥96.0(7.5折) 定價(jià)  ¥128.0 登錄后可看到會(huì)員價(jià)
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極紫外光刻 版權(quán)信息

  • ISBN：9787547857212
  • 條形碼：9787547857212 ; 978-7-5478-5721-2
  • 裝幀：80g膠版紙
  • 冊(cè)數(shù)：暫無(wú)
  • 重量：暫無(wú)
  • 所屬分類(lèi)：>

極紫外光刻 本書(shū)特色

適讀人群 ：芯片制造、半導(dǎo)體設(shè)備、光刻技術(shù)等相關(guān)方面的技術(shù)和管理人員，集成電路、微納電子、光電工程等專(zhuān)業(yè)本科生，以及短波光學(xué)、激光與物質(zhì)相互作用、激光等離子體、極紫外光輻射等領(lǐng)域的研究生和專(zhuān)業(yè)研究人員1. 本書(shū)概況 極紫外光刻是光刻里*先進(jìn)的技術(shù)，它是7nm及以下芯片制造的*核心的技術(shù)關(guān)鍵。本書(shū)綜合地介紹了極紫外光刻技術(shù)相關(guān)聯(lián)的各個(gè)重要方面及其發(fā)展歷程，不僅論述了極紫外光源、極紫外光刻曝光系統(tǒng)、極紫外掩模板、極紫外光刻膠、極紫外計(jì)算光刻的技術(shù)內(nèi)容，而且還討論了極紫外光刻生態(tài)系統(tǒng)的其他重要方面。 2.本書(shū)特色 （1）本書(shū)是一本論述極紫外光刻技術(shù)的Z新的專(zhuān)著，有關(guān)極紫外光刻技術(shù)許多Z新的研發(fā)內(nèi)容都有所介紹和討論。 （2）目前尚沒(méi)有一本中文版的有關(guān)極紫外光刻技術(shù)的專(zhuān)門(mén)論著或譯著，對(duì)于從事芯片領(lǐng)域的從業(yè)技術(shù)人員，這是一本非常及時(shí)且內(nèi)容豐富的參考書(shū)。 （3）本書(shū)從內(nèi)容上看新穎又全面，從形式上看詳實(shí)又精煉。

極紫外光刻 內(nèi)容簡(jiǎn)介

本書(shū)是一本論述極紫外光刻技術(shù)的近期新的專(zhuān)著，該書(shū)綜合地介紹了極紫外光刻技術(shù)相關(guān)聯(lián)的各個(gè)重要方面及其發(fā)展歷程，不但論述極紫外光源、極紫外光刻曝光系統(tǒng)、極紫外掩模版、極紫外光刻膠、極紫外計(jì)算光刻的技術(shù)內(nèi)容，還討論了極紫外光刻生態(tài)系統(tǒng)的其他重要方面，如極紫外光刻工藝特點(diǎn)和控制，極紫外光刻量測(cè)的特殊要求，極紫外光刻的成本計(jì)算，作者*后還討論了極紫外光刻未來(lái)的各種延伸技術(shù)。

極紫外光刻 目錄

第1章 緒論

1.1 光刻技術(shù)的歷史背景/1

1.2 光刻技術(shù)的組成部分 /3

1.3 材料考量和多層膜反射鏡/4

1.4 一般性問(wèn)題 /11

習(xí)題/12

參考文獻(xiàn)/12

第2章 EUV光源

2.1 激光等離子體光源/15

2.2 放電等離子體光源/28

2.3 自由電子激光器/32

習(xí)題/36

參考文獻(xiàn)/36

第3章 EUV光刻曝光系統(tǒng)

3.1 真空中的EUV光刻/40

3.2 照明系統(tǒng) /45

3.3 投影系統(tǒng)/47

3.4 對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)/52

3.5 工件臺(tái)系統(tǒng)/53

3.6 聚焦系統(tǒng) /54

習(xí)題/55

參考文獻(xiàn)/56

第4章 EUV掩模

4.1 EUV掩模結(jié)構(gòu)/60

4.2 多層膜和掩；迦毕/66

4.3 掩模平整度和粗糙度/71

4.4 EUV掩模制作/74

4.5 EUV掩模保護(hù)膜/75

4.6 EUV掩模放置盒/83

4.7 其他EUV掩模吸收層與掩模架構(gòu)/85

習(xí)題/88

參考文獻(xiàn)/88

第5章 EUV光刻膠

5.1 EUV化學(xué)放大光刻膠的曝光機(jī)制/95

5.2 EUV光刻中的隨機(jī)效應(yīng)/98

5.3 化學(xué)放大光刻膠的新概念/108

5.4 金屬氧化物EUV光刻膠/110

5.5 斷裂式光刻膠/111

5.6 真空沉積光刻膠/111

5.7 光刻膠襯底材料/113

習(xí)題/114

參考文獻(xiàn)/115

第6章 EUV計(jì)算光刻

6.1 傳統(tǒng)光學(xué)鄰近校正的考量因素/121

6.2 EUV掩模的三維效應(yīng)/125

6.3 光刻膠的物理機(jī)理/133

6.4 EUV光刻的成像優(yōu)化/135

習(xí)題/138

參考文獻(xiàn)/139

第7章 EUV光刻工藝控制

7.1 套刻/144

7.2 關(guān)鍵尺寸控制/149

7.3 良率 / 151

習(xí)題/155

參考文獻(xiàn)/156

第8章 EUV光刻的量測(cè)

8.1 掩模基板缺陷檢測(cè)/160

8.2 EUV掩模測(cè)評(píng)工具/163

8.3 量產(chǎn)掩模驗(yàn)收工具/165

8.4 材料測(cè)試工具/168

習(xí)題/169

參考文獻(xiàn)/170

第9章 EUV光刻成本

9.1 晶圓成本 /173

9.2 掩模成本/181

習(xí)題/182

參考文獻(xiàn)/182

第10章 未來(lái)的EUV光刻

10.1 k【能走多低/184

10.2 更高的數(shù)值孔徑/186

10.3 更短的波長(zhǎng)/193

10.4 EUV多重成形技術(shù)/194

10.5 EUV光刻的未來(lái)/195

習(xí)題/195

參考文獻(xiàn)/196

索 引


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極紫外光刻 作者簡(jiǎn)介

哈利??杰??萊文森（Harry J.Levinson)，國(guó)際光學(xué)工程學(xué)會(huì)（SPIE）會(huì)士，HJL Lithography 的獨(dú)立光刻顧問(wèn)和首席光刻師，專(zhuān)注于光刻領(lǐng)域多年。曾在Sierra Semiconductor和IBM擔(dān)任過(guò)職位。曾將光刻應(yīng)用于許多不同的技術(shù)，包括雙極存儲(chǔ)器、64MB和256MB DRAM開(kāi)發(fā)、專(zhuān)用集成電路芯片制造、磁記錄薄膜磁頭、閃存和先進(jìn)邏輯芯片等。曾數(shù)年擔(dān)任美國(guó)光刻技術(shù)工作組主席，參與制定了《國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖》中有關(guān)光刻技術(shù)的章節(jié)。他是硅谷首批SVG-5倍步進(jìn)式光刻機(jī)的用戶(hù)之一，也是248nm、193nm和極紫外光刻的早期參與者；撰寫(xiě)的著作還有：《光刻工藝控制》《光刻原理》，擁有70多項(xiàng)美國(guó)專(zhuān)利。

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